中科院5nm激光光刻加工方法被誤讀
近日，《財(cái)經(jīng)》雜志發(fā)文澄清了一個(gè)關(guān)于中科院光刻技術(shù)突破ASML的誤讀傳言。
事情可以追溯至今年7月，中國(guó)科學(xué)院官網(wǎng)上發(fā)布了一則研究進(jìn)展相關(guān)消息，中科院蘇州所聯(lián)合國(guó)家納米中心在《納米快報(bào)》（Nano Letters）上發(fā)表了一篇題為《超分辨率激光光刻技術(shù)制備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super－resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的「新型5nm超高精度激光光刻加工方法」。
截圖自ACS官網(wǎng)
這一消息被一些媒體誤讀為可以「突破ASML的壟斷」、「中國(guó)芯取得重大進(jìn)展」，「中國(guó)不需要EUV光刻機(jī)就能制作出5nm工藝的芯片」。
日前，這一論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導(dǎo)師劉前告訴《財(cái)經(jīng)》雜志，稱(chēng)這是一個(gè)誤讀，中科院這一技術(shù)與極紫外光刻技術(shù)是兩回事。
極紫外光刻技術(shù)是以波長(zhǎng)為10－14nm的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。
而中科院研發(fā)的「5nm超高精度激光光刻加工方法」的主要用途是制作光掩模，目前，國(guó)內(nèi)制作的掩模板主要是中低端的，裝備材料和技術(shù)大多來(lái)自國(guó)外。
責(zé)任編輯：haq
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