MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來的十年中，兩種新興的非易失性存儲器類型（相變存儲器和磁RAM）將在獨立存儲器中處于領(lǐng)先地位。

Mark Webb在最近的虛擬閃存峰會上做了一系列演講。他得出的結(jié)論是，盡管目前正在開發(fā)中的新興存儲器技術(shù)種類繁多，但英特爾的相變存儲器（稱為3D XPoint存儲器或Optane）將在2025年和2030年主導(dǎo)獨立的新興非易失性存儲器市場，這是部分原因是英特爾虧本出售內(nèi)存業(yè)務(wù)的原因。

Webb將新興內(nèi)存定義為PCM，MRAM，ReRAM和FeRAM以及其他。它不包括NAND，DRAM，NOR，SRAM，EEPROM等。在這些分析中，Webb并不討論開始受到關(guān)注的嵌入式/ SoC新興存儲器MRAM。

韋伯認(rèn)為，由英特爾提供的PCM將在2025年占據(jù)獨立新興存儲器市場90％的份額，而MRAM僅次于第二，在2030年仍將如此。

韋伯表示，盡管英特爾虧本出售了相變內(nèi)存。但韋伯在FMS演講中說，3D Xpoint的營業(yè)利潤率非常低，并估計出售Xpoint會使英特爾每季度損失3億多美元。韋伯說，盡管隨著內(nèi)存生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，這種損失可能會減少，但這種損失將持續(xù)下去。

他補(bǔ)充說，沒關(guān)系。永久內(nèi)存非常適合數(shù)據(jù)中心，可以將英特爾架構(gòu)與AMD和其他競爭對手區(qū)分開來。韋伯說，內(nèi)存余量并不是英特爾的目標(biāo)。

韋伯在一篇博客文章中說：“我們預(yù)測Optane的收入將大幅增長，這僅僅是因為英特爾正在向它投資數(shù)十億美元，并正在為其發(fā)展新的總線連接。如果沒有英特爾，則將數(shù)字除以5到10。”

盡管韋伯的分析對于諸如ReRAM和FeRAM之類的替代存儲器的支持者似乎是黯淡的，但他提供了一些理由。他指出，在英特爾和美光共同推出PCM五年后，除對英特爾的銷售外，美光的年銷售額還不到1000萬美元。韋伯表示，在同意一項技術(shù)可行之后，要想達(dá)到高產(chǎn)量，需要很長時間。

韋伯觀察到：“如果ReRAM或FeRAM起飛，它將在四到五年內(nèi)，并且不會取代其他市場。”
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