三星明年全年DRAM和NAND的供應將嚴重不足
據報道，盡管存儲行業受疫情影響小于其他行業，但消費產品仍受到負面影響，外界對前景產生擔憂。
而三星正利用這一時期擴大領先優勢，三星計劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
一位投資經理表示，明年全年DRAM和NAND的供應將嚴重不足，從而導致價格和利潤回升。三星在這方面顯示出非常有吸引力的風險回報。
他進一步表示，三星正在與零部件供應商進行討論，確保在下訂單之前解決任何潛在問題。
三星在京畿道平澤工廠將在處理新增產能方面發揮核心作用。在最近公布的三季度業績電話會議上，三星表示隨著存儲芯片庫存水平的合理調整，公司收到了更多服務器芯片訂單，預計將出現轉機。
NH Investment分析師Do Hyun-woo表示，三星將積極生產NAND閃存芯片，而在DRAM方面保持保守離場。考慮到代工芯片的短缺，三星明年將向平澤和美國奧斯汀的工廠投資至少10萬億韓元。
三星對NAND閃存芯片業務的需求之所以上升，是因為目前的DRAM技術能否在小于1nm的產品中維持存儲能力越來越令人質疑。雖然NAND芯片在10-20nm的層面上很快將面臨挑戰，但三星相信隨著EUV技術推進制造工藝，NAND芯片在密度和成本改善方面處于優勢地位。
責任編輯:tzh
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
459文章
52145瀏覽量
435882 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15885瀏覽量
182120 -
晶圓
+關注
關注
52文章
5113瀏覽量
129145
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發表于 04-18 10:52
三星電子否認1b DRAM重新設計報道
據報道，三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發了業界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 此前有報道指出，
三星否認重新設計1b DRAM
據DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內部為解決12nm級
三星重啟1b nm DRAM設計，應對良率與性能挑戰
nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P，其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似，顯示出
三星電子削減NAND閃存產量
價格將出現暴跌。在這樣的市場環境下，三星電子面臨著巨大的壓力，難以維持過去那種壓倒性的生產力。 據報道，SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應規模，這無疑加劇了市場競爭。面對如此激烈的競爭環境，
三星削減中國西安NAND閃存產量應對市場變化
產量將從平均20萬片減少至約17萬片。同時，位于韓國華城的生產線也在進行相應調整，整體產能有所下降。 此次減產舉措體現了三星電子在激烈市場競爭中的盈利能力保護策略。隨著SK海力士等競爭對手不斷擴大NAND供應規模，
三星MLC NAND閃存或面臨停產傳聞
的廣泛關注。 然而，三星電子并未對這一傳聞進行正面回應，反而強調市場傳言不實，并表示未來將持續生產MLC NAND閃存。盡管如此，多家供應鏈業者仍指出，三星在年底進行的人事大改組后，產
MLC NAND產能或遭削減？三星否認停產傳聞
停產該產品。 然而，三星對此傳聞表示否認，并強調市場傳言不實，稱公司未來將持續生產MLC NAND。盡管如此，供應鏈業者仍指出，隨著三星年底的人事大改組，產線規劃可能會有所調整。 ML
用AIC3254做20段均衡，資源嚴重不足怎么解決？
請問，我用AIC3254做20段均衡，資源嚴重不足。這個怎么辦才好。3254貌似只能夠做雙通道的15段，我想做的是獨立通道均衡，比如，我有兩個通道輸入，每一個通道都想做一個15段均衡獨立調節，而
發表于 11-04 06:26
三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資
據韓國媒體最新報道，三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產線，并預計該產線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術領域的又一次重要
三星和鎧俠持續加大對NAND Flash技術的投入與創新
AI技術的蓬勃發展正以前所未有的速度推動著存儲器產業的飛躍，其中，海量數據的激增對存儲容量與性能提出了更高要求，使得NAND Flash技術的重要性日益凸顯。在此背景下，全球存儲巨頭如三星和鎧俠，在深耕DRAM市場的同時，也持續
消息稱三星客戶已包下V8-NAND 2025年產能
在人工智能（AI）技術日新月異的今天，數據中心對大容量固態硬盤（SSD）的需求呈現出前所未有的增長態勢。業內最新消息顯示，由于NAND閃存供應可能在下半年出現短缺，三星電子的V8-NAND
今日看點丨曝三星計劃Q3對DRAM、NAND漲價15%~20%；傳蘋果將大砍一半產線員工
1. 傳三星計劃Q3 對DRAM 、NAND 漲價15%~20% ，現已通報客戶 ? 6月26日，多家媒體報道稱，三星計劃于第三季度把動態隨
發表于 06-27 11:02
?555次閱讀
傳三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成
近日，據韓國媒體報道，三星在其1b nm（即12nm級）DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰。目前，該制程的良率仍低于業界一般目標的80%~90%，僅達到五成左右。為了應對這一局面，三星
工商網監
評論