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MCU、NOR Flash漲價并持續(xù)供不應(yīng)求

日前，針對晶圓代工產(chǎn)能緊張是否會導(dǎo)致MCU缺貨或交付延遲，兆易創(chuàng)新董秘李紅表示，存量產(chǎn)能都在有序生產(chǎn)，但是因為需求端旺盛，晶圓廠產(chǎn)能緊缺，要擴產(chǎn)的話就會受到一些影響，新增的部分還沒有常規(guī)運轉(zhuǎn)起來。

兆易創(chuàng)新表示，MCU缺貨是不同的產(chǎn)品類別的缺貨，調(diào)價也并不是所有的產(chǎn)品價格都調(diào)，現(xiàn)在看整個行業(yè)是處于供不應(yīng)求的狀況，一般情況下供需失衡的時候都會有調(diào)價。

Kitty點評：筆者早前獲悉國內(nèi)芯片公司航順的MCU產(chǎn)品調(diào)整代理商體系價格，NOR Flash、EEPROM、LCD驅(qū)動已經(jīng)發(fā)布漲價通知，全面上漲10%-20%。原因是投片廠、封裝廠產(chǎn)能緊張，原材料價格上漲，客戶訂單大幅度增加所致。

為了維護與客戶的穩(wěn)定關(guān)系以及出于市場份額的考慮，國內(nèi)MCU廠商紛紛表示不會率先漲價，成本主要在內(nèi)部消化。但是隨著產(chǎn)能緊張的持續(xù)，部分產(chǎn)品價格上漲，行業(yè)將出現(xiàn)普遍地不同程度的漲價。

NOR Flash方面，兆易創(chuàng)新表示三季度價格較為穩(wěn)定，需求非常旺盛，超過此前預(yù)期。因此展望四季度，市場仍然非常旺盛，現(xiàn)在已處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，樂觀看待明年的景氣度。

的確，NOR Flash在AMOLED屏、可穿戴設(shè)備（尤其是TWS耳機）以及物聯(lián)網(wǎng)、汽車市場都將有非常大的成長機會。

由于市場需求的復(fù)蘇，MCU、NOR Flash的供應(yīng)和價格承壓越來越大，無論是供應(yīng)商還是客 戶都要做好供求計劃了。

電機汽車類應(yīng)用潛力大，頭部企業(yè)加速布局

英國倫敦時間周二（11月17日）英國首相鮑里斯·約翰遜在英國《金融時報》發(fā)表專欄文章，公布十項綠色新政，調(diào)動120億英鎊政府投資，創(chuàng)造和支持多達25萬個綠色就業(yè)崗位。其中最為引人注目的是，即將從2030年停止新的汽柴油汽車的銷售，這比今年2月約翰遜提出的2035年的截止時間還提前了5年。這標志著英國汽車市場將出現(xiàn)重大轉(zhuǎn)變。

Kevin點評：在汽車“去汽柴油化”方面，目前歐洲走在前列。截止到目前，愛爾蘭、荷蘭、丹麥和瑞典都已經(jīng)宣布在2030年前禁止其柴油新車銷售。法國也曾經(jīng)立法到2040年要禁止銷售汽柴油新車。

此外，今年9月美國加州州長紐松（Gavin Newsom）簽署了一項命令，至2035年將禁止該州銷售汽油和柴油動力的新車，希望借此降低溫室氣體及空氣污染物排放。

這幾年中國也在推動新能源汽車的發(fā)展。所有這些對推廣電動汽車意義巨大。也正是看到了電動汽車的發(fā)展，頭部電機企業(yè)也開始布局。比如從德昌電機2019年的財報中可以看到，其汽車類電機產(chǎn)品占其總營收的79%。
另一個電機大企業(yè)日本電產(chǎn)（尼得科）計劃到2030年底，在電動汽車用驅(qū)動電機市場中的份額達到35%。為此，今年6月，日本電產(chǎn)宣布投資1000億日元（約65億元）在大連建廠，并設(shè)立研發(fā)中心。 此外，日本電產(chǎn)還計劃在歐洲投資2000億日元，在美洲的投資計劃也正在規(guī)劃之中。

臺積電與谷歌合作，SoIC封裝將量產(chǎn)！

近日，臺灣供應(yīng)鏈傳來消息，全球最大半導(dǎo)體代工企業(yè)臺積電(TSMC)與谷歌(Google)等美國客戶正在一同測試，合作開發(fā)先進3D堆棧晶圓級封裝產(chǎn)品，并計劃2022年進入量產(chǎn)。

臺積電將此3D堆棧技術(shù)命名為“SoIC封裝”，可以垂直與水平的進行芯片鏈接及堆棧封裝。此技術(shù)可以讓幾種不同類型的芯片，像是處理器、內(nèi)存與傳感器堆棧到同一個封裝中。這種技術(shù)能可讓芯片組功能更強大，但尺寸更小，且更具有能源效率。

消息透露，臺積電計劃在苗栗芯片封裝廠房導(dǎo)入最新 3D IC 封裝技術(shù)，Google、超微（AMD）將是第一批 SoIC 芯片客戶，這些美國科技巨擘會協(xié)助臺積電進行測試與認證作業(yè)。據(jù)消息，Google 打算將 SoIC 芯片應(yīng)用于自駕車系統(tǒng)等，AMD 則希望打造超越英特爾（Intel）的芯片產(chǎn)品。

Lily點評：根據(jù)研究機構(gòu)Yole Development的數(shù)據(jù)，先進封裝行業(yè)在2019年的銷售額為290億美元，預(yù)計在2019-2025年之間的復(fù)合年增長率為6.6％，到2025年將達到420億美元。這家研究公司表示，在所有細分市場中，3D堆疊封裝將以25％的速度增長，這在同一時期內(nèi)是最快的。臺灣行業(yè)分析師表示，隨著全球高端芯片開發(fā)商尋求更多可產(chǎn)生強大性能并幫助其在競爭對手中脫穎而出的定制芯片，對高級封裝的需求正在增長。

根據(jù)臺積電在第二十四屆年度技術(shù)研討會中的說明，SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術(shù)，是一種晶圓對晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合（Bonding）技術(shù)，這是一種3D IC制程技術(shù)，可以讓臺積電具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。

臺積電總裁魏哲家表示，2D微縮已經(jīng)不足以支持系統(tǒng)整合需求，臺積電擁有業(yè)界最先進的晶圓級3DIC技術(shù)，從晶圓堆疊到先進封裝一應(yīng)俱全，幫助客戶實現(xiàn)更有效率的系統(tǒng)整合。行業(yè)內(nèi)普遍認為，從臺積電最初提出的2.5版CoWoS技術(shù)，至獨吃蘋果的武器InFO（整合型扇型封裝）技術(shù)，下一個稱霸晶圓代工產(chǎn)業(yè)的，就是SoIC技術(shù)。

中國移動宣布將在2021年基本實現(xiàn)全國市、縣5G覆蓋

11月20日，中國移動董事長楊杰表示，中國移動已開通5G基站38.5萬個，在所有地級市和部分重點縣城提供5G SA服務(wù)。同時，中國移動將在明年進一步擴大5G規(guī)模建設(shè)，在2021年基本實現(xiàn)全國市、縣城區(qū)及部分重點鄉(xiāng)鎮(zhèn)5G良好覆蓋，完善3+3+X數(shù)據(jù)中心布局，裝機能力提升至108萬架。

此外，中國移動預(yù)計，到今年底，網(wǎng)內(nèi)5G套餐用戶數(shù)將超1.5億，5G手機用戶將突破1億。中國移動判斷，目前網(wǎng)內(nèi)處于換機周期的目標用戶近3億，明年的目標是要實現(xiàn)網(wǎng)內(nèi)新增5G手機2億部。

Simon點評：5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)一直是行業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點，由于5G的特性，如果想要達到4G同樣的覆蓋效果，至少需要達到4G基站1.5倍的數(shù)量。

而今5G基站盡管已經(jīng)基本覆蓋至各大城市，但根據(jù)實際的體驗，可以發(fā)現(xiàn)覆蓋范圍仍然有限，甚至?xí)霈F(xiàn)過了一條街之后，便無法連接的情況，這些都是由于5G覆蓋不足所導(dǎo)致。

中國移動作為國內(nèi)最大的運營商，宣布明年將在全國市、縣完成5G的基本覆蓋，至少保證了5G可以在全國各地的使用，雖然還無法達到完全覆蓋的地步，但從使用角度來看，已經(jīng)由不可用到勉強可用的程度。

如果中國移動能夠如期完成其規(guī)劃，將進一步加速5G的普及。今年被稱為5G的元年，那么2021年，將成為5G徹底爆發(fā)的一年。目前唯一的問題就在于，5G的殺手級應(yīng)用何時出現(xiàn)。

長江存儲CEO證實華為Mate40用上國產(chǎn)閃存

日前，長江存儲CEO楊士寧在參加活動時證實了一件事，那就是他們的64層閃存已經(jīng)打入了華為Mate40供應(yīng)鏈，他還借用一句網(wǎng)絡(luò)用語，表示“出道即巔峰”。

他表示，與國際存儲大廠相比，公司用短短3年時間實現(xiàn)從32層到64層再到128層的跨越，3年完成他們6年走過的路。

Carol點評：去年9月，長江存儲宣布國內(nèi)第一個64層堆棧3D閃存量產(chǎn)，截至目前，已經(jīng)有很多國產(chǎn)SSD使用長江存儲的這款閃存顆粒。

2020年5月，光威推出基于國產(chǎn)NAND Flash廠商長江存儲的閃存顆粒的SSD，并且這款SSD還采用了國產(chǎn)的聯(lián)蕓的SSD主控。

2020年5月14日，國科微與長江存儲在湖南長沙正式簽署長期供貨協(xié)議，在簽約儀式上，國科微預(yù)發(fā)布搭載長江存儲64層3D NAND顆粒的固態(tài)硬盤。

2020年9月，朗科在京東上線了“朗系列”S520S固態(tài)硬盤，采用長江存儲64層TLC 3D NAND原廠顆粒，主控為得一微電子的SATA固態(tài)硬盤主控芯片YS9082HC。

此外還有不少國產(chǎn)SSD廠商也采用了長江存儲的64層堆棧3D閃存，同時長江存儲自己也推出了基于該款閃存顆粒的SSD產(chǎn)品。

今年4月，長江存儲還發(fā)布了128層 3D NAND，預(yù)計明年上半年量產(chǎn)，整體而言，長江存儲不管是在新品技術(shù)，還是量產(chǎn)上都在快速推進。現(xiàn)在長江存儲的3D NAND又進入到華為的供應(yīng)中，可見未來其將會進入越來越多的國產(chǎn)供應(yīng)鏈中，逐漸侵蝕三星、鎧俠、西數(shù)、美光等大廠的市場份額。

SK海力士與博世投資存儲器初創(chuàng)公司FMC

近期存儲器初創(chuàng)公司Ferroelectric Memory Company的B輪融資中，SK海力士和博世等企業(yè)為其提供了2000萬美元以上的投資資金，此外某些頂級代工廠也打算投資，但FMC擔心與單一代工廠的緊密合作會影響其他代工廠運用其技術(shù)，因此暫時拒絕了那些額外的投資交易。FMC將利用這筆資金將FeFET產(chǎn)品進入下一大開發(fā)階段，最終實現(xiàn)7nm的制程工藝。

采用7nm的制程工藝后，不僅可以增加FeFET的存儲密度，而且存儲容量可以與其它7nm的存儲技術(shù)相媲美。FMC希望將FeFET技術(shù)集成到嵌入式NVM、存儲級存儲器和存儲運算應(yīng)用中去。

Leland點評：如果可以突破7nm的障礙，F(xiàn)eFET將從尺寸和成本上優(yōu)于FLASH和MRAM存儲，同時還將提供更高的溫度穩(wěn)定性、抗磁性與抗輻射性。FMC作為一家有潛力的存儲初創(chuàng)公司，并不打算走IDM模式，而是借助代工廠來實現(xiàn)高級制程產(chǎn)品的生產(chǎn)，而他們將設(shè)計許可賣給設(shè)備制造商。

FeFET主要使用二氧化鉿這種鐵電材料，這種材料通常作為現(xiàn)代IC的絕緣層。而FeFET很適合作為鑲?cè)胧紽LASH的替代品，因為后者要想突破28nm非常困難。不過以該公司目前的路線圖來看，28nm的消費級產(chǎn)品預(yù)計在2023年才會推出，之后再攻克22nm，突破到7nm也許還得等上較長的一段時間，