在“2020北京微電子國際研討會暨IC World學(xué)術(shù)會議”上,長江存儲科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧發(fā)表了《新形勢下中國芯片制造突圍的新路徑》的主題演講,主要就在三維集成上如何找到突圍之路,他指出,集成電路由二維向三維發(fā)展是必行趨勢。這可能不是一條唯一的路徑,但確是一條需要強(qiáng)烈探索的路徑。
平地一聲雷,今年4月份長江存儲宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存,國外同行發(fā)現(xiàn),長江存儲跳級了,因?yàn)?D NAND是從32層、64層、96層逐漸移到128層,但是長江存儲并未推出過96層堆棧,這是怎么一回事呢?
這就要追溯下長江存儲的歷史淵源,長江存儲前身是武漢新芯,2016年7月,紫光聯(lián)合大基金共同出資,在武漢新芯的基礎(chǔ)上,創(chuàng)立長江存儲,并與中科院微電子所在3D NAND上展開合作研究。
2017年年底,長江存儲正式推出了國產(chǎn)首個真正意義上的32層 3D NAND閃存。
然而國際閃存市場競爭激烈,此時(shí)長江存儲已開始探索一條適合自己的3D NAND技術(shù),這是一條充滿未知的道路,長江存儲堅(jiān)持創(chuàng)新發(fā)展,走差異化路線,于2018年8月正式推出自家的獨(dú)門絕技Xtacking架構(gòu)。
首款采用Xtacking架構(gòu),密度與業(yè)界96層看齊,具有一定成本優(yōu)勢的64層堆棧式閃存則是長江存儲真正意義上面向市場推出的“處女作”,自2019年第三季度起實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。
傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中,外圍電路約占芯片面積的20~30%,降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高,外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking技術(shù)將外圍電路置于存儲單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。
采用Xtacking,可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝,以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。
存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互聯(lián)通道)將兩片晶圓鍵合接通電路,而且只增加了有限的成本。
長江存儲始終與國際水平差一代的距離,如果還跟著別人后面跑,任何市場上實(shí)現(xiàn)不了商業(yè)化就只有死路一條,所以長江存儲做出了一個近乎瘋狂的舉措:決定直接跳過96層堆棧閃存的研發(fā),直接向128層的堆棧上探索。
2020年4月,長江存儲搶先推出了128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070。目前長江存儲的技術(shù)已經(jīng)處于全球一流的水準(zhǔn),下一步就是解決產(chǎn)能的問題。
楊士寧介紹,Xtacking主要具有四方面優(yōu)勢:一是速度快,具有更好的性能表現(xiàn);二是工藝更結(jié)實(shí);三是成本可控,因?yàn)槊芏雀撸凰氖蔷哂懈叩撵`活性。
與國際存儲大廠相比,長江存儲表示,公司用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。長江存儲3年完成了他們6年走過的路,楊士寧直言,長江存儲不做最后一名,爭取公司的下一代產(chǎn)品能夠達(dá)到行業(yè)前沿。
楊士寧在會上提到,買優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)存儲產(chǎn)品,要認(rèn)準(zhǔn)“Xtacking?”商標(biāo),有這個商標(biāo)才有真正的國產(chǎn)閃存芯片。
另外,據(jù)楊士寧介紹,今年8月,Xtacking還成立了生態(tài)聯(lián)盟,目前已有20多家廠商和100多款產(chǎn)品加入了這個生態(tài)圈。
最后,楊士寧總結(jié)到,長江存儲將繼續(xù)以創(chuàng)新技術(shù)為底蘊(yùn),在創(chuàng)新這條道路上堅(jiān)持走下去,有Xtacking平臺的依托,公司在國際和國內(nèi)方面的合作會更開放。
“長江存儲的研發(fā)走的太快了,領(lǐng)導(dǎo)要我走慢一點(diǎn)”楊世寧在會上笑談到。最后,他談到,長江存儲近三年每年的產(chǎn)值要增加10倍,目前在這個趨勢上突飛猛進(jìn)。
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