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深科技打破國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)M(jìn)口產(chǎn)品的依賴和技術(shù)壁壘

lhl545545 ? 來源:集微網(wǎng) ? 作者:楊雪嬌 ? 2020-11-02 09:05 ? 次閱讀
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11月1日,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司新增對(duì)外投資,被投資企業(yè)為合肥沛頓存儲(chǔ)科技有限公司(下稱“沛頓存儲(chǔ)”),出資9.5億人民幣,占比達(dá)31%。

深科技全資子公司沛頓科技與大基金二期、合肥經(jīng)開投創(chuàng)以及關(guān)聯(lián)方中電聚芯簽署《投資協(xié)議》,共同出資設(shè)立沛頓存儲(chǔ),注冊(cè)資本30.6億元。

其中,沛頓科技、大基金二期、合肥經(jīng)開投創(chuàng)和中電聚芯分別現(xiàn)金出資17.1億元、9.5億元、3億元和1億元,各持有沛頓存儲(chǔ)55.88%、31.05%、9.8%和3.27%股權(quán)。

沛頓存儲(chǔ)成立后,將投建存儲(chǔ)先進(jìn)封測(cè)與模組制造項(xiàng)目,該項(xiàng)目總投資30.67億元,其中建設(shè)投資29.65億元,建設(shè)周期36個(gè)月。

其中,將主要建設(shè)DRAM存儲(chǔ)芯片封裝測(cè)試業(yè)務(wù),計(jì)劃全部達(dá)產(chǎn)后月均產(chǎn)能為4800萬顆;建設(shè)存儲(chǔ)模組業(yè)務(wù),計(jì)劃全部達(dá)產(chǎn)后月均產(chǎn)能為246萬條模組;建設(shè)NAND Flash存儲(chǔ)芯片封裝業(yè)務(wù),計(jì)劃全部達(dá)產(chǎn)后月均產(chǎn)能為320萬顆。

據(jù)了解,該項(xiàng)目技術(shù)來源于沛頓科技。目前,沛頓科技存儲(chǔ)芯片封裝制程采用的是當(dāng)前高端產(chǎn)品的主流技術(shù),如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系統(tǒng)級(jí)SiP封裝技術(shù)等,現(xiàn)有產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)多達(dá)16層的多晶堆疊技術(shù),最大單顆芯片容量可達(dá)到256G。

深科技表示,通過本次項(xiàng)目的實(shí)施,沛頓科技可以提升自身先進(jìn)封測(cè)綜合實(shí)力,在先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)步;同時(shí),項(xiàng)目實(shí)施可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲(chǔ)芯片封測(cè)以及DRAM內(nèi)存模組制造業(yè)務(wù),有利于打破國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)M(jìn)口產(chǎn)品的依賴和技術(shù)壁壘,加速存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程,提升國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,促進(jìn)我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
責(zé)任編輯:pj

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