據說數學家很痛恨物理學家，因為數學家辛辛苦苦推導出來的結論居然和物理學家猜出來的結論是一樣的。當然這只是一個笑話，但的確身為應用工程師的我們，很多時候需要知道的應該是一個東西是怎么來的以及它的趨勢，而不需要像科學家一樣去完全推導他們。

那讓我們來看看3W原則，如下圖所示：

保證線的中心距大于三倍線寬，就是我們通常所說的3W原則。其實嚴謹的來說，3W原則應該改成3H原則，這個H指的是走線與參考平面的距離，如圖所示，當走線達到3H時，耦合到靜態線上的邊緣場已經非常少了，大部分的電磁場被包裹在了走線與回流平面之間。

這里大家要記得一個值，當走線達到3W的時候，串擾率大約在2%左右（近端串擾）。

可能有人不禁會問了，難道我不同的W，只要符合了3W原則，他們的串擾率都差不多嗎？

沒錯，他們的串擾率還真是差不多的。當然，這是在我們平時FR4材料，阻抗控制在50歐姆的情況下。

如果W減小，兩線的實際距離變近，串擾會變大，但是要保持50歐姆阻抗，走線必須更靠近參考平面，這樣串擾會變小。一來一回之間串擾率變化是沒有多少變化的。W變大的情況同理。

記住了3W時的串擾率，我們就只要知道走線的中心距與串擾率的變化關系是多少就能對走線之間的串擾進行估值了。

中心距離變化改變的不就是兩線之間的互容與互感么？腦子里面是不是duang的冒出了一個這樣的公式：？

電容大小跟距離成反比，那是不是說距離增大一倍，串擾減小一半？

NONONO， 是平板電容的公式，但實際上我們的走線是立體的，應該是距離變成n倍，串擾變成1/n2。就像洛倫茲力與萬有引力一樣。

注意這里的距離指的都是中心距哦。

當然，實際的串擾還與損耗，反射，介電常數，耦合長度等因素有關。不過這樣的一個估算的方法也足夠應對大部分情況了。

編輯：hfy