華虹半導(dǎo)體最新推出90nm 超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)，助力大容量MCU解決方案

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司近日宣布，最新推出

90納米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式閃存（eFlash）和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）工藝平臺(tái)，滿足大容量微控制器（MCU）的需求。該工藝平臺(tái)作為華虹半導(dǎo)體 0.11微米超低漏電技術(shù)的延續(xù)，以更低的功耗和成本為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的差異化解決方案，適用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴式設(shè)備、工業(yè)及汽車電子等方面的應(yīng)用。

華虹半導(dǎo)體新近推出的 90 納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái) 1.5V核心 N 型和 P 型 MOS 晶體管漏電達(dá)到 0.2pA/μm，可有效延長(zhǎng) MCU 設(shè)備的待機(jī)時(shí)間。該平臺(tái)的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）IP 具有 10 萬(wàn)至 50 萬(wàn)次擦寫次數(shù)、讀取速度達(dá) 30ns 等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。同時(shí)邏輯單元庫(kù)集成度高，達(dá)到 400K

gate/mm2 以上，能夠幫助客戶多方面縮小芯片面積。

該工藝平臺(tái)的最大優(yōu)勢(shì)是集成了公司自有專利的分離柵 NORD 嵌入式閃存技術(shù)，在 90 納米工藝下?lián)碛心壳皹I(yè)界最小元胞尺寸和面積最小的嵌入式 NORflashIP，而且具有光罩層數(shù)少的優(yōu)勢(shì)，幫助客戶進(jìn)一步降低MCU、尤其是大容量 MCU 產(chǎn)品的制造成本。該平臺(tái)同時(shí)支持射頻（RF）、eFlash 和 EEPROM。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“公司致力于差異化技術(shù)的創(chuàng)新和不斷優(yōu)化，為客戶提供市場(chǎng)急需的、成本效益高的工藝和技術(shù)服務(wù)。在精進(jìn) 8 英寸平臺(tái)的同時(shí)，加快 12 英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能擴(kuò)充和技術(shù)研發(fā)。物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子是 MCU應(yīng)用的增量市場(chǎng)， 此次 90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)的推出，進(jìn)一步擴(kuò)大了華虹半導(dǎo)體 MCU客戶群在超低功耗的市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域的代工選擇空間。”（來(lái)源：華虹宏力）

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原文標(biāo)題：華虹半導(dǎo)體最新推出 90 nm 超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)，助力大容量 MCU 解決方案

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