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一文詳解純硬件過流保護電路

電子設計 ? 來源:電子設計 ? 作者:電子設計 ? 2020-10-12 01:26 ? 次閱讀

來源:互聯網

電源電機控制中常用到過流保護功能,這需要對電流進行采樣。

同時,如果用單片機實現檢測電流進行保護的話需要消耗大量CPU時間,因此我用硬件電路設計了一種帶自鎖功能的過流保護模塊,這對于過流保護可以實現模塊化,方便使用。

該模塊采用ACS712霍爾傳感器采集電流,可將正負過流保護值可以分開來設定,將輸出轉為0-3.3V的電壓,方便DSP采樣,最后繪制了PCB,制作了出來。

一、電流采樣電路的設計

采樣電路的比較

電流采樣電路通常有“高(壓)端電流采樣”和“低(壓)端電流采樣”和“霍爾傳感器采樣”三種采樣電路,如下圖所示,給出高端和低端兩種采樣電流形式。

低端電流采樣

高端電流采樣

1.高端電流檢測具有如下特點:

優點:可以檢測區分負載是否短路、無地電平干擾

缺點:共模電壓高,使用非專用分立器件設計較復雜、成本高、面積大

2.低端電流檢測具有如下特點:

優點:共模電壓低,可以使用低成本的普通運算放大器

缺點:檢測電流電阻的引入地電平干擾,電流越大地電位干擾越明顯,有時至會影響負載

3.霍爾傳感器采樣具有如下特點:

優點:對采樣信號進行隔離,適合大功率場合

缺點:易受到電磁干擾的作用

本設計考慮到通用型,同時整個系統電流采樣保護都與控制部分隔離的情況,采用霍爾電流傳感器ACS712進行電流采樣。

二、轉換為0-3v輸出信號調理電路的設計

ACS712采用單電源5V供電,輸出具有很好的線性度,如下圖所示。

ACS712輸出電壓與檢測的電流關系

可以看出,當檢測電流為0A時,輸出2.5V,當電流為+5A時輸出電壓3.5V,當電流為-5V時輸出為1.5V,具有很高的線性度。但是通常DSP的AD采樣量程時0-3.3V的,這就需要運行進行調理,轉換為0-3.3V之間的電壓。

(注意:由于運放是單電源5V供電,因此需要用軌對軌運放,如LMV358。)

由于ACS712輸出帶載能力有限,通常采用一級電壓跟隨提高帶載能力。之后在后級先用電阻分壓,再送入同相比較端,同相放大一倍。分壓電阻R2、R3需要先將0-5V的電壓分為0-1.5V的電壓,因此電阻比為3:7。在后級同相比例放大兩倍即為0-3V之間的電壓值。電路如下圖所示:

o4YBAF-DQC2Aa1LeAABEFPbh_34039.jpg

輸出調理電路

pIYBAF-DQC6ABeVdAABPw8ugE_Y433.jpg

調理電路仿真

三、比較及鎖存保護電路的設計

本設計的重點在于當出現過流后能自動切斷輸出,并保持切斷的狀態。這就需要對電流信號進行比較和對輸出信號進行鎖存。

本設計考慮到正負過流保護值可能不同,同時觸發器通常有兩路輸入輸出,因此設計了兩路保護電路,通過按鍵進行復位。

鎖存及復位電路的設計

下圖為比較和鎖存部分電路,用到D觸發器74HC74和電壓比較器

74HC74是一種雙D型觸發器,有設置和重置引腳,正脈沖觸發。此處直接用運放當作比較器用,需要注意的是運放通常是推挽輸出,比較器是集電極開路輸出,若換做比較器的話,需要加上拉電阻,可以實現“線與”。

o4YBAF-DQC-AatdnAAAOyJtP4hg226.jpg

比較和鎖存電路圖

74HC74的控制邏輯如下表所示,本次設計用到的小表中黃色強調部分的邏輯。當電流小于設定的過流保護值時,比較器輸出為低電平。

一旦出現過流,比較器輸出高,產生上升沿到74HC74的CP端,數據位的高電平被鎖存到輸出端Q,反相輸出端 輸出為低電平。

pIYBAF-DQDCAJ_OZAAAy6ApBM14881.jpg

74HC74邏輯圖

當復位按鍵被按下時, 為低電平有效,表現為表中綠色部分邏輯,輸出端Q為低電平,與保護時邏輯反相。

以上控制部分邏輯通過Multisim進行了仿真,其中所有的模擬量給的是通過電阻分壓給的,仿真電路如下:其中R1為模擬ACS712的輸出,R4為負過流保護設定值,R5為正過流保護設定值。

o4YBAF-DQDKATTgjAACGHJP5WZo967.jpg

控制部分邏輯仿真電路圖

外部控制信號輸入

為了方便DSP/MCU控制繼電器,如下電路實現了控制信號和兩路過流信號的“或”邏輯運算,通過Multisim仿真可以看出,只要任意開關閉合(被置為高電平),輸出變為低電平。

pIYBAF-DQDOAOIutAABRX7_OV_4622.jpg

圖4-5 外部控制端邏輯圖及Multisim仿真

四、繼電器驅動及指示部分設計

下圖為P溝道MOSFET驅動繼電器電路圖,由于74HC74輸出驅動能力有限,輸入輸出電流只有20mA,而繼電器通常要求驅動能力為100mA以上。

因此可以通過如下驅動P溝道Mosfet的方法提高帶載能力:當SAFE+、SAFE、-SD端都為低電平時,DRIVE端為高電平,Q1的GS端電位為0,MOSFET關斷;當DRIVE端為低電平時,MOSFET導通,驅動繼電器動作。

pIYBAF-DQDSATDQVAAApD9J6qIY668.jpg

繼電器及驅動電路

由于繼電器鐵芯有電感作用,因此在需要反并聯二極管續流。當關斷時,二極管導通,提供續流通道。

o4YBAF-DQDWADKxoAAAZ1zVdjJk011.jpg

狀態指示部分電路圖

審核編輯 黃昊宇

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