來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)

半導(dǎo)體是一種電導(dǎo)率在絕緣體至導(dǎo)體之間的物質(zhì)。電導(dǎo)率容易受控制的半導(dǎo)體，可作為信息處理的元件材料。從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體非常重要。如此重要的半導(dǎo)體在數(shù)量和種類(lèi)自然也是生產(chǎn)和衍生了非常多。東西一多的話，很多時(shí)候研究設(shè)計(jì)就得區(qū)分不同的半導(dǎo)體。并且不同的國(guó)家，命名方法也都是不盡相同的。那么究竟在那么多種類(lèi)的半導(dǎo)體面前，工程師們是如何區(qū)分它們的呢？

一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法

半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：

第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2－二極管、3－三極管

第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A－N型鍺材料、B－P型鍺材料、C－N型硅材料、D－P型硅材料。表示三極管時(shí)：A－PNP型鍺材料、B－NPN型鍺材料、C－PNP型硅材料、D－NPN型硅材料。

第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P－普通管、V－微波管、W－穩(wěn)壓管、C－參量管、Z－整流管、L－整流堆、S－隧道管、N－阻尼管、U－光電器件、K－開(kāi)關(guān)管、X－低頻小功率管（F3MHz，Pc1W）、A－高頻大功率管（f＞3MHz，Pc＞1W）、T－半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y－體效應(yīng)器件、B－雪崩管、J－階躍恢復(fù)管、CS－場(chǎng)效應(yīng)管、BT－半導(dǎo)體特殊器件、FH－復(fù)合管、PIN－PIN型管、JG－激光器件。

第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)

第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)

例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管

二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件

由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下：

第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類(lèi)型。0－光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1－二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3－具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類(lèi)推。

第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S－表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類(lèi)型。A－PNP型高頻管、B－PNP型低頻管、C－NPN型高頻管、D－NPN型低頻管、F－P控制極可控硅、G－N控制極可控硅、H－N基極單結(jié)晶體管、J－P溝道場(chǎng)效應(yīng)管、K－N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M－雙向可控硅。

第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。兩位以上的整數(shù)－從“11”開(kāi)始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào)；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。

第五部分：用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。

三、美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法

美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：

第一部分：用符號(hào)表示器件用途的類(lèi)型。JAN－軍級(jí)、JANTX－特軍級(jí)、JANTXV－超特軍級(jí)、JANS－宇航級(jí)、（無(wú)）－非軍用品。

第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1－二極管、2＝三極管、3－三個(gè)pn結(jié)器件、n－n個(gè)pn結(jié)器件。

第三部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)標(biāo)志。N－該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)登記。

第四部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字－該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。

第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄－同一型號(hào)器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管，JAN－軍級(jí)、2－三極管、N－EIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251－EIA登記順序號(hào)、A－2N3251A檔。

四、 國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法

德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家，大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號(hào)及意義如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A－器件使用材料的禁帶寬度Eg＝0．6～1．0eV 如鍺、B－器件使用材料的Eg＝1．0～1．3eV 如硅、C－器件使用材料的Eg＞1．3eV 如砷化鎵、D－器件使用材料的Eg＜0．6eV 如銻化銦、E－器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的類(lèi)型及主要特征。A－檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、B－變?nèi)荻O管、C－低頻小功率三極管、D－低頻大功率三極管、E－隧道二極管、F－高頻小功率三極管、G－復(fù)合器件及其他器件、H－磁敏二極管、K－開(kāi)放磁路中的霍爾元件、L－高頻大功率三極管、M－封閉磁路中的霍爾元件、P－光敏器件、Q－發(fā)光器件、R－小功率晶閘管、S－小功率開(kāi)關(guān)管、T－大功率晶閘管、U－大功率開(kāi)關(guān)管、X－倍增二極管、Y－整流二極管、Z－穩(wěn)壓二極管。

第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。三位數(shù)字－代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、一個(gè)字母加二位數(shù)字－表示專(zhuān)用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。

第四部分：用字母對(duì)同一類(lèi)型號(hào)器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄－表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。

除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類(lèi)。常見(jiàn)后綴如下：

1、穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1％、±2％、±5％、±10％、±15％；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱(chēng)穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點(diǎn)，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱(chēng)穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。

2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。

如：BDX51－表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S－表示PNP鍺高頻小功率三極管。

五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法

歐洲有些國(guó)家，如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。

第一部分：O－表示半導(dǎo)體器件

第二部分：A－二極管、C－三極管、AP－光電二極管、CP－光電三極管、AZ－穩(wěn)壓管、RP－光電器件。

以上就是大多數(shù)的半導(dǎo)體的分類(lèi)方法了，不知道你記住了沒(méi)有？

本文部分來(lái)自于電子工程網(wǎng)。

審核編輯 黃昊宇