Dialog半導體已將其導電橋接電阻RAM非易失性存儲器（NVM）技術(shù)授權(quán)給Globalfoundries，但生產(chǎn)計劃要等到2022年。

Globalfoundries公司計劃在2022年將CBRAM作為其22FDX絕緣體上硅22nm制造工藝的嵌入式NVM選項，并計劃將該方案擴展到其他制程。

Facebook首席人工智能科學家Yann LeCun表示， ReRAM技術(shù)是嵌入式人工智能的一項關(guān)鍵技術(shù)。CBRAM可在惡劣的環(huán)境下工作，可用在物聯(lián)網(wǎng)、5G連接、人工智能、消費者、醫(yī)療以及某些工業(yè)和汽車應(yīng)用上。

內(nèi)存只需要在邏輯過程中添加一個掩碼層，但目前還不清楚為什么這個技術(shù)需要如此長的時間才能投入生產(chǎn)。Dialog聲稱，由于它是一種“后端”技術(shù)，因此能夠相對容易地集成到技術(shù)節(jié)點中。

CBRAM由Adesto技術(shù)公司開發(fā)，其原理是基于銅離子通過非晶二氧化硅的運動，以形成交叉點的絲狀橋接開關(guān)。此技術(shù)于2020年9月通過對Adesto的收購轉(zhuǎn)給了Dialog。

Adesto成立于2006年，他們計劃開發(fā)一種基于Axon Technologies Corp.許可的非易失性存儲器。Axon Technologies是亞利桑那州立大學（Arizona State University）的附屬公司。該公司是眾多競爭對手中唯一將ReRAM推向市場的公司之一，盡管基于該技術(shù)的產(chǎn)品銷售有些困難，也使用了其他更傳統(tǒng)的NVM技術(shù)。Dialog半導體負責企業(yè)發(fā)展高級副總裁Mark Tyndall表示：“該協(xié)議不僅為行業(yè)帶來了最先進的技術(shù)，還為Dialog下一代系統(tǒng)芯片采用前沿的CBRAM技術(shù)創(chuàng)造了機會。”

通過IP定制，客戶可以通過修改CBRAM單元來優(yōu)化SoC設(shè)計，增強安全性，甚至為新的應(yīng)用程序調(diào)整單元。
編輯：hfy