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中芯國際的N+1代工藝已進入客戶導入階段,2021年進入量產

如意 ? 來源:21ic中國電子網 ? 作者:21ic中國電子網 ? 2020-09-22 15:41 ? 次閱讀

華為被禁之后,***成了半導體企業關注的重點。作為中國最大,技術最先進的半導體代工廠家,中芯國際被寄予厚望。

近日有媒體報道稱,在大規模量產14nm工藝后,中芯國際的N+1代工藝已經進入客戶導入階段,可望于2021年進入量產。

對此,中芯國際回應稱,該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產,第二代FinFET N+1工藝已經進入客戶導入階段,可望于2020年底小批量試產。

在沒有使用EUV***的情況下,中芯國際實現了14nm以下的先進制造工藝,不能不說是一個突破性進展。

據了解,中芯國際目前在國內四個城市擁有多家晶圓廠,分別是上海的8英寸晶圓廠和12英寸晶圓廠,北京亦莊的12英寸晶圓廠一期和二期,天津和深圳各有一座8英寸晶圓廠。

作為一家純代工企業,中芯國際目前可以向全球客戶提供從0.35微米到14納米工藝的代工生產服務,同時,還可以為客戶提供從生產、封裝到測試的一體化全方位晶圓代工解決方案。目前,中芯國際的工藝技術主要分為三類:先進邏輯技術(14納米、在研的N+1代工藝等)、成熟邏輯技術(28nm,40nm ,65nm/55nm ,90nm,0.13/0.11μm,0.18μm,0.35μm等),特殊工藝(Analog&Power ,DDIC ,IGBT ,eNVM,NVM,Mixed Signal&RFMEMSIoT Solutions,Automotive等)。

21ic家注意到,在中芯國際的先進邏輯技術中,N+1代工藝是中芯國際對其第二代先進工藝的代號,但并未明確具體數字節點。不過從中芯國際透露的數據來看,其N+1代工藝比14nm工藝性能提升了20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%、SoC面積縮小55%。N+1代工藝的制程節點正在追趕7nm制程,因為從其芯片面積縮小一半這個數據來看,晶體管的集成度提升了一倍,而臺積電從14nm到7nm工藝也就提升了1倍的密度。

按照中芯國際的回應,2020年底小批量試產N+1工藝,那可以預見量產也就不遠了,高端晶圓代工的***指日可俟矣!
責編AJX

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