FinFET(鰭式場效應晶體管)在當前的晶圓代工領域可謂是大放異彩的核心技術,臺積電甚至打算一路用到3nm時代。
不過,不為認知的是,三星在過去4年的時間內,深陷FinFET專利侵權案中,直到最近才了結。
官司的原告是韓國科學技術院(KAIST),其在2001年在美國和韓國提交了FinFET技術相關專利,由韓國科學技術院與首爾大學教授Lee Jong-ho合作開發。
2016年11月29日的時候,韓國科學技術院在美國德克薩斯對三星、高通和格芯(GlobalFounderies)提起了FinFET專利侵權訴訟。據說,Intel是乖乖交過了相關“保護費”。
2018年6月和2019年2月,KAIST先后兩次起訴三星,聲稱后者生產的7nm、8nm、10nm、11nm、14nm手機應用處理器均涉侵權之列,要求4億美元賠償。今年2月,法院判令三星賠償2億美元。
目前該案已和解,和解細節不詳。
責編AJX
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