敲黑板劃重點，以下為考點：

目前主流的存儲類型包括 DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM 等。

制程工藝方面，DRMA 已經進入 20nm、18nm，NAND Flash 主流工藝為 15/16mn，NOR Flash 以 55nm、65nm 為主；EEPROM 產品的主流工藝制程已經發展到了 130nm。

應用領域方面，概括來記憶，DRAM 內存條，NAND 固態硬盤，Nor 小容量電子設備，EEPROM 攝像頭模組。

國內存儲廠商，兆易創新、聚辰股份、普冉股份、華虹、長鑫存儲、長江存儲、福建晉華……

存儲是一個相對偏冷門的行業，但并不代表市場空間少，恰恰相反，存儲占整個半導體產業的三分之一，屬于半導體領域最大的細分市場。但由于整個行業基本處于巨頭壟斷局面，上市公司數量也有限，因此引起的關注度較少。

科創板的半導體概念中，有兩家公司，一家已經上市，另一家正在排隊，聚辰股份（股票代碼：688123）和普冉股份，都是屬于存儲概念。聚辰股份主打 EEPROM，普冉股份則主打 NOR Flash 和 EEPROM。

NOR Flash 和 EEPROM 屬于眾多存儲器芯片中的兩種不同類型，但并非存儲的主力軍。除此之外，還有 DRAM、NAND Flash 等。而我們普通消費者能接觸到的存儲器，基本屬于這樣的：

不管是磁盤陣列，還是內存條，或者是固態硬盤，里面真正發揮存儲功能的，還是那一顆顆封裝好了的黑乎乎的內存顆粒。至于 DRAM、NAND Flash 的區別，則是內存顆粒中的芯片的不同結構之區別。

存儲器之所以能夠存儲數據，靠的還是芯片中的各種晶體管。與邏輯器件不同的是，邏輯器件中數量龐大的晶體管，目的是為了進行與非或的邏輯運算，而存儲器中的每個晶體管通過呈現 0 或 1 的不同狀態，來存儲數量龐大的、構成計算機語言的 01 字符串。

從半導體制程工藝角度，業界孜孜以求的高精度 nm 制程，并沒有那么顯著地在存儲領域應用，DRAM 已經進入 20nm、18nm，NAND Flash 主流工藝為 15/16mn，NOR Flash 以 55nm、65nm 為主；EEPROM 產品的主流工藝制程已經發展到了 130nm。

特別是 NAND Flash 的 3D 堆疊技術，大大緩解了存儲領域對摩爾定律的渴求。

DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM 只是集中較為主流的存儲器類型，在整個產業中，有很多讓人眼花繚亂的類型：

頭大不？

不用計較這些，圖中的藍色百分數代表著他們的市場占比，所以也就以上四種主流的存儲器（DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM）市場規模還比較大一些。

DRAM 可以說是我們俗稱的內存的代名詞，主要應用于 PC 內存、服務器、手機、圖像處理（GDDR）……DRAM 領域的主流廠商包括三星電子、SK 海力士、美光、南亞科、華邦科技等。

NAND Flash 一般用于大容量存儲，主要應用于 SSD 硬盤、智能手機、存儲卡、U 盤……行業巨頭包括三星、 KIOXIA 鎧俠（原東芝半導體存儲器部門）、西部數據、美光、英特爾、海力士等。

NOR Flash 常用于電子設備啟動時的代碼儲存，主要應用于功能機、機頂盒、USB Key、AMOLED、TDDI、汽車電子等領域，行業巨頭相對來說分散一些，兆易創新能夠排進全球前三。

EEPROM 的應用包括汽車、工業、消費電子、儀器儀表等領域。憑借其通用性、高可靠性、穩定的數據存儲、百萬擦寫次數，滿足了攝像頭模組對參數存儲的各種需求，再加上更小的功耗和較低的擦寫電流，成為智能手機攝像頭模組中首選的存儲技術。主要廠商包括 ST 意法、微芯（Microchip）、聚辰股份、安森美（ON Semiconductor）、艾普凌科（ABLIC）等。

由以上數據可見，雖然我們有了在 A 股市場股價不斷刷新高的兆易創新（股票代碼：603986），也有了新晉的聚辰股份和普冉股份，但說實話，中國的存儲器領域，實屬落后，完全被像三星、海力士等幾個巨頭肆意把持。

為什么說是肆意呢？行業有戲稱，只要三星想內存條漲價，就在廠區內點一把火……在元器件價格動蕩不定的年代，內存條成了硬通貨。

但我們也在奮起直追，前有兆易創新領頭，后有三大存儲器芯片廠商長江存儲、長鑫存儲、福建晉華捷報連連。
責任編輯：tzh