4月16日，中微半導(dǎo)體發(fā)布了上市以來(lái)第一份年報(bào)。根據(jù)年報(bào)顯示，2019年，中微半導(dǎo)體營(yíng)收19.47億，同比增長(zhǎng)18.77%，凈利潤(rùn)1.89億元，同比增長(zhǎng)107.51%，毛利率為34.93%。

5nm拿下臺(tái)積電訂單

在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，中微開發(fā)的高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國(guó)際知名客戶65nm到7nm的芯片生產(chǎn)線上；同時(shí)，中微根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求，已開發(fā)出5nm刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，中微半導(dǎo)體表示已經(jīng)獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶的批量訂單，而眾所周知，目前處于領(lǐng)先地位的首屬臺(tái)積電。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的得力助攻

在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，中微已經(jīng)開發(fā)可應(yīng)用于64層量產(chǎn)的電容性等離子體刻蝕設(shè)備，同時(shí)128關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對(duì)應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝，正在開發(fā)階段。從中微的客戶結(jié)構(gòu)來(lái)看，國(guó)內(nèi)客戶占據(jù)了中微70%左右的訂單量，而如今長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128層閃存研發(fā)成功，未來(lái)有望看到長(zhǎng)江存儲(chǔ)使用中微的刻蝕機(jī)量產(chǎn)128層閃存芯片。

MOCVD 設(shè)備技術(shù)

中微半導(dǎo)體的MOCVD設(shè)備已在全球氮化鎵基LED設(shè)備市場(chǎng)中占據(jù)領(lǐng)先地位。研發(fā)的用于制造深紫外光LED的MOCVD設(shè)備已在行業(yè)領(lǐng)先客戶端驗(yàn)證成功。用Mini LED生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備的研發(fā)工作正在有序進(jìn)行中。制造Micro LED、功率器件等需要的MOCVD設(shè)備也在開發(fā)中。

持續(xù)加大研發(fā)

從中微的公司結(jié)構(gòu)可以看出，中微的研發(fā)人員占比接近40%，研發(fā)人員的平均工資60萬(wàn)。從學(xué)歷來(lái)看，博士占比17.75%，碩士占比31.52%，大學(xué)本科占比50.22%。

從中微半導(dǎo)體的財(cái)報(bào)可以看出，2019年毛利率下降了0.57個(gè)百分點(diǎn)，中微董事長(zhǎng)尹志堯在業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上表示，這主要是雖然中微的刻蝕設(shè)備已經(jīng)達(dá)到國(guó)際同行的水平，但是但MOCVD設(shè)備的毛利率在公司設(shè)備進(jìn)入市場(chǎng)之前，由于美國(guó)和德國(guó)設(shè)備公司的激烈競(jìng)爭(zhēng)，已經(jīng)降到很低的水平。由于中微的MOCVD設(shè)備的銷售占公司銷售相當(dāng)?shù)谋壤怨镜目偯氏啾绕汀?/p>

中微半導(dǎo)體在財(cái)報(bào)中還表示，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)是技術(shù)密集型行業(yè)，牽扯眾多細(xì)分行業(yè)及學(xué)科，而且研發(fā)投入大，周期長(zhǎng)，風(fēng)險(xiǎn)高。國(guó)外領(lǐng)先的同行們?cè)谘邪l(fā)投入也相當(dāng)大，2019年應(yīng)用材料研發(fā)投入超 20 億美元，泛林半導(dǎo)體研發(fā)投入超 10 億美元，維易科研發(fā)投入近 1 億美元。中微投入占比21.81%，雖然占比高，但是投入總額與國(guó)外還相差較大，所以持續(xù)穩(wěn)定的高投入是必須的。

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