（文章來源：必優(yōu)傳感科技）

霍爾效應原理是以物理學家埃德溫霍爾命名的。1879年，他發(fā)現(xiàn)，當電流沿一個方向流動時，當引入垂直于磁場的導體或半導體時，可以在電流路徑的直角上測量電壓。

霍爾電壓可由V Hall=OB計算，其中：V Hali=電動勢(伏特)；O=靈敏度(Volts/Gauss)；B=高斯中的應用場；I=偏置電流。這一發(fā)現(xiàn)最初用于化學樣品的分類。

20世紀50年代，砷化銦半導體化合物的發(fā)展導致了第一種有用的霍爾效應磁性儀器。霍爾效應傳感器允許測量需要傳感器運動的直流或靜態(tài)磁場。在60年代，硅半導體的普及導致了霍爾元件和集成放大器的第一次組合。這導致了現(xiàn)在經典的數(shù)字輸出霍爾開關。

霍爾換能器技術的不斷發(fā)展，見證了從單元器件到雙正交排列元件的發(fā)展。這樣做是為了盡量減少霍爾電壓端子的偏移。接下來的進展帶來了四元換能器的二次型。這些單元采用四元正交排列在一個橋的結構。所有這些硅傳感器都是由雙極結半導體工藝制成的。

切換到CMOS工藝允許對電路的放大器部分實現(xiàn)斬波穩(wěn)定。這有助于通過減少運算放大器的輸入偏移誤差來減少錯誤。非斬波穩(wěn)定電路中的所有誤差都會導致數(shù)字或偏置開關點的誤差和線性輸出傳感器的增益誤差。當前一代CMOS霍爾傳感器還包括一種通過霍爾元件主動切換電流方向的方案。該方案消除了半導體霍爾元件典型的偏置誤差.它還積極補償溫度和應變引起的偏移誤差。

有源板開關和斬波穩(wěn)定器的整體效應使開關點漂移或增益和偏置誤差提高了一個數(shù)量級。Melexis只使用CMOS工藝，以獲得最佳性能和最小的芯片尺寸。霍爾效應傳感器技術的發(fā)展主要歸功于復雜信號調理的集成。電路到大廳IC。最近，Melexis公司推出了世界上第一款可編程線性霍爾集成電路，為未來的技術提供了一瞥。未來的傳感器將可編程，并有集成的微控制器核心，以制造一個更加“智能”的傳感器。它是怎么工作的？

如上圖所示，在磁場存在的情況下，霍爾IC開關是關閉的，沒有磁場。地球的磁場不會操作霍爾IC開關，但是普通的冰箱磁鐵將提供足夠的強度來驅動傳感器。
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