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意法半導體宣布收購Exagan多數股權 氮化鎵制程技術將加速開發

半導體動態 ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2020-03-10 11:22 ? 次閱讀

以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導體材料越來越受到市場重視,半導體企業正在競相加速布局。日前,意法半導體宣布已簽署收購法國氮化鎵創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。

據意法半導體介紹,Exagan成立于2014年,總部位于法國格勒諾布爾。該公司致力于推進電力電子行業從硅基技術向GaN-on-silicon技術轉變,研發體積更小、能效更高的功率轉換器。Exagan的GaN功率開關是為標準200毫米晶圓設計。

雙方的交易條款沒有對外公布,等法國政府按照慣例成交法規批準后即可完成交易。據披露,現已簽署的并購協議還規定,在多數股權收購交易完成24個月后,意法半導體有權收購剩余的Exagan少數股權。本交易將采用可用現金支付。

意法半導體表示,Exagan的外延工藝、產品開發和應用經驗將拓寬并推進意法半導體的汽車、工業和消費用功率GaN的開發規劃和業務。Exagan將繼續執行現有產品開發規劃,意法半導體將為其部署產品提供支持。

意法半導體公司總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery稱,收購Exagan的多數股權是對意法半導體目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發項目以及最近宣布的與臺積電的合作項目的補充。

據了解,2018年意法半導體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發硅基氮化鎵功率切換元件制造技術。前不久,意法半導體宣布與臺積電攜手合作加速氮化鎵(GaN)制程技術的開發,并將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場。

意法半導體汽車產品和分立器件部總裁Marco Monti曾指出,意法半導體在氮化鎵制程技術的加速開發與交付看到了龐大的商機,將功率氮化鎵及氮化鎵集成電路產品導入市場。
責任編輯:wv

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