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如何看待“新基建”對我國半導體產業的拉動作用?

張慧娟 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:張慧娟 ? 2020-03-07 10:14 ? 次閱讀

抗擊疫情的硬仗還沒打完,疫后重建的硬仗已經打響了,動力就是“新基建”。什么是“新基建”?覆蓋7大領域:5G基建、特高壓、城際高鐵和城際軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心人工智能、工業互聯網。

事實上,“新基建”并不是一個新概念,早在2018年底召開的中央經濟工作會議上就明確了5G、人工智能、工業互聯網、物聯網等“新型基礎設施建設”的定位,隨后“加強新一代信息基礎設施建設”被列入2019年政府工作報告。2020年開年的首場國務院常務會議也明確提出,大力發展先進制造業,出臺信息網絡等新型基礎設施投資支持政策,推進智能、綠色制造。

數字經濟的發展離不開5G、大數據、人工智能、云計算等新技術的支撐。這些既是基礎設施,又是新興產業,一頭連著巨大的投資與需求,一頭牽著不斷升級的消費市場,必將成為中國經濟增長的新引擎。

七大“新基建”背后的半導體機會

過去的一年,受全球貿易波動、半導體終端產品跌價、智能手機銷量逐漸飽和等因素的影響,半導體行業僅出現微弱增長,一些細分領域甚至出現負增長。但是,2020年半導體整體大環境將出現轉機,5G、新能源汽車、大數據、人工智能等七大“新基建”,將為半導體行業的復蘇帶來轉機。

首先看5G基建。自 2019 年工信部 5G 商用啟動以來,三大運營商在全國的基站建設腳步不斷加快。近來,中國移動表示今年建設30萬個5G基站的目標不變,中國聯通和中國電信將力爭前三季度完成全年25萬基站的建設目標。業界預測,2020年我國建設5G基站70萬座,2024年共建設554萬座。對半導體行業來說,除了5G通信網絡的建設為其帶來了大量的中下游的新增需求之外,也成為2020年半導體市場回暖的主要動力。

5G終端市場方面,多類型終端形態的持續推出有利于打造5G全場景新生態,終端設備市場規模今年將出現新一輪增長。根據賽迪顧問年初的預測,隨著終端市場的進一步打開,5G基帶芯片和射頻芯片等關鍵元器件的需求將大幅上升。細分環節方面,為降低終端體積、改善終端功耗,5G終端基帶芯片將持續向高集成度的SoC芯片方向發展;在央地聯動的政策引導與鼓勵下,華為海思、紫光展銳、卓勝微、中興微電子等國內企業有望切入中高端射頻芯片領域。

工業互聯網的驅動力也不容忽視,它與5G更像是“你中有我,我中有你”的狀態。不同于4G時代之前以人為本的路線,5G最根本的區別就在于工業場景。5G、邊緣計算、大數據、超高清視頻、AR/VR等先進技術有望在工業領域融合發展。工業和信息化部部長苗圩就曾指出,未來80%的5G應用場景會在工業互聯網。不過,在這個巨大的市場機遇面前,國內半導體廠商在處理器傳感器微控制器通信芯片和功率半導體等核心器件方面仍主要集中在中低端市場,模擬芯片方面幾乎被國際巨頭壟斷,這是既須正視的現實,也是努力的方向。

大數據中心、人工智能,這兩個動因將對半導體產業帶來密不可分的影響。大數據中心的建設,將加大對服務器、存儲設備、網絡設備、安全設備、光模塊等需求。基礎半導體存儲技術需要加速創新,特別是NAND和DRAM的可擴展性。存儲器生產和消費之間的差距、降低對國外存儲器件的依賴、新興應用的存儲需求等,都需要政府與企業凝力推進,為下一代存儲技術的發展做好準備。

人工智能涉及大量的數據處理任務,對于算力的巨大需求,引爆了國內半導體創業熱潮的同時也帶來新一輪彎道超車的機遇。相較于CPU一枝獨秀的年代,開放的研究生態,多樣化的技術路線,CPU、GPUFPGAASIC、類腦芯片等共同推動著AI算力的架構創新。值得一提的是,5G、IoT與AI在邊緣、端側的融合發展,將進一步推進邊緣推理半導體芯片市場規模的增長。該市場未來的競爭將更加激烈,除了計算芯片本身,在軟件工具、制程封裝、存儲、互聯、安全等方面,全棧式的能力將變得越來越重要。除了海思、紫光展銳、中星微這些資深玩家,造芯新勢力也在迅速崛起,甚至不乏阿里、百度、格力、比亞迪這樣的跨界選手。

人工智能也在推動先進制程的加速演進。據IBS預測,到2025年,全球10nm/7nm 制程硅晶圓代工出貨量將達220萬片,相比目前翻了一番。為滿足各類AI創新應用、海量數據傳輸,以及算法演進需求,芯片效能在不斷提高的同時,還必須降低成本,極紫外光(EUV)等技術未來將扮演更為關鍵的角色。

特高壓、城際交通、新能源汽車的發展,無疑將共同驅動第三代功率半導體的加速發展。在傳統電網的升級、高速列車、新能源汽車的核心動力系統中,我國發展第三代半導體得到了國家政策的支持,是我國實現產業戰略升級和低碳經濟的重要途徑,將SiC等第三代半導體材料器件用于電機驅動等環節將大幅提高功率密度并降低整體成本。迄今為止,我國已有四條4/6英寸SiC生產/中試線和三條GaN生產/中試線相繼投入使用,并在建多個與第三代半導體相關的研發中試平臺。國產化的單晶襯底、外延片所占市場份額不斷擴大,國產化的SiC二極管MOSFET開始進入市場。不過,在頭部廠商取得成績的背后,我國整體實力和產業化能力的提升,有待進一步加強。

如何看待“新基建”對半導體的拉動效應?

如何看待“新基建”的驅動效應?筆者認為,除了對經濟的拉動作用,“新基建”給了中國硬科技創新更大的發揮空間,從底層基礎技術支撐上將塑造新的國際競爭優勢。

今年是全面建成小康社會和“十三五”規劃收官之年,要努力實現全年經濟社會發展目標任務,必須發揮好有效投資關鍵作用。從拉動經濟增長需求而言,七大“新基建”勢必要挑起大梁。從疫情爆發以來,人工智能、大數據、5G等都已發揮出積極的作用,有望在疫情刺激下加速推進。

那么,又該如何看待“新基建”對我國半導體產業的影響?作為關鍵核心技術支撐,一方面,新基建將帶來大量新增需求。同時,基于自主可控的要求,“新基建”有望引導我國半導體產業進入新一輪發展周期。

2020年,國產替代會繼續成為國內半導體產業發展的主線,且主導企業可能從華為等代表企業擴大到更多的國產系統廠商,實現替代的產品也將從中低端升級到存儲、模擬、射頻等更多戰略級通用或更多量大面廣的高端產品上。

其次,除了半導體設計環節,加速建立完整、獨立自主核心技術的國產半導體工業體系是大勢所趨,需要代工、封裝、測試以及配套設備、材料等更多環節的協同發展。

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