女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

采用LFCSP和法蘭封裝的RF放大器的熱管理計算

亞德諾半導體 ? 來源:Coco_cocO ? 作者:Eamon Nash ADI公司 ? 2020-01-17 15:55 ? 次閱讀

簡介

射頻(RF)放大器可采用引腳架構芯片級封裝(LFCSP)和法蘭封裝,通過成熟的回流焊工藝安裝在印刷電路板(PCB)上。PCB不僅充當器件之間的電氣互聯連接,還是放大器排熱的主要途徑(利用封裝底部的金屬塊)。

本應用筆記介紹熱阻概念,并且提供一種技術,用于從裸片到采用LFCSP或法蘭封裝的典型RF放大器的散熱器的熱流動建模。

熱概念回顧

熱流

材料不同區域之間存在溫度差時,熱量從高溫區流向低溫區。這一過程與電流類似,電流經由電路,從高電勢區域流向低電勢區域。

熱阻

所有材料都具有一定的導熱性。熱導率是衡量材料導熱能力的標準。熱導率值通常以瓦特每米開爾文(W/mK)或瓦特每英寸開爾文(W/inK)為單位。如果已知材料的熱導率,則采用以下公式,以C/W或K/W為單位計算材料單位體積的熱阻(θ):

???? (1)

其中:

Length表示材料的長度或厚度,以米為單位。

k為材料的熱導率。

Area表示橫截面積,以m2為單位。

溫度

利用熱流量等效于電流量的類比,本身具備熱阻且支持熱流流動的材料的溫差如下:

?T = Q × θ (2)

其中:

?T表示材料不同區域之間的溫差(K或°C)。

Q表示熱流(W)。

θ表示材料的熱阻(C/W或K/W)。

器件的熱阻

器件的熱阻相當復雜,往往與溫度呈非線性關系。因此,我們采用有限元分析方法建立器件的熱模型。紅外攝影技術可以確定器件連接處的溫度和操作期間封裝的溫度。基于這些分析和測量結果,可以確定等效的熱阻。在對器件實施測量的特定條件下,等效熱阻是有效的,一般是在最大操作溫度下。

參考表1,查看典型的RF放大器的絕對最大額定值表。

表1.典型的RF放大器的絕對最大額定值

參數 額定值
漏極偏置電壓(VDD) 60 V dc
柵極偏置電壓(VGG1) -8 V至0 V dc
射頻(RF)輸入功率(RFIN) 35 dBm
連續功耗(PDISS) (T = 85°C)(85°C以上以636 mW/°C減額) 89.4 W
熱阻,結至焊盤背面(θJC) 1.57°C/W
溫度范圍
存儲 -55°C至+150°C
工作溫度 -40°C至+85°C
保持百萬小時平均無故障時間(MTTF)的結溫范圍(TJ) 225°C
標稱結溫(TCASE = 85°C,VDD = 50 V) 187°C

對于LFCSP和法蘭封裝,假定封裝外殼是封裝底部的金屬塊。

最高結溫

在給定的數據手冊中,會在絕對最大額定值表中給出每個產品的最大結溫(基于器件的半導體工藝)。在表1中,指定的維持百萬小時MTTF的最大結溫為225℃。指定的這個溫度一般適用于氮化鎵(GaN)器件。超過這個限值會導致器件的壽命縮短,且出現永久性的器件故障。

工作溫度范圍

器件的工作溫度(TCASE)已在封裝底座上給出。TCASE是封裝底部金屬塊的溫度。工作溫度不是器件周圍空氣的溫度。

如果已知TCASE和PDISS,則很容易計算得出結溫(TJ)。例如,如果TCASE=75°C,PDISS=70 W,則可以使用以下公式計算TJ:

TJ = TCASE + (θJC × PDISS)
= 75°C + (1.57°C/W × 70 W)
= 184.9°C

考量到器件的可靠性時,TJ是最重要的規格參數,決不能超過此數值。相反,如果可以通過降低PDISS,使TJ保持在最大可允許的水平之下,則TCASE可以超過指定的絕對最大額定值。在此例中,當外殼溫度超過指定的最大值85°C時,可使用減額值636 mW/°C來計算最大可允許的PDISS。例如,使用表1中的數據,當PDISS的限值為83 W時,可允許的最大TCASE為95°C。PDISS可使用以下公式計算:

PDISS = 89.4 W ? (636 mW/°C × 10°C)
= 83 W

使用此PDISS 值,可以計算得出225°C結溫,計算公式如下:

TJ = TCASE + (θJC × PDISS)
= 95°C + (1.57°C/W × 83 W) (3)

器件和PCB環境的熱模型

為了充分了解器件周圍的整個熱環境,必須對器件的散熱路徑和材料進行建模。圖1顯示了安裝在PCB和散熱器上的LFCSP封裝的截面原理圖。在本例中,裸片生熱,然后經由封裝和PCB傳輸到散熱器。要確定器件連接處的溫度,必須計算熱阻。利用熱阻與熱流,可計算得出結溫。然后將結溫與最大指定結溫進行比較,以確定器件是否可靠地運行。

在圖1中,器件連接處到散熱器的散熱路徑定義如下:

? θJA是器件連接處到封裝頂部周圍空氣的熱阻。

? θJC是連接處到外殼(封裝底部的金屬塊)的熱阻。

? θSN63是焊料的熱阻。

? θCU是PCB上鍍銅的熱阻。

? θVIACU是通孔上鍍銅的熱阻。

? θVIASN63是通孔中填充的焊料的熱阻。

? θPCB是PCB層壓材料的熱阻。

在典型電路板中,包含多個通孔和多個PCB層。在計算系統截面的熱阻時,會使用熱電路計算各個熱阻,并將串聯熱阻與并聯熱阻結合起來,以此確定器件的總熱阻。

圖1.安裝在PCB和散熱器上的LFCSP封裝的熱模型

系統的熱阻計算

對于每個散熱路徑,都使用公式1來計算其熱阻。要計算得出各個熱阻值,必須已知材料的熱導率。參見表2,查看PCB總成中常用材料的熱導率。

表2.常用PCB材料的熱導率

材料 熱導率(W/inK)
銅(Cu) 10.008
鋁(Al) 5.499
Rogers 4350 (RO4350) 0.016
FR4或G-10層壓材料 0.008
氧化鋁(Al2O3) 0.701
SN63焊料 1.270
導熱環氧樹脂 0.020
砷化鎵(GaAs) 1.501
模塑料 0.019


圖2基于圖1中所示的熱模型,顯示等效的熱電路。TPKG表示封裝底部的溫度,TSINK表示散熱器的溫度。在圖2中,假設封裝(TA)周圍的環境空氣溫度恒定不變。對于外層包有外殼的真實總成,TA可能隨著功耗增加而升高。本分析忽略了散熱路徑至環境空氣的溫度,因為對于具有金屬塊的LFCSP和法蘭封裝,θJA要遠大于θJC。

圖2.等效的熱電路

熱阻示例:HMC408LP3評估板

HMC408LP3功率放大器采用一塊0.01英寸厚,由Rogers RO4350層壓板構成的評估板。圖3所示的接地焊盤面積為0.065 × 0.065英寸,上有5個直徑為0.012英寸的通孔。電路板頂部和底部分別有1盎司鍍銅(0.0014英寸厚)。通孔采用?盎司銅進行鍍層(0.0007英寸厚)。裝配期間,會在通孔中填塞SN63焊料。分析顯示,幾乎所有的熱流都會流經焊料填塞的通孔。因此,在本分析中,余下的電路板布局都可忽略。

圖3.接地焊盤布局

各個熱阻都使用公式1計算得出。計算θSN63時,采用的SN63焊料的熱導率為1.27 W/inK,長度(或者焊接點的厚度)為0.002英寸,焊接面積為0.004225英寸(0.065英寸× 0.065英寸)。

????? (4)

接下來,以相似方式計算PCB頂部的銅鍍層的值。銅鍍層的熱導率為10.008 W/inK,長度為0.0014 英寸(1盎司銅),鍍層面積為0.00366平方英寸(in2)。

?? (5)

對于通孔上銅鍍層的面積,采用以下公式進行計算

面積 = π × (rO2 – rI2) (6)

其中:

rO表示外徑。

rI表示內徑。

外徑為0.006英寸,內徑為0.0053英寸時,計算得出的面積為0.00002485 in2。通孔的長度為板的厚度(0.01英寸),銅的熱導率為10.008 W/inK。

? (7)

因為并排存在5個通孔,所以熱阻要除以5。所以,θVIACU = 8.05°C/W。

以相似方式計算得出通孔的填塞焊料的值。

?? (8)

因為存在5個填塞通孔,所以等效熱阻為θVIASN63 = 17.85°C/W。

接下來,使用0.01英寸長度、0.016 W/inK的Rogers RO4350熱導率,以及0.00366 in2面積計算PCB的熱阻。

?? (9)

在圖2所示的等效熱電路中,三個熱阻(θPCB、θVIACU和θVIASN63)并聯組合之后為5.37°C/W。在通孔中填塞焊料之后,熱阻從8.05°C/W降低至5.37°C/W。最后,加上熱阻串聯的值,可以得出整個PCB總成的熱阻。

θASSY = θSN63 + θCU + θEQUIV + θCU = 0.372 + 0.038 + 5.37 + 0.038 = 5.81°C/W (10)

其中,θASSY表示總成的熱阻。

確定功耗

熱阻值確定后,必須確定熱流(Q)值。對于RF器件,Q的值表示輸入器件的總功率和器件輸出的總功率之間的差值??偣β拾≧F功率和直流功率。

Q = PINTOTAL ? POUTTOTAL = (PINRF + PINDC) ? POUTRF (11)

其中:

PINTOTAL表示直流功率和RF輸入功率之和。

POUTTOTAL表示器件輸出的功率,與POUTRF相同。

PINRF表示RF輸入功率。

PINDC表示直流輸入功率。

POUTRF表示傳輸至負載的RF輸出功率。

圖4.HMC408LP3功耗與輸入功率

對于HMC408LP3功率放大器,使用公式11來計算圖4中所示的PDISS的值。圖4顯示了放大器的以下特性:

? 器件消耗約4 W功率,無RF輸入信號。

? 采用RF信號時,PDISS的值由頻率決定。

? 存在某一個輸入功率,器件的功耗最低。

根據等效熱阻、θTOTAL和Q,可以使用以下公式計算得出結溫

ΔT = Q × θTOTAL (12)

θTOTAL = θASSY + θJC = 5.81 + 13.79 = 19.6°C/W (13)

對于無RF輸入功率的靜止狀態,Q = 4 W,且

?T = 4.0 × 19.6 = 78.4°C (14)

因為指定的HMC408LP3的最大結溫為150°C,所以在PDISS = 4 W時,散熱器的溫度必須≤71.6°C(也就是說,78.4°C + 71.6°C = 150°C)。

HMC408LP3功率放大器正常運行時(例如,輸入功率≤ 5 dBm),功耗小于4 W,這表示散熱器的溫度可以稍微高于71.6°C。但是,如果放大器在深度壓縮環境中工作,且輸入功率等效于15 dBm,則PDISS升高,且要求散熱器的溫度低于71.6°C。

表3.熱工作數據表

描述 單位 注釋
散熱器最高溫度 70 °C
θASSY 5.81 °C/W 從等效熱電路計算得出
θJC 13.79 °C/W 來自數據手冊
θTOTAL 19.6 °C/W 添加θASSY和θJC
Q 4.0 W
得出的結溫 148.4 °C 散熱器最高溫度 + (θTOTAL × Q);不超過數據手冊中列出的最大通道溫度


可靠性

組件的預期壽命與工作溫度密切相關。在低于最大結溫的溫度下運行可以延長器件的使用壽命。超過最大結溫會縮短使用壽命。因此,實施熱分析可以確保在預期的操作條件下不會超過指定的最大結溫。

結論

使用采用LFCSP和法蘭封裝的低結溫表貼RF功率放大器來圍裝熱阻迫使PCB不僅要充當器件之間的RF互連,還要用作導熱路徑以導走功率放大器的熱量。

因此,θJC 取代θJA,成為衡量LFCSP或法蘭封裝的重要熱阻指標。

在這些計算中,最關鍵的指標是RF放大器的結溫或通道溫度(TJ)。只要不超過最大結溫,那么其他標稱限值,例如TCASE,則可以高于限值。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 射頻
    +關注

    關注

    106

    文章

    5725

    瀏覽量

    169708
  • 封裝
    +關注

    關注

    128

    文章

    8474

    瀏覽量

    144759
  • LFCSP
    +關注

    關注

    1

    文章

    18

    瀏覽量

    14666
  • RF放大器
    +關注

    關注

    0

    文章

    30

    瀏覽量

    3700
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    Analog Devices Inc. ADL8140低噪聲放大器數據手冊

    ~DD~ ) 調節至35mA。ADL8140放大器的輸入/輸出也采用交流耦合,內部匹配為50Ω。這款放大器符合RoHS規范,采用2mm x 2mm 8引線框架芯片級
    的頭像 發表于 05-29 14:05 ?78次閱讀
    Analog Devices Inc. ADL8140低噪聲<b class='flag-5'>放大器</b>數據手冊

    Analog Devices Inc. ADL8108低噪聲放大器數據手冊

    。ADL8108放大器提供穩健的輸入和輸出匹配,阻抗為50Ω 。這些放大器采用16引線 LFCSP緊湊型封裝,專為在高頻環境中實現熱效率和可
    的頭像 發表于 05-27 14:47 ?106次閱讀
    Analog Devices Inc. ADL8108低噪聲<b class='flag-5'>放大器</b>數據手冊

    HMC480 InGaP HBT增益模塊放大器,采用SMT封裝,DC-5GHz技術手冊

    HMC480ST89(E)是一款InGaP HBT增益模塊MMIC SMT放大器,在DC至5 GHz的頻率下工作,采用行業標準SOT89封裝。 該放大器能夠用作可級聯50 Ohm
    的頭像 發表于 03-20 13:54 ?250次閱讀
    HMC480 InGaP HBT增益模塊<b class='flag-5'>放大器</b>,<b class='flag-5'>采用</b>SMT<b class='flag-5'>封裝</b>,DC-5GHz技術手冊

    HMC342LC4低噪聲放大器采用SMT封裝,13-25GHz技術手冊

    HMC342LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器,采用符合RoHS標準的無引腳4x4 mm SMT封裝。 該放大器的工作頻率范圍為13至25 GHz,
    的頭像 發表于 03-20 09:21 ?218次閱讀
    HMC342LC4低噪聲<b class='flag-5'>放大器</b>,<b class='flag-5'>采用</b>SMT<b class='flag-5'>封裝</b>,13-25GHz技術手冊

    HMC341LC3B低噪聲放大器,采用SMT封裝,21-29GHz技術手冊

    HMC341LC3B是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該放大器的工作頻率范圍為21至29 GHz,
    的頭像 發表于 03-19 16:17 ?268次閱讀
    HMC341LC3B低噪聲<b class='flag-5'>放大器</b>,<b class='flag-5'>采用</b>SMT<b class='flag-5'>封裝</b>,21-29GHz技術手冊

    HMC1087F10 8W GaN法蘭貼裝MMIC功率放大器技術手冊

    HMC1087F10是一款8W氮化鎵(GaN) MMIC功率放大器,工作頻率范圍為2至20 GHz,采用10引腳法蘭貼裝封裝。 該放大器通常
    的頭像 發表于 03-19 15:13 ?260次閱讀
    HMC1087F10 8W GaN<b class='flag-5'>法蘭</b>貼裝MMIC功率<b class='flag-5'>放大器</b>技術手冊

    HMC1086F10 25W GaN MMIC功率放大器技術手冊

    HMC1086F10是一款25W氮化鎵(GaN) MMIC功率放大器,工作頻率范圍為2至6 GHz,采用10引腳法蘭貼裝封裝。 該放大器通常
    的頭像 發表于 03-19 15:05 ?279次閱讀
    HMC1086F10 25W GaN MMIC功率<b class='flag-5'>放大器</b>技術手冊

    RF3932D寬帶放大器現貨庫存RF-LAMBDA

    制造工藝,RF3932D高性能放大器在單一放大器設計中實現在寬頻率范圍內的高效化和平整增益值。RF3932D是款前所未有的GaN晶體管,選用法蘭
    發表于 01-22 09:03

    高頻功率放大器設計流程

    高頻功率放大器是無線通信系統中的關鍵組件,負責將低功率信號放大到足夠的功率水平,以便在無線信道中傳輸。設計一個高頻功率放大器需要考慮多個因素,包括頻率范圍、功率輸出、效率、線性度和熱管理
    的頭像 發表于 10-29 14:49 ?1082次閱讀

    高頻功率放大器熱管理措施

    在現代電子設備中,高頻功率放大器(HPA)是實現信號放大的關鍵組件。然而,隨著功率的增加,HPA產生的熱量也隨之增加,這不僅影響設備的性能,還可能導致設備損壞或故障。因此,對HPA進行有效的熱管理
    的頭像 發表于 10-29 14:40 ?531次閱讀

    如何使用LMG1210優化RF放大器性能

    電子發燒友網站提供《如何使用LMG1210優化RF放大器性能.pdf》資料免費下載
    發表于 09-19 11:14 ?1次下載
    如何使用LMG1210優化<b class='flag-5'>RF</b><b class='flag-5'>放大器</b>性能

    互阻放大器采用什么反饋

    互阻放大器(TIA)采用的反饋方式主要是 并聯-并聯反饋 ,也稱為電流混合電壓采樣拓撲結構。在這種反饋結構中,輸入信號是電流信號,輸出信號為電壓信號。具體來說,互阻放大器的反饋機制通過反饋電阻(或
    的頭像 發表于 09-05 14:38 ?729次閱讀

    誤差放大器的輸出電壓如何計算?

    運放供電是單電源的,+12V,GND. 請問這個誤差放大器的,輸出電壓怎么計算
    發表于 08-30 13:29

    單級小信號 RF 放大器設計

    本文要點小信號RF放大器的用途。用于小信號RF放大器的分壓器晶體管偏置電路。單級小信號RF放大器
    的頭像 發表于 08-30 12:20 ?684次閱讀
    單級小信號 <b class='flag-5'>RF</b> <b class='flag-5'>放大器</b>設計

    LM358在多放大器封裝中,如何處理任何未使用的放大器?

    如果您的設計使用多放大器封裝(雙通道、四通道),您可能會發現某些放大器未使用。在這種情況下,應該怎么辦?
    發表于 08-05 08:18