近日,據(jù)外媒報道,長鑫存儲正式宣布其成為了國內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應商。
長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動,專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn),并通過專用研發(fā)線快速迭代研發(fā),結合當前先進設備大幅度改進工藝,開發(fā)出了獨有的技術體系。長鑫內(nèi)存自主制造項目總投資1500億元,將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm工藝級8Gb DDR4內(nèi)存芯片,并獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。
該晶圓廠每月產(chǎn)量為20000晶圓,到2020年第二季度這一速度會提升到40000晶圓/月,大概能占到全球內(nèi)存產(chǎn)能的3%。
目前長鑫存儲國內(nèi)唯一的競爭對手是清華紫光,它計劃于2021年在重慶建成研發(fā)中心和DRAM晶圓廠,距離量產(chǎn)還要3-5年時間。
就在前幾天,長鑫存儲技術有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢達開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議,長鑫收獲大量原奇夢達內(nèi)存專利。
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