什么是半導體探測器

半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似，故又稱固體電離室。半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號。常用半導體探測器有 P-N結型半導體探測器、 鋰漂移型半導體探測器和高純鍺半導體探測器。詞條詳細介紹了上述三種半導體探測器的原理、特點、工作條件等等。

半導體探測器的工作原理

半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號 。

我們把氣體探測器中的電子－離子對、閃爍探測器中被 PMT第一打拿極收集的電子 及半導體探測器中的電子－空穴對統稱為探測器的信息載流子。產生每個信息載流子的平均能量分別為30eV（氣體探測器），300eV（閃爍探測器）和3eV（半導體探測器）。

半導體探測器應用領域

隨著科學技術不斷發展需要，科學家們在鍺鋰Ge（Li）、硅鋰Si（Li）、高純鍺HPGe、金屬面壘型等探測器的基礎上研制出許多新型的半導體探測器，如硅微條、Pixel、CCD、硅漂移室等，并廣泛應用在高能物理、天體物理、工業、安全檢測、核醫學、X光成像、軍事等各個領域。世界各大高能物理實驗室幾乎都采用半導體探測器作為頂點探測器。美國費米實驗室的CDF和D0，SLAC的B介子工廠的BaBar實驗，西歐高能物理中心（CERN）LEP上的L3，ALEPH，DELPHI，OPAL，正在建造的質子-質子對撞機LHC上的ATLAS，CMS及日本的KEK，德國的HARA、HARB及Zeus等。ATLAS和CMS還采用了硅微條探測器代替漂移室作為徑跡測量的徑跡室。近些年高能物理領域所有新的物理成果，無不與這些高精度的具有優良性能的先進探測器密切相關。