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激光雷達應用對激光的需求

MEMS ? 來源:MEMS ? 2019-11-30 07:52 ? 次閱讀

【編者按】麥姆斯咨詢整理了宜普電源轉換公司(EPC)首席執行官Alex Lidow公開發表的關于GaN功率器件原理、應用及優勢的理解,為讀者奉獻一系列文章。在本系列文章中,將討論一些新興應用如何利用GaN功率器件的優勢實現終端產品差異化。

如何使用eGaN FET實現看得更遠、更清晰、成本更低的超高速、高功率激光驅動器

在本系列的第一篇文章中,討論了低壓硅上氮化鎵(GaN-on-Silicon)功率器件如何實現許多新應用,如激光雷達(LiDAR)、包絡跟蹤和無線充電。在這篇文章中,我們將更詳細地探討其中一項先進應用:激光雷達。文中將展示如何使用GaN材料來制造看得更遠、分辨率更高、成本更低的激光雷達系統。

激光雷達應用對激光的需求

據麥姆斯咨詢介紹,激光雷達(LiDAR)屬于一種遙感技術,它將脈沖光從傳感器中發射出去,通過測量反射回來的時間確定物體的位置和距離。如果用激光作為光源,即使在距離遠的地方,也能測量出小光斑的距離。當與光學操縱系統結合時,則通過對物體的掃描實現距離測量,并在三維空間中映射出探測對象,如圖1所示。

圖1:激光雷達工作原理示意圖

對于自動駕駛和輔助駕駛等應用,激光雷達系統充當車輛的“眼睛”,需要短至幾納秒甚至更短時間的脈沖來實現必要的距離分辨率。脈沖通常由激光二極管產生。為實現遠距離探測,需要很高的激光峰值功率,這意味著激光二極管電流峰值為10~100A。目前的技術離不開復雜的電路設計和昂貴的稀有半導體

GaN用于激光雷達的優勢

用于激光雷達的典型脈沖激光驅動器一般使用半導體開關與激光、電源串聯,其性能受雜散電感和半導體功率開關速度的限制。在過去的十年中,具有成本效益的氮化鎵功率場效應晶體管(GaN FET)和集成電路(IC)已經進入市場,其電感和開關性能指標(FOMs)相比同類硅基金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)高10倍。

隨著增強型氮化鎵功率場效應晶體管(eGaN FET)和IC的出現,激光雷達所要求的性能變得簡單可行,同時還能實現尺寸減小和成本降低的目的。三款用于激光雷達的場效應晶體管有EPC2036、EPC2016C和EPC2001C,如圖2所示。與過去的硅基MOSFET技術相比,eGaN FET的性能有了大幅提高。在相同的峰值電流水平,后者的轉換速度更快,確保電流高于100A,脈沖寬度小于2ns,不過目前無法同時滿足!GaN的超高性能,電感極低的芯片級封裝使eGaN FET成為脈沖激光驅動器的理想開關。

圖2:最受激光雷達系統歡迎三款的eGaN FET:EPC2036、EPC201C和EPC2001C

如何實現超高速、大功率激光驅動器

最簡單常見的激光驅動器是諧振電容放電驅動器,如圖3所示。Q1通過雜散電感L1和激光器DL對電容C1諧振放電。為了克服電感L1,達到所需的快速電流上升時間,C1被充電到相對較高的電壓(通常為25V~150V)。Q1必須能夠承受該電壓,傳導峰值電流,并在1ns或更少的時間內打開。eGaN FET是目前唯一能夠滿足上述要求且性價比高的半導體開關。

圖3:激光驅動器的關鍵波形簡單示意圖

激光驅動器EPC9126和EPC9126 HC演示系統采用EPC功率轉換應用中推薦的基本最優布局原則,以達到電感最小化。EPC9126配備了EPC2016C,可產生35個寬度小于4ns的脈沖,形成三結激光器。EPC9126 HC能產生電流高至65A、寬度小于8ns的脈沖。兩個驅動器內置關鍵波形傳感功能,并可以容納多組激光器。

圖4:EPC9126激光驅動器演示版以及波形測量示意圖

為了獲得最佳性能,印刷電路板(PCB)可以根據激光器進行優化,并與高性能柵極驅動器(如德州儀器的LMG1020)配合。使用低電感表面貼裝激光器,如Excelitas公司的TPGAD1S09H,EPC2016C可以實現26A、1.8ns的脈沖(圖5)。對于極高峰值功率(>4kW),200V的EPC2047的脈沖電流額定值為160A,用相同的驅動器和激光器可實現8ns、155A的脈沖(圖6)。

圖5:EPC2016C搭配德州儀器驅動器LMG1020和Excelitas表面貼裝激光器TPGAD1S09H

圖6:EPC2047搭配德州儀器驅動器LMG1020和Excelitas表面貼裝激光器TPGAD1S09H

已通過車規級認證

對于汽車激光雷達應用,EPC已經發布通過AEC-Q101認證的幾款產品,其中EPC2202在額定電壓為80V時脈沖電流為75A,EPC2212在額定電壓為100V時脈沖電流為75A,EPC2203在額定電壓為80V時脈沖電流為17A。EPC2202、EPC2212與EPC2016C的面積相同,EPC2203與EPC2036的面積相同。此外,還有更多為激光雷達設計的場效應晶體管和IC正在進行車規級認證。

結論

GaN功率晶體管的卓越性能為激光驅動器帶來了突破性進展。在幾平方毫米面積上產生幾納秒的大電流脈沖,提供數百瓦的功率,令人驚嘆!這為激光雷達行業里倡導的價格適中、尺寸更小、性能更高的技術革命注入了“能量”!

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原文標題:宜普電源(EPC)談GaN功率器件技術及應用(三):激光雷達

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