女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

世紀(jì)金光研制成功碳化硅6英寸單晶并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn) 將持續(xù)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來(lái)源:亦莊時(shí)訊 ? 作者:佚名 ? 2019-11-09 11:32 ? 次閱讀

一輛新能源汽車(chē)、一組高能效服務(wù)器電源,核心功能的實(shí)現(xiàn)都離不開(kāi)電力電子系統(tǒng)中半導(dǎo)體器件的支撐。碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,具有低能耗、體積小、重量輕等特點(diǎn),國(guó)際上都在競(jìng)相研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日,記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“世紀(jì)金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn),研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,與第一代半導(dǎo)體材料硅(Si)相比,擁有更加優(yōu)異的物理化學(xué)特性,使得碳化硅器件能降低能耗20%以上、減少體積和重量30%-50%,降低碳排放量20%以上,實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效化、小型化、輕量化和低耗化。因此,碳化硅電力電子器件將廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、通訊雷達(dá)和航空航天等重要國(guó)民經(jīng)濟(jì)和軍工領(lǐng)域。國(guó)際上部分國(guó)家在該領(lǐng)域起步早,6英寸碳化硅襯底已經(jīng)量產(chǎn),8英寸已研制成功。而國(guó)內(nèi),以4英寸為主,6英寸尚處在攻關(guān)階段。

世紀(jì)金光早在2010年落戶(hù)經(jīng)開(kāi)區(qū)時(shí)就開(kāi)始進(jìn)行第三代半導(dǎo)體的研究研發(fā)工作?!爸萍s碳化硅襯底發(fā)展的根本原因是質(zhì)量和成本。”世紀(jì)金光相關(guān)負(fù)責(zé)人說(shuō),為了解決行業(yè)難題,世紀(jì)金光研發(fā)團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出新的晶體生長(zhǎng)與晶片加工技術(shù),提高晶片的出片率,降低成本50%以上,壓低國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品的價(jià)格;通過(guò)改造創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)了6英寸晶體生產(chǎn)的技術(shù)突破,縮短了與國(guó)外的差距。近幾年來(lái),世紀(jì)金光創(chuàng)新性地解決了高純碳化硅粉料提純技術(shù)、6英寸碳化硅單晶制備技術(shù)、高壓低導(dǎo)通電阻碳化硅SBD、MOSFET材料、結(jié)構(gòu)及工藝設(shè)計(jì)技術(shù)等。目前已完成從碳化硅功能材料生產(chǎn)、功率元器件和模塊制備、行業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā)和解決方案提供等關(guān)鍵領(lǐng)域的全面布局。

依托在碳化硅領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)與儲(chǔ)備,世紀(jì)金光碳化硅6英寸單晶生產(chǎn)已經(jīng)研制成功并實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn);自主設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的功率元器件和模塊制備覆蓋碳化硅肖特基二極管(SBD)、金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),全橋、半橋混合功率模塊及全碳化硅功率模塊,已大批量應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域。在應(yīng)用中高效化、小型化、輕量化和低耗化等特性顯現(xiàn)出來(lái),在光伏行業(yè),主要應(yīng)用的分布式光伏逆變器,可使逆變器峰值效率達(dá)到99%以上,自身功率損耗降低70%以上,體積減小1/5以上。在高性能服務(wù)器電源行業(yè),主要為應(yīng)用的SBD產(chǎn)品,可使系統(tǒng)效率提升至超過(guò)99%。

據(jù)世紀(jì)金光相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹,為了持續(xù)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用,將以產(chǎn)學(xué)研用為基礎(chǔ),加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新,與行業(yè)典型客戶(hù)在產(chǎn)品應(yīng)用、聯(lián)合開(kāi)發(fā)、技術(shù)交流、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新等多個(gè)層面進(jìn)行深度合作,將核心關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行“強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合”。還將成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和聯(lián)合應(yīng)用中心,加強(qiáng)戰(zhàn)略合作,共同推動(dòng)基于第三代半導(dǎo)體功率器件在新能源汽車(chē)、充電樁、光伏、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用。
責(zé)任編輯:wv

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28569

    瀏覽量

    232411
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    全球最大碳化硅工廠頭銜易主?又有新8英寸碳化硅產(chǎn)線投產(chǎn)!

    ,同時(shí)也涵蓋部分氮化鎵外延生產(chǎn)。 ? 進(jìn)入2024年下半年,在過(guò)去幾年時(shí)間里全球各地投資的8英寸碳化硅產(chǎn)線也開(kāi)始逐步落地投入使用,在英飛凌之外,近期半導(dǎo)體、安森美等也有8
    的頭像 發(fā)表于 08-12 09:10 ?4369次閱讀

    全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

    的破產(chǎn)不僅是企業(yè)的失敗,更是美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略失誤的縮影。其核心問(wèn)題體現(xiàn)在個(gè)維度: 技術(shù)迭代停滯與成本失控 長(zhǎng)期依賴(lài)6英寸晶圓技術(shù),8英寸
    的頭像 發(fā)表于 05-21 09:49 ?261次閱讀
    全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>崛起

    12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近日,由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動(dòng)化解決方案,大幅降低損耗,提升加工速度,推進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?1819次閱讀

    晶盛機(jī)電:6-8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)批量出貨

    端快速實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)突破,公司8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售,12英寸軸減薄拋光機(jī)拓
    的頭像 發(fā)表于 02-22 15:23 ?1037次閱讀

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1040次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,掌握其可靠性測(cè)試方法,對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    高純碳化硅粉體合成方法

    ? 本文介紹了半導(dǎo)體材料碳化硅的性能、碳化硅單晶生長(zhǎng)以及高純碳化硅粉體的合成方式。 在科技飛速發(fā)展的今天,半導(dǎo)體材料領(lǐng)域正經(jīng)歷著一場(chǎng)深刻的變
    的頭像 發(fā)表于 12-17 13:55 ?793次閱讀

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車(chē)市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?723次閱讀

    碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測(cè)技術(shù)

    碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢(shì)碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,相較于傳統(tǒng)硅基器件,展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿電壓以及高功率密度特性。這些特性
    的頭像 發(fā)表于 12-06 17:25 ?1284次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測(cè)技術(shù)

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì),且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?1230次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>和氮化鎵介紹

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?3906次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底,進(jìn)化到12<b class='flag-5'>英寸</b>!

    納微半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證

    納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車(chē)規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFETs。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列經(jīng)過(guò)精心優(yōu)化
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:08 ?694次閱讀

    基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國(guó)際光伏展

    產(chǎn)品,吸引逾50萬(wàn)專(zhuān)業(yè)觀眾參與。 基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 06-15 09:20 ?1126次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>攜多款<b class='flag-5'>碳化硅</b>新品精彩亮相2024 SNEC國(guó)際光伏展

    納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

    納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)第三代快速(G3F)
    的頭像 發(fā)表于 06-11 16:24 ?1280次閱讀

    納微正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列

    氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-11 15:46 ?1013次閱讀