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三星860QVO評測 讀寫速度和市面上主流的SATA3接口TLC固態硬盤基本相當

454398 ? 來源:wv ? 作者: IT168 ? 2019-09-15 13:54 ? 次閱讀

與傳統的機械硬盤相比,固態硬盤有著速度快、重量輕、功耗低等優點,可謂是當下裝機中的必需品。雖然固態硬盤的優勢很多,但缺點也不少,例如“容量低”和“價格高”就是阻礙固態硬盤進一步普及的原因,很多用戶在有限的預算下為了兼顧速度和大容量存儲,只能選擇小容量固態硬盤于機械硬盤組合搭配的折中方案。

多年來的閃存顆粒的演變致力于平衡這個問題,從早期的Single-Level Cell顆粒(以下簡稱SLC)、到Multi-Level Cell顆粒(以下簡稱MLC),再到現在的主流Trinary-Level Cell顆粒(以下簡稱TLC),閃存顆粒中每個Cell所存儲的bit數量越來越大,每GB的價格也越來越低。當然這也有副作用,更繁瑣的尋址會加速顆粒老化和同容量下更低的性能,所以每次新一代閃存顆粒面世時都會引起廣大用戶的爭論。

當市場中“TLC黨”和“MLC黨”還在爭論的時候,三星存儲發布了一款2.5英寸SATA接口的860 QVO固態硬盤,這是三星首款QLC顆粒的消費級固態硬盤,直接1TB起步、另有2TB和4TB可選,官方宣傳持續讀取速度高達550MB/s,持續寫入速度520MB/s,4K隨機讀寫(QD32)性能達到96K和86K IOPS,兼顧大容量與高性能。下面我們就通過幾項測試來看看這款產品的實際體驗如何!

一.外觀賞析和機身拆解

三星860QVO的外包裝和860EVO相似,延續了簡潔、大氣的設計風格。QVO的產品后綴則表明了這是一款采用QLC顆粒的產品。

硬盤外殼由全金屬打造,表面經過了磨砂處理,非常具有質感。

標準的SATA3接口和電源供電接口。

拆開外殼,我們可以看到硬盤內部,860QVO的PCB板可以用“短小精悍”來形容。

主控、NAND閃存顆粒和緩存焊在了PCB板正面。

一顆64層堆疊的4bit QLC NAND芯片,容量為1TB,質保壽命為3年或360TBW,約為860EVO的一半,從理論上來講應付日常使用綽綽有余。

影響固態硬盤性能的除了閃存顆粒以外,主控也非常重要。三星860QVO采用了和860EVO同款的MJX主控,這款主控飽受市場考驗,穩定性和性能都有保障。

1GB LPDDR4緩存,用于輔助提高讀寫速度。

背部的PCB預留了一個空焊位,2TB版本的860QVO會在1TB版的基礎上多一顆64層堆疊的4bit QLC NAND芯片。

二.測試平臺介紹

進行硬盤性能測試前,先簡單介紹一下測試平臺的軟硬件。

Intel 酷睿i9-9900K搭配了華碩ROG MAXIMUS XI GENE使用,華碩ROG MAXIMUS XI GENE采用Z390芯片組,10相CPU核心供電和2相Uncore供電,并擁有極強的拓展性,可以說是近些年來最為豪華的mATX規格主板了。

英偉達公版RTX 2080顯卡:

內存方面選擇了兩條芝奇幻光戟DDR4-3200 8GB C14組成雙通道,較高的頻率和極低的時序使其無論是寫入性能、讀取性能、還是內存延遲表現都非常不錯。

測試平臺一覽:

測試前先安裝最新版本的SANSUNG MagicianSoftware,檢查硬盤信息、確認已開啟ACHI模式,并將固件更新至最新版本。

三.基準性能測試

首先使用CrystalDiskInfo檢測硬盤的使用狀態,可以看到三星860QVO雖然是面向中端用戶的低價產品,但S.M.A.R.T、NCQ、TRIM、DevSleep等技術都被保留了下來,這值得肯定。

使用官方軟件SANSUNG MagicianSoftware進行測試,順序讀取速度為559MB/s、順序寫入速度528MB/s;隨機讀取94K IOPS、隨機寫入86K IOPS。

在AS SSD Benchmark和CrystalDiskMark兩項常規的硬盤測試軟件中,三星860QVO的讀取和寫入速度都能達到500MB/s左右,4K讀寫穩定在300MB/s以上,和官方宣傳數據基本一致,也與SATA接口TLC顆粒的固態硬盤處于同一個水平線上。

在ATTO Disk Benchmark測試中,860QVO的最大讀取速度為561MB/s、最大寫入速度為528MB/s,同樣非常出色。

另一項測試TxBench中,860QVO的順序讀取速度達到了561MB/s、順序寫入最大值為531MB/s;4K QD32讀寫速度也達到了363MB/s和345MB/s。

四.大容量持續讀寫測試

為了進一步檢測三星860QVO的性能,我們使用HD TUNE對其進行全盤寫入壓力測試。可以看到,在空盤狀態下三星860QVO的寫入速度能穩定在330MB/s以上,證明了:當寫入文件大小沒有超出SLC緩存時成績非常不錯。

但寫入過半后,三星860QVO的成績斷崖式下跌到了70MB/s左右,可見在SLC緩存被寫爆后、QLC顆粒的硬盤速度確實會受到顯著影響。

為了進一步驗證,我們在970EVO PLUS系統盤中找到了一個高達62.6GB的超大文件,并將其拷貝到860QVO中。通過Windows10自帶的資源管理器,我們可以看到在前40GB時,平均復制速度高達450MB/s,但后期的復制速度也出現了顯著的下降。

五.總結

從我們的測試中可以看到,三星860QVO的緩內讀寫速度都非常不錯,達到了官方宣傳的水平,并和市面上主流的SATA3接口TLC固態硬盤基本相當。

當數據寫入量超出SLC緩存后,硬盤性能會下降很多,但鑒于大部分用戶并不會經常做超大文件讀寫,所以三星860QVO面對日常的辦公和游戲還是毫無壓力的。

另外,價格低也是它的突出賣點,作為國際一線存儲廠商推出的原片固態,三星860QVO的1TB版價格僅需769元,比860EVO 1TB版便宜300元左右(參考京東自營旗艦店),折合下來1GB不到0.8元。對于那些使用PC做輕度辦公、或想給老電腦升級的用戶來說,三星860QVO在較低的價格下提供了遠超機械硬盤的性能,是非常理想的購買選擇。

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