格芯指出,新開發出基于ARM架構的3D高密度測試芯片,是采用格芯的12納米FinFET制程所制造,采用3D的ARM網狀互連技術,允許資料更直接的傳輸到其他內核,極大化的降低延遲性。而這樣的架構,這可以降低資料中心、邊緣運算以及高端消費者應用程式的延遲,并且提升數據的傳輸速度。
格芯強調,新開發出基于ARM架構的3D高密度測試芯片,可以進一步在每平方公厘上達成多達100萬個3D的連接,使其具有高度可擴展性,并有望延展12納米制成的壽命。另外,3D封裝解決方案(F2F)不僅為設計人員提供了異構邏輯和邏輯/存儲器整合的途徑,而且可以使用最佳生產節點制造,以達成更低的延遲、更高的頻寬,更小芯片尺寸的目標。
格芯表示,因為當前的12納米制程成熟穩定,因此目前在3D空間上開發芯片更加容易,而不必擔心新一代7納米制程所可能帶來的問題。然而,臺積電、三星和英特爾能夠在比格芯小得多的節點上開發3D芯片,而且也已經相關的報告。而何時推出,就只是時間上的問題。屆時,格芯是否能以較低廉的價格優勢,進一步與其他晶圓生產廠商競爭,就有待后續的觀察。
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