英飛凌最新推出——OptiMOS線性FET，作為市場上首次將現代溝槽MOSFET的低RDS(on)與平面MOSFET的寬安全工作區(SOA)相結合的技術，創新解決了RDS(on)與線性模式功能之間的平衡問題。

OptiMOS線性FET可在增強模式MOSFET的飽和區工作，是熱插拔應用電熔絲和電池保護應用的理想解決方案，此類應用要求低導通損耗，并且必須在不降低器件性能或不損壞器件的前提下處理高啟動電流能力。因此，OptiMOS線性FET最適合電信和電池管理系統（BMS）中常見的熱插拔、電子熔斷器和保護應用。

PART

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主要特性

低RDS(on)和寬安全工作區(SOA)的結合；

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RDS(on)比較

在RDS(on)性能上面， OptiMOS線性FET100 V 比起最佳替代產品的要降低高達58%。此外，在48V到56V的電壓下（通信系統中的典型輸出電壓范圍）測量可以得到更寬的SOA。

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安全工作區(SOA)比較

OptiMOS 5 100 V，1.7 mΩ的功率MOSFET的安全工作區為0.5 A，在相同RDS(on)上的OptiMOS線性FET版本提供11.5 A的更寬的SOA（安全工作區）(@ 54 V, 10 ms)。

較高的最大脈沖電流；

較高的連續脈沖電流；

PART02

主要優勢

穩健的線性模式操作

低導通損耗

更高的沖擊

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產品系列與封裝

英飛凌OptiMOS線性場FET包含三個電壓等級：100V、150V和200V。

它們都可采用D2PAK或D2PAK 7pin封裝，這些行業標準封裝兼容簡易替換元件。

D2PAK封裝

D2PAK 7pin封裝