東芝的GaN-on-Si LED實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的光通量

加州IRVINE。 ， 10月。 1,2015 /PRNewswire/- 東芝美國電子元件公司（TAEC）*，一家致力于與科技公司合作創(chuàng)造突破性設(shè)計的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布已為其TL1L4系列增加了四款新產(chǎn)品硅氮化鎵（GaN-on-Si）高功率白光LED。 TL1L4-DW0，TL1L4-NT0，TL1L4-NW0和TL1L4-WH0有助于提高發(fā)光效率并降低LED照明的功耗。新型TL1L4系列（4A5B型）在Ta = 25°C， [1] 下實現(xiàn)165lm/W（最小）的高發(fā)光效率，尺寸小，使產(chǎn)品適合使用在照明應(yīng)用中，包括路燈，泛光燈，高/低棚燈，基燈和筒燈。

四個新的LED具有相關(guān)的色溫（ CCT）為6500K/5700K/5000K/4000K，顯色指數(shù)為Ra70。 TL1L4系列的新增功能使其能夠滿足超過110lm/W [2] 的照明燈具功效的市場要求，并有助于提高LED照明應(yīng)用的發(fā)光效率和降低功耗。 TL1L4系列采用經(jīng)濟高效的GaN-on-Si晶圓技術(shù)，可創(chuàng)建針對輸出和功率效率進行優(yōu)化的LED。

這些器件采用緊湊的3.5 x 3.5mm鏡頭封裝，額定支持絕對最大正向電流1.5A最大，Ta <55度Cand Tj <150攝氏度。電氣熱合并測試和光學特性在85攝氏度和I F = 350mA下進行，模擬真實的工作條件。