根據(jù)2017年的存儲器市場來看，價格的大幅度上漲，內(nèi)存市場面臨著激烈的競爭，市場供不應(yīng)求的局面，致使三星計(jì)劃將加大投入擴(kuò)大芯片產(chǎn)能，但是外界人士認(rèn)為內(nèi)存廠商大規(guī)模的擴(kuò)大芯片產(chǎn)能，將會帶來供給過度的危機(jī)。

據(jù)外電報(bào)道，剛被任命為三星電子聯(lián)席首席執(zhí)行官、負(fù)責(zé)旗下芯片業(yè)務(wù)的金奇南（Kim Ki-nam）日前表示，今年是全球芯片產(chǎn)業(yè)增長的關(guān)鍵時期，整個行業(yè)會面臨更激烈的競爭。

金奇南在韓國媒體采訪時表示，今年芯片產(chǎn)業(yè)會面臨嚴(yán)峻的形式，暗示技術(shù)創(chuàng)新會遇到困難，并對供給過度的問題感到擔(dān)憂。“芯片產(chǎn)業(yè)在空前的繁榮期正面臨著嚴(yán)峻的現(xiàn)實(shí)。因?yàn)榧夹g(shù)的快速變革，預(yù)測市場格局將如何變化變得相當(dāng)困難，”他說。

市場觀察人士預(yù)計(jì)，今年全球芯片市場會繼續(xù)保持繁榮，但增長速度預(yù)計(jì)會低于去年。市場調(diào)研公司IHS Markit提供的數(shù)據(jù)顯示，2017年全球DRAM存儲芯片市場的規(guī)模達(dá)到722億美元，較上年增長了72%；預(yù)計(jì)該市場今年的規(guī)模更是會達(dá)到844億美元，但增速將滑落至16.9%。

目前，DRAM存儲芯片業(yè)務(wù)也是三星電子盈利最多的業(yè)務(wù)。因?yàn)閿?shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)需求的增長，三星電子預(yù)計(jì)DRAM存儲芯片的供求關(guān)系仍將緊張，該公司如今已通過在韓國平澤新工廠增加生產(chǎn)線，來擴(kuò)大DRAM存儲芯片的產(chǎn)品。

業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，三星電子這座新工廠的制造能力將達(dá)到6萬塊晶片，為現(xiàn)有整體DRAM芯片產(chǎn)能的大約六分之一。因?yàn)閷┣髥栴}的擔(dān)憂，在三星電子去年11月發(fā)布擴(kuò)張產(chǎn)能的消息后，DARM芯片的售價在一周時間中曾暴跌了21.4%。“為保持世界頂級芯片制造商的地位，我們將不斷努力創(chuàng)新技術(shù)和應(yīng)對挑戰(zhàn)，”金奇南說。

三星電子在去年第三季度的財(cái)報(bào)電話會議中曾表示，通過把公司年度投資預(yù)算的60%部署到NAND閃存業(yè)務(wù)當(dāng)中，該公司尋求對3D閃存芯片進(jìn)行創(chuàng)新。不過在全球NAND閃存芯片市場增長46.2%，產(chǎn)值達(dá)到538億美元之后，該市場增速也會在今年放緩。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，全球NAND閃存市場今年的規(guī)模將達(dá)到592億美元，較去年增長10%。

業(yè)內(nèi)觀察人士預(yù)計(jì)，三星電子今年的投資計(jì)劃可能會通過影響供求關(guān)系來改變市場格局。“NAND市場已經(jīng)開始放緩，而DARM市場仍可能會因?yàn)槿请娮拥倪M(jìn)一步投資而受到影響，”韓國券商HI Investment & Securities分析師Song Myung-seob在研報(bào)中表示。“投資人需要更密切的關(guān)注三星電子在今年宣布的投資計(jì)劃。”

根據(jù)市場調(diào)研公司IC Insights的預(yù)測，三星電子去年的投資總額達(dá)到260億美元，占據(jù)了全球芯片制造商總資本投入的20%以上。其中，該公司為3D NAND閃存業(yè)務(wù)投入了140億美元，為DRAM和代工業(yè)務(wù)分別投入了70億美元和50億美元。