美光科技（Micron）16日宣布進一步推動DRAM產品的革新，其開始采用業界首個1z nm的工藝節點批量生產16Gb DDR4內存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節點來改善
2019-08-20 10:22:36
7258 數據速率的DDR4。 這是三星自2017年底批量生產第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來，僅僅16個月就開
2019-10-22 10:41:214639 8月21日，臺積電在其官方博客上宣布，自2018年開始量產的7nm工藝，其所生產的芯片已經超過10億顆。此外，臺積電官網還披露了一個消息，其6nm工藝制程于8月20日開始量產。 先看7nm
2020-08-23 08:23:005212 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計劃將在2016年年底進入10nm制程技術量產新款處理器產品。而另一方面，預期今年第三季進入16nm
2015-05-28 10:23:16990 Samsung 5 日宣佈正式量產全球首款採用 10nm 制程生產的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個量產 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業界領先。
2016-04-06 09:04:56673 三星本周宣布，將定于今年晚些時候投產第二代10nm芯片生產工藝。目前，三星已經在美國硅谷開始向多個半導體公司推廣自家的14nm工藝。臺積電計劃在2017年上半年試產7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41490 今日，三星電子正式宣布已經開始大規模生產基于10nm FinFET技術的SoC，這是業界內首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:01873 臺積電和三星電子的制程大戰打得如火如荼，據傳臺積電7nm制程有望提前在明年底量產，遠遠超前對手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經率先進入量產，領先同業。
2016-10-18 09:48:51676 
據三星官網新聞，韓國巨頭宣布推出業界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實現與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:481662 10月份，三星宣布10nm進入量產后，市場上的14nm/16nm產品似乎瞬間黯然無光。三星計劃明年初發布首款10nm產品，預計是采用10nm LPE的Exynos 8895。顯然，老對手臺積電和它的客戶不愿被動挨打，最新消息顯示，聯發科首顆10nm芯片Helio X30定于年底量產亮相。
2016-11-03 11:22:38935 ，這是第一顆國產的DDR4內存芯片。 根據產品介紹，目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，工作電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:118110 今年2月底，長鑫存儲官方宣布，符合國際標準規范的自產DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4內存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內存第一次實現真正國產，并采用國產第一代10nm級工藝制造
2020-05-22 11:47:378324 集成更多的晶體管，制程工藝也就越先進。而要讓制程變得更先進，代價非常大，畢竟到納米級別的晶體管，每精細一點點，需要的投入呈幾何倍增長。當達到10nm級別的制程時，越往下研究，難度越大，門檻越高，投入也
2019-12-10 14:38:41
地址/命令/控制與數據總線的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代
2011-02-27 16:47:17
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發發表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
本帖最后由 Mrblue 于 2015-11-30 14:55 編輯
近日，Intel在超級計算機大會上正式展示出其第二代高性能計算產品Knights Landing Xeon Phi，強大
2015-11-30 14:54:14
`Raspberry Pi基金會今天發布第二代樹莓派—— Raspberry Pi ，樹莓派2外形看起來跟樹莓派B+一樣一樣的，配置主要就是升級了CPU (900M4核ARM v7)和內存(1
2015-02-02 21:56:26
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
臺積電與三星的10nm工藝。智能手機的普及，大大地改變了現代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對于智能手機的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標。就像
2018-06-14 14:25:19
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三星（K9
2021-10-26 19:13:52
第二代導航衛星系統與第一代導航衛星系統在體制上的差別主要是：第二代用戶機可免發上行信號，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛星單程測距信號自己定位，系統的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
2133MT/s，運作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發展的關鍵。三個月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業內最重要的代工企業臺積電、三星和GF（格羅方德），在半導體工藝的發展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
使用DDR4的內存條，DDR3也有屬于自己的應用市場。宏旺半導體ICMAX DDR因性能優越性價比高，擁有極高競爭力，與眾多知名廠商合作。1， 規格不同DDR3內存的起始頻率僅有800MHz，最高頻
2019-07-25 14:08:13
我們使用i.MX8MPlus運行Windows 10 IoT系統，遇到了三星eMMC的兼容性問題。如何解決？詳情如下：1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1無法運行
2023-03-17 09:03:23
包括1gb eMRAM測試芯片，并計劃使用其18FDS工藝制造eMRAM，以及更先進的基于FinFET的節點。 三星宣布將改進其MRAM的MTJ功能，使其適合更多的應用。而在第五屆年度三星代工論壇上
2023-03-21 15:03:00
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產品化和優異的性能，是產品其能夠在-35C至110C的工業溫度范圍內使用。
2020-12-28 06:16:06
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內存芯片系列，三星，現代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
) TH58TEG7DDKTA20(16GB)...閃迪：SDTNRGAMA-008G(8GB) SDTNQGAMA-008G(8GB)...? 專業回收EMMC三星：KLM4G1FE3B-B001(4GB
2020-12-16 17:31:39
) TH58TEG7DDKTA20(16GB)...閃迪：SDTNRGAMA-008G(8GB) SDTNQGAMA-008G(8GB)...? 專業回收EMMC三星：KLM4G1FE3B-B001(4GB
2021-01-11 18:16:12
是南湖，第三代架構是昆明湖。香山開源社區稱，第一代“雁棲湖”架構已經成功流片，實測達到預期性能，第二代“南湖”架構正在持續迭代優化中。去年 8 月 24 日，中科院計算所、北京開源芯片研究院、騰訊、阿里
2023-06-05 11:51:36
據開芯院首席科學家包云崗介紹，第二代“香山”于2022年6月啟動工程優化，同年9月研制完畢，計劃2023年6月流片，性能超過2018年ARM發布的Cortex-A76，主頻2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
求分享USB3.1第二代應用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
回收！大量收購FLASH ！帝歐電子，專業收購內存，收購三星（K9系列，K9K系列，K4H系列，K4T系列，K4X系列，K4S系列，K5系列），現代（HNNIX）：（HY5系列，H5系列，H27系列
2021-08-20 16:33:07
年首款DDR4從韓國三星誕生，隨后海力士迅速跟進研制生產；2012年5月8日，美光官方正式宣布該公司首款DDR4內存開發生產出成品，并已經開始提供樣品給主要客戶進行測試，預計2013年開始量產
2012-12-30 18:45:31
RK3576處理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平臺，它集成了獨立的6TOPS（Tera Operations Per Second，每秒萬億次操作）NPU（神經網絡處理單元），用于
2024-03-12 13:45:25
特別給力但足夠用了。節選自：次世代安卓旗艦 谷歌Nexus 7二代評測 作者：付濤整體性能 第2段相關產品：Google Nexus 7（第二代/32GB） 回歸常規評測的套路，我們使用安兔兔系統評測
2013-08-12 17:22:08
季度開始生產。此舉也創下二次擊敗勁敵三星、獨吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年營收持續增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
的先進工藝，可有效提高能耗表現。RK3568的DDR顆粒兼容性十分優秀。支持LP4/LP4x/LP3/DDR4/DDR3，最高頻率1600Mhz，最大容量支持8GB DDR3及DDR4支持2片選模式
2022-03-02 17:13:45
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號稱是DDR4內存帶寬的20倍，不過該芯片本身還是配有DDR4內存，頻率2666Mbps。 值得注意的是，雖然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
三星首家量產40nm級工藝4Gb DDR3綠色內存芯片
三星電子宣布，該公司已經在業內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。
這種內存芯片支
2010-02-26 11:33:42780 驍龍 820 此前已經傳聞將會由三星代工生產，今天三星官方正式確認了這個消息，并且表示大規模生產使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241017 本月，三星電子宣布實現10nm級別工藝DDR4 DRAM內存顆粒的量產，再次拉大與“三國殺”剩下兩個玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031033 日前在深圳召開的2016三星移動解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內存。和現有芯片和6GB內存芯片最大的區別在于使用了最新的10nm制造生產工藝，承諾帶來更快更高效的內存。
2016-05-23 15:20:391122 導語：聯發科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產。
2016-07-28 19:00:27680 據報道，三星超車臺積電，高通8日宣布全球首顆10nm服務器芯片已送客戶，搶攻長期由英特爾獨霸市場；高通10nm手機芯片也委由三星代工，但7nm訂單重返臺積電，臺積電仍是大贏家。
2016-12-09 10:38:52337 現在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432404 三星是目前唯一宣布量產10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動SoC。
2017-03-15 08:30:35517 三星今天宣布，繼去年10月率先量產10nm工藝移動芯片后，日前已經完成了第二代10nm的質量驗證工作，即將量產。
2017-04-22 01:08:12586 三星今天宣布，繼去年10月率先量產10nm工藝移動芯片后，日前已經完成了第二代10nm的質量驗證工作，即將量產。下面就隨網絡通信小編一起來了解一下相關內容吧。下面就隨半導體小編一起來了解一下相關內容吧。
2017-04-23 10:19:411547 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經開發完成，未來爭取10納米產品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領先同業導入量產，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產。
2017-04-25 01:08:11537 前進的步伐還是不會被徹底推翻的。科技的創新也不會因此而止步。日前，三星官方正式宣布他們將會開產第二代10nm工藝制程的芯片，三星電子在4月20日正式宣布，他們已經完成了第二代10nm制程的驗證工作，同時即將正式量產。
2017-04-25 09:50:22606 據韓媒報道，高通已經與三星攜手，合作開發下一代手機處理器。繼去年10月份三星率先量產第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02764 臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461327 Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake，并透露第二代10nm IceLake也已經正式流片。
2017-06-13 11:29:37841 Intel近日在官方推特自曝了10nm的進展，首次透露，第二代10nm（代號Icelake）已經流片。
2017-06-14 15:03:27982 Digitimes發布消息稱，英特爾可以按計劃在今年底首發10nm處理器，但僅限低功耗移動平臺，預計是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周，英特爾剛宣布，第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經完工，同時第二代10nm處理器Ice Lake也已經完成了最終設計。
2017-06-15 11:43:441317 昨天上午，三星官方發言，宣稱已經成功研制開發出全球第一個10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產。眾所周知，三星企業在批量生產8GB LPDDR4內存之后，就已經開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001303 第二代10nm工藝即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用產品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30728 三星利用二代10納米工藝研發出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331114 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331472 三星的DRAM市場表現十分強勁，并在近日宣布量產其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM的產量。
2017-12-27 11:22:38835 據韓聯社北京時間12月20日報道，三星電子今天宣布，已開始量產第二代10納米級制程工藝DRAM內存芯片。
2017-12-29 11:15:416063 三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經全球第一個開始量產基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內存條，主要面向企業和云服務應用。
2018-06-13 15:09:003690 根據報道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內存已經量產，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機平板等移動設備更省電。
2018-07-26 16:56:23902 12月20日，三星宣布已開始量產第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續擴大整體10nm級DRAM的生產，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:25723 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內存模組，用于高性能筆記本產品。新的內存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結構上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 三星宣布成功開發業界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產以來，三星就開始向LPDDR5標準過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應用于移動設備如手機、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應用領域。
2018-08-08 15:22:281050 如之前預告的那樣，在三星開始量產基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內存芯片現在也已經拍馬趕到了。早些時候官方公布了開始大規模量產這款零件
2018-08-13 11:16:003468 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產品具備高性能，同時還顯著提高需要在極端環境下工作的汽車應用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143 臺塑集團旗下DRAM大廠南亞科技術能力大躍進，完成首顆自主研發的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個人電腦（PC）客戶認證，本月開始出貨，為南亞科轉攻利基型DRAM多年后，再度重返個人電腦市場，明年農歷年后將再切入服務器市場，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩定供貨來源。
2018-08-28 16:09:212734 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進入量產，并表示基于EUV光刻技術的7LPP工藝對比現有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:403490 三星電子今天宣布，開始量產業界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 3月21日，三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251 ，動態隨機存取存儲器）。自開始批量生產第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:541444 三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:163659 關鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。量產時間
2019-03-29 07:52:01215 2019年就要正式量產了，6月份就會發布10nm Ice Lake處理器，今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake，將會使用全新的CPU內核及GPU內核。
2019-05-09 15:19:031801 日前美光公司宣布量產了1Znm工藝的16Gb DDR4內存，這是第三代10nm級內存工藝，這次量產也讓美光成為業界第一個量產1Znm工藝的公司，這一次進度比以往的標桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:003359 10nm Ice Lake還沒有全面鋪開，Intel第二代10nm Tiger Lake已經頻頻亮相，不過首發還是面向輕薄本等設備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:591987 9 月份合肥長鑫宣布量產 8Gb 顆粒的國產 DDR4 內存。對于國產內存，市場預期不會對三星、SK 海力士及美光三大內存巨頭帶來太大影響，但是會擠壓第四大內存廠商南亞科的空間。對此南亞科予以否認，表示短時間內沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:313316 三星電子今天宣布已經開始大規模生產業內第一個16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級工藝技術，可提供業界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機。繼2019
2020-02-25 13:48:201813 長鑫存儲正使用其10G1工藝技術（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內存芯片，目標是在2020年第一季度上市。現在，一名用戶就曝光了新款內存的外觀和參數。
2020-02-26 15:01:137803 2019年國內公司在內存、閃存行業同時取得了重大突破，長江存儲量產了64層3D閃存，合肥長鑫則量產了18nm DDR4內存。日前長鑫官網也宣布開售8GB DDR4內存條。
2020-03-02 09:21:431330 隨著Ice Lake處理器的成功，Intel的10nm工藝總算可以長舒一口氣，產能已經沒什么問題了。今年的重點是Tiger Lake處理器，這是第二代10nm工藝，CPU及GPU架構也會全面升級。
2020-03-04 15:35:202987 根據外媒WCCFTECH的報道，爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構將基于三星10nm制程，而不是之前報道的臺積電7nm工藝，據稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670 江波龍電子旗下嵌入式存儲品牌FORESEE再添新成員，正式發布首款內存產品，宣布正式進入內存領域。 江波龍正式進入內存領域，FORESEE DDR4高端商用內存條新品首發 FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:224860 國產化內存的品質之路 FORESEE國產化內存的核心DRAM率先采用長鑫存儲的10nm級最新版本8Gb顆粒，該顆粒已
2020-05-22 15:24:522345 EUV，依靠現有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結合，用于量產旗下首批16Gb容量的LPDDR5內存芯片。 據悉，三星的新一代內存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應的其實是
2020-09-01 14:00:292234 年下半年大規模量產。 從英文媒體最新的報道來看，同2018年量產的7nm和今年量產的5nm工藝一樣，臺積電正在研發的3nm工藝，也將會有第二代。 英文媒體是援引產業鏈人士透露的消息，報道臺積電會推出第二代3nm工藝的，這一消息人士表示臺積電計劃在2
2020-12-02 17:14:461572 在量產國內首個8Gb DDR4芯片之后，合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開發17nm工藝的DDR5內存研發及生產。
2020-12-18 09:53:144084 今日，七彩虹宣布 iGame 內存全面升級，正式發布了 iGame VULCAN DDR4 內存。 iGame VULCAN DDR4 延續了 VULCAN 顯卡紋理設計。值得一提的是，經過網友命名
2020-12-25 10:31:312466 據媒體報道稱，谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產，代工方為三星，將會采用4nm制程工藝大規模生產該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機自研的芯片，第一代在去年8月發布，而第二代
2022-06-02 14:52:451273 ，比5nm芯片功耗低45%，性能高23%，同時三星也開始了第二代3nm芯片的計劃。 不止是第二代3nm芯片，三星也已經確定了將在2025年量產2nm芯片，同臺積電之前宣布的時間一樣。三星的2nm芯片將繼續沿用GAA晶體管技術，并且將進一步優化內部結構，性能和功耗等方面會得
2022-07-08 14:42:101153 DDR4 3200和3600是內存模塊的頻率標準，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:189011
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