固態硬盤數據傳輸速度更快，能耗更低，但目前固態硬盤的容量最高約為4TB。閃迪和英特爾分別計劃將容量提高至8GB和10GB。

　　由于用戶有大量照片、視頻、應用和音頻需要存儲，智能手機的存儲空間總是不夠用?？紤]到這一問題，英特爾在研究在不影響設備尺寸和價格的情況下，提升移動設備和PC存儲容量的新技術。

　　據報道，英特爾正在研究的一項技術是，在1個存儲單元中存儲更多比特的信息，把移動設備和PC的存儲容量增加3倍。英特爾正在嘗試在一個存儲單元中存儲4比特信息。

　　英特爾非揮發存儲解決方案部門戰略規劃和營銷副總裁李仁基（Bill Leszinske）在一封電子郵件中說，“這可能促使大量移動和計算設備使用存儲密度更高的存儲設備。”

　　用戶對存儲容量的需求是無止境的。應用和操作系統越來越大，4K視頻即將成為主流，傳感器和其他數據源生成的數據在不斷增多。因此，移動設備和PC廠商在不斷試圖提高設備中閃存盤和固態硬盤的存儲容量。

　　通過在1個存儲單元中存儲4比特信息——英特爾稱之為QLC的技術，標準2.5英寸固態硬盤的存儲容量可以增長至逾10TB。PCWorld表示，英特爾稱QLC仍然處于研發階段，沒有披露推出采用QLC技術的閃存芯片的時間表。

　　與傳統硬盤相比，固態硬盤數據傳輸速度更快，能耗更低，但目前固態硬盤的容量最高約為4TB。閃迪計劃銷售存儲容量為8TB的固態硬盤——與希捷最高容量的硬盤相當。英特爾曾表示，利用上周與美光公布的新型TLC閃存芯片，該公司將能把固態硬盤存儲容量提高至10TB。

　　市場研究公司Objective Analysis分析師吉姆·漢迪（Jim Handy）指出，未來10年，閃存可能被新興的存儲技術所取代，例如MRAM （磁阻內存）、PCM（相變內存）和RRAM（阻變式內存）。

　　英特爾在一個存儲單元中存儲4比特信息的能力，依賴于它通過其最新的3D NAND制造技術縮小閃存芯片尺寸的能力。這一技術允許存儲單元像摩天大樓那樣垂直疊加，提供更高的存儲容量。

　　大多數固態硬盤都采用SLC（每個存儲單元存儲1比特信息）或MLC（每個存儲單元存儲2比特信息）閃存芯片。在1個存儲單元中存儲3比特信息就已經是一個足夠大的挑戰了，漢迪對在1個存儲單元中存儲4比特信息持懷疑態度，稱這一技術可能會造成固態硬盤出現更多數據讀寫錯誤。

　　每次在一個存儲單元中增加1比特信息，干擾就會增加一分，識別存儲單元中數據的難度也會提高。

　　這并非一家公司首次嘗試在1個存儲單元中存儲4比特信息。近10年前，M-Systems曾進行相同的嘗試，可惜沒有成功。M-Systems于2006年被閃迪收購。

　　另外，受成本影響，在1個存儲單元存儲4比特信息的意義并不大。據漢迪估計，在1個存儲單元存儲2比特信息，可能把閃存芯片成本削減一半；在1個存儲單元存儲3比特信息，可以把閃存芯片成本削減30%；如果把4比特信息“塞進”1個存儲單元，閃存芯片成本降幅會收窄至15%。

　　但李仁基仍然對英特爾在QLC技術方面的機會持謹慎樂觀態度，稱英特爾的3D NAND技術能使QLC成為“一個真正的機會”。