1STM32中斷分組STM32 的每一個(gè)GPIO都能配置成一個(gè)外部中斷觸發(fā)源,這點(diǎn)也是 STM32 的強(qiáng)大之
2018-01-25 08:44:14
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今天在寫外部中斷的程序的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)中斷特別容易受到干擾,我把手放在對(duì)應(yīng)的中斷引腳上,中斷就一直觸發(fā),沒(méi)有停過(guò)。經(jīng)過(guò)一天的學(xué)習(xí),找到了幾個(gè)解決方法,所以寫了這篇筆記。如果你的中斷也時(shí)不時(shí)會(huì)誤觸發(fā),可以對(duì)照找一下原因。
2023-11-23 17:09:33
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的flash,然后全部運(yùn)行在外部的sram中,該如何進(jìn)行處理呢?我的現(xiàn)在的想法是:設(shè)置啟動(dòng)方式為Jump to flash,首先程序在flash中運(yùn)行初始化xintf總線,然后再?gòu)?fù)制flash代碼到外
2020-05-13 10:00:34
;VTOR = 0xF000,因此應(yīng)用程序從地址 0xF000 開(kāi)始。我們的項(xiàng)目有 10 個(gè) IO 中斷,可以由傳感器隨機(jī)觸發(fā)。我們發(fā)現(xiàn),如果我們運(yùn)行保存命令(運(yùn)行 FLASH_Program 函數(shù))并同
2023-03-17 08:07:25
前言:MCU中的SRAM和Flash相當(dāng)于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對(duì)比區(qū)別分類SRAMFlash容量容量小容量大讀寫速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價(jià)格高昂低廉
2021-11-01 06:54:42
你好,我試圖擴(kuò)展16 MB SRAM和16 MB或閃存到MYSTM32 F7MCU芯片。該芯片具有2個(gè)接口的存儲(chǔ)器,F(xiàn)MC和QSPI。誰(shuí)能給我一個(gè)建議,SRAM和NOR Flash產(chǎn)品我應(yīng)該一起去嗎?
2019-11-04 11:23:02
中斷是個(gè)很重要的一個(gè)概念,在計(jì)算機(jī)組成原理中曾經(jīng)講過(guò)這一概念,對(duì)于嵌入式方向來(lái)說(shuō),也是一個(gè)非常重要的一個(gè)知識(shí)點(diǎn),經(jīng)常出現(xiàn)在筆試中。中斷所謂中斷就是:CPU在正常執(zhí)行程序的過(guò)程中,由于內(nèi)部/外部
2021-12-01 07:58:47
和長(zhǎng)時(shí)間的循環(huán)。這樣可以保證在中斷服務(wù)程序執(zhí)行過(guò)程中,系統(tǒng)能夠快速地響應(yīng)其他事件。中斷函數(shù)必須是可重入的:當(dāng)一個(gè)中斷處理正在進(jìn)行時(shí),另一個(gè)同類型的中斷請(qǐng)求到來(lái)時(shí),系統(tǒng)會(huì)立即觸發(fā)新的中斷響應(yīng)。如果當(dāng)前
2023-12-05 10:23:52
main(){EA=1; //CPU開(kāi)中斷EX1=1; //中斷允許位置1IT1=1;//設(shè)為下降沿觸發(fā)方式LED1=0;LED2=1;//打開(kāi)LED燈1和2while(1);//一直循環(huán)等待中斷}//外部中斷1中斷服務(wù)程
2021-12-07 13:33:41
各個(gè)外設(shè)的interrupt interface 接入vic中斷控制器。當(dāng)多個(gè)外設(shè)觸發(fā)中斷時(shí),所有中斷會(huì)被送到vic的srcpnd寄存器,先比較中斷模式,
2021-12-13 07:02:05
三塊。運(yùn)行態(tài):當(dāng)上電后,程序運(yùn)行時(shí),首先程序會(huì)從特定的地址進(jìn)行啟動(dòng),下一節(jié)我會(huì)詳細(xì)分析啟動(dòng)文件,啟動(dòng)時(shí)會(huì)將RW-data的數(shù)據(jù)加載到SRAM中(啟用文件中有一段代碼是干這件事的,說(shuō)的在具體點(diǎn)是分散加載
2022-05-10 15:26:10
AT32F系列 使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM
2023-10-27 07:58:50
一、程序執(zhí)行的一般流程CM4內(nèi)核通過(guò)ICode從Flash讀取程序,然后進(jìn)行計(jì)算,計(jì)算過(guò)程根據(jù)程序內(nèi)容可能需要通過(guò)總線從某個(gè)外設(shè)讀取數(shù)據(jù),執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取后,然后又進(jìn)行計(jì)算得到計(jì)算結(jié)果后,通過(guò)總線把結(jié)果
2021-08-04 09:05:38
1、從BOOT區(qū)跳轉(zhuǎn)到APP區(qū),在APP區(qū)要做中斷矢量表的拷貝和將0地址映射空間從內(nèi)部flash切換到內(nèi)部SRAM起始地址。2、從APP區(qū)跳轉(zhuǎn)到其它新的APP區(qū),需在新的APP區(qū)的代碼里再做中斷矢量
2020-02-22 18:48:21
。盡管本文絕不是對(duì)所有內(nèi)存技術(shù)的全面討論,但在討論所提出的內(nèi)存技術(shù)時(shí),DRAM,SRAM和FLASH可以為我們提供有用的比較點(diǎn)。DRAM盡管有各種各樣的可用RAM類型(具有不同的速度),但它們幾乎總是
2020-09-25 08:01:20
DSP F2812的程序在SRAM中運(yùn)行好使,燒錄到FLASH不好使了,怎么回事呀?跪求指點(diǎn)!!!是不是SRAM中運(yùn)行速度快,在FLASH中運(yùn)行速度慢,而我開(kāi)啟的定時(shí)中斷是4us中斷一次,是不是flash中執(zhí)行速度慢的緣故?
2013-04-13 19:26:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
正在做一個(gè)保護(hù)實(shí)時(shí)性要求非常高的項(xiàng)目,程序中有運(yùn)行FPU運(yùn)算的數(shù)學(xué)運(yùn)算和三角函數(shù)。我現(xiàn)在對(duì)FPU的運(yùn)算機(jī)制不是很明白。想問(wèn)中斷是如何觸發(fā)的,例如如果正在運(yùn)算一個(gè)三角函數(shù)的函數(shù),這時(shí)最高優(yōu)先級(jí)的中斷
2020-07-24 08:58:47
最近在調(diào)試基于MCP2515的CAN收發(fā),出現(xiàn)一個(gè)現(xiàn)象,就是在正常收發(fā)的過(guò)程中,MCP2515不觸發(fā)收發(fā)的中斷,導(dǎo)致應(yīng)用層無(wú)法再讀寫數(shù)據(jù)。MCP2515是linux內(nèi)核自帶的,配置完后直接使能并加載
2022-12-23 19:52:49
嗨恩智浦專家,我知道 MIMXRT1xxx 能夠在 ITCM 中運(yùn)行 hello_world 但是 MIMXRT595 中沒(méi)有 ITCM 只有 SRAM。MIMXRT595-EVK是否可以在SRAM中運(yùn)行hello_world zephyr示例?
2023-03-30 06:38:30
零、芯片io腳一、按鍵中斷觸發(fā)只有部分io口支持中斷,選io時(shí)注意這個(gè)。nodeMCU的flash按鈕正好可以使用中斷。 int pinInterrupt = 2; //接中斷信號(hào)的腳2
2022-01-26 06:46:02
首先在要編程的bank的FLASH_CR中設(shè)置PG標(biāo)志,然后我從32字節(jié)對(duì)齊的地址開(kāi)始寫入32字節(jié)。在此之后,QW 標(biāo)志應(yīng)該變高,當(dāng)它變低時(shí),我可以開(kāi)始另一個(gè)寫操作(問(wèn)題 1:這是否意味著物理寫已經(jīng)
2023-01-03 07:45:12
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
2021-02-05 06:11:16
,MICRO等廠商,曾經(jīng)是FLASH的主流產(chǎn)品,但現(xiàn)在被NAND FLASH擠的比較難受。它的優(yōu)點(diǎn)是可 以直接從FLASH中運(yùn)行程序,但是工藝復(fù)雜,價(jià)格比較貴。NAND FLASH的主要供應(yīng)商
2015-11-04 10:09:56
1 前言在使用F0的片子在增加IAP后,我們經(jīng)常發(fā)現(xiàn),原來(lái)的APP必須增加一段代碼,將中斷向量表從內(nèi)部FLASH拷貝到SRAM后再執(zhí)行REMAP到SRAM,這樣操作后APP才能正常運(yùn)行,這一過(guò)程一直
2018-03-27 15:39:04
如題,本人想玩下STM32對(duì)NAND FLASH ,NOR FLASH ,SRAM的訪問(wèn),來(lái)熟悉這些器件的應(yīng)用,不知這里有哪位大俠用STM32玩過(guò)這些,可以交流交流。。。
2020-05-25 20:04:22
之后,非常有助于我們理解 STM32 啟動(dòng)過(guò)程中還做了哪些隱藏的工作。關(guān)于詳細(xì)的程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)分布信息,我們可以從Keil生成的 .map 文件中得到,要生成 .map 文件操作如下:1.1 STM32的程序在flash上的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)STM32 的程序在 Flash 上的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)如下圖所示:棧頂指針 M
2022-02-18 06:13:34
FLASH+64K SRAM)、(288K FLASH+32K SRAM)幾種組合中的一種。內(nèi)部SRAM的大小還可以進(jìn)行配置嗎?在哪里配置
2022-06-20 07:37:12
fpga芯片工作時(shí)外部需要接Flash和SRAM嗎?flash和sram都是干什么的啊?
2014-12-25 08:32:25
OSCtxSw OSIntCtxSw都在臨界區(qū)中,而這兩個(gè)函數(shù)都是觸發(fā)中斷函數(shù)PendSV處理的。臨界區(qū)不是關(guān)中斷啦嗎,為什么還可以觸發(fā)PendSV中斷?
2019-10-09 21:02:31
的問(wèn)題是我無(wú)法從 NVIC 中斷表中設(shè)置輸入捕獲中斷。我怎樣才能做到這一點(diǎn)? 我還觀察到 TIM17 可用,我認(rèn)為這個(gè)計(jì)時(shí)器可以以某種方式鏈接到 TIM1。TIM1 的輸入捕捉中斷是可行的。
2023-01-04 06:01:52
應(yīng)用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運(yùn)行 ISR 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000
硬件: NuMaker-M032SE
2023-08-31 09:21:19
reset.c文件中編寫了將.text段從flash拷貝到ILM的程序,修改過(guò)程比較復(fù)雜,但是在這一切之后程序并不能運(yùn)行。我認(rèn)為這可能與hpm_sdk較為復(fù)雜的依賴關(guān)系有關(guān),因此希望先輯半導(dǎo)體能夠提供一個(gè)將代碼拷貝到ILM/SRAM運(yùn)行的工程模板,謝謝
2023-05-26 08:05:40
故障,經(jīng)過(guò)進(jìn)一步檢查,我意識(shí)到確實(shí)是總線故障。我在 stm32f103 和 stm32f407 上都試過(guò)了,但都不起作用。這是我復(fù)制到 sram 中的匯編函數(shù):myadd 過(guò)程導(dǎo)出 myadd [弱
2023-01-31 06:04:53
外部IO觸發(fā),內(nèi)部事件觸發(fā),還可以通過(guò)軟件觸發(fā),通過(guò)軟件在EXTI_SWIER寄存器中對(duì)應(yīng)的位寫1觸發(fā)對(duì)應(yīng)的中斷線。在程序中主動(dòng)觸發(fā)某個(gè)中斷,可以及時(shí)處理一些不可預(yù)測(cè)的任務(wù),比如串口接收事件等
2022-01-13 07:09:01
個(gè)外部中斷0/1/2,對(duì)應(yīng)的Pin腳是PD2/PD3/PB2,其中外部中斷0是所有中斷中優(yōu)先級(jí)最高,響應(yīng)最快的。①M(fèi)CUCR:SM2,SE,SM1,SM0,ISC11,ISC10,ISC01,ISC00MCUCR寄存器的低2位用于控制INT0中斷的觸發(fā)方式,具體如下圖:這里我們選擇
2021-07-13 07:34:44
_HEAP 的堆積空間以定位于 EBI SRAM 的地址。此示例使用 mermoc () 從堆中分配內(nèi)存, 即 EBI SRAM 。
您可以在下列時(shí)間下載樣本代碼http://www.nuvoton.com/resources-downlo. 1218165312。
nuvoton 核
2023-08-23 06:35:44
我正在進(jìn)行一個(gè)項(xiàng)目,該項(xiàng)目獲取 ADC 讀數(shù)并將它們保存到 DK2 板上 STM32mp157 芯片 M4 側(cè)的緩沖區(qū)中,現(xiàn)在我需要構(gòu)建一個(gè)內(nèi)核模塊,將保存的緩沖區(qū)從 SRAM 復(fù)制到 A7 側(cè)
2023-02-03 08:35:38
我想把一些 高頻函數(shù)從flash 移到sram 中,以便在sram 中運(yùn)行可以減少cpu 負(fù)載。但是我發(fā)現(xiàn)它只能在設(shè)置中修改,如果我選擇“Link application to RAM”,它會(huì)將所有
2023-03-21 08:20:28
我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們?cè)?SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運(yùn)行完美。
給出了兩個(gè) icf 文件:
1) 內(nèi)存
2023-05-05 06:38:08
如何把flash地址中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)搬運(yùn)到SRAM中并通過(guò)串口在上位機(jī)顯示出來(lái)?
2021-12-03 07:57:43
我有PIC32 MX795F512L,我正在使用UART中斷示例。示例代碼在UART上回顯類型字符,但當(dāng)我鍵入一個(gè)char時(shí),它回顯我的char,但是也發(fā)送。下面是代碼
2019-10-11 12:50:17
如何查看MDK編譯后程序所占用的Flash和SRAM資源的大小?
另外在.s啟動(dòng)文件中堆和棧的大小又該如何分配?
2023-10-24 07:25:10
結(jié)束之前中斷再次觸發(fā)。所以我想使用軟件中斷,以便在不同的輸入通道之間切換。在我的ADCF反饋1中,我得到了2個(gè)信號(hào),這些信號(hào)是來(lái)自感測(cè)電阻的電壓,我想要對(duì)它們進(jìn)行監(jiān)視并將它們相加在一起顯示給LCD。按照
2019-11-04 10:33:25
擦寫過(guò)程中,中斷程序是無(wú)法執(zhí)行的,擦寫過(guò)程觸發(fā)喂狗中斷失敗,導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)位。如果flash擦寫操作時(shí)間小于喂狗超時(shí)時(shí)間,可以在擦寫前先手動(dòng)喂狗,確保擦寫flash過(guò)程無(wú)需觸發(fā)喂狗中斷。
2020-02-22 19:33:05
大家好,我的微控制器是pic32mz144EFG,我在60001245A.pdf中使用EBI示例,用于sram,并且工作正常。但是我不能從NOR FLASH讀取數(shù)據(jù)。當(dāng)我將設(shè)備類型從Sram更改為NorFlash時(shí),OE引腳沒(méi)有改變,并且ebi不起作用。謝謝
2019-10-17 07:41:22
。這不足以獲取我想要的數(shù)據(jù)。我也無(wú)法理解 DMA 在完成中斷時(shí)何時(shí)以循環(huán)模式繼續(xù)。我是否需要在該中斷中暫時(shí)掛起 DMA 以讀取數(shù)據(jù),或者 DMA 是否繼續(xù)清除掛起的位?我應(yīng)該使用單獨(dú)的 DMA 通道從 sram 中取出數(shù)據(jù)并將其放入堆棧分配的數(shù)組中嗎?謝謝!
2022-12-06 06:19:17
STM32F4XX 學(xué)習(xí)日志:按鍵觸發(fā)外部中斷前言任務(wù)目標(biāo)設(shè)計(jì)過(guò)程硬件軟件GPIO口的配置前言使用反客科技STM32F407VET6 M1的核心板,板載8M主時(shí)鐘晶振(HSE),32.768kHz
2021-08-17 08:00:30
SRAM調(diào)試不用重復(fù)擦鞋flash,但是使用過(guò)程中也發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題。例如時(shí)鐘的設(shè)置只在第一次進(jìn)入debug時(shí)是正確的,之后Reset再運(yùn)行就不對(duì)了,看圖:另外,關(guān)于SRAM的一個(gè)設(shè)置的解釋:所以
2014-12-30 16:21:22
看到資料2812啟動(dòng)過(guò)程是這樣的: 1:上電運(yùn)行時(shí)根據(jù)MP/MC引腳的狀態(tài)決定是從片外的3fffc0處讀取復(fù)位向量或者時(shí)從片內(nèi)的rom的3fffc0處讀取復(fù)位向量。MC方式下從片內(nèi)讀取,MP方式下從
2018-11-21 14:46:57
是將代碼放在Flash里面。通過(guò)bootrom code 從flash里面將代碼搬到SRAM里面執(zhí)行。另外一種方式是通過(guò)bootrom code 去配置flash 進(jìn)入XIP狀態(tài),然后CPU直接從
2022-06-08 17:51:05
我有一個(gè)選項(xiàng)可以在PSoC 5中從SRAM中運(yùn)行代碼。在PSoC 3中是否有類似的選項(xiàng)可以從SRAM中運(yùn)行代碼。我該怎么做? 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文I have an option
2019-07-09 06:50:36
求一個(gè)外部中斷觸發(fā)定時(shí)的示例
2019-04-15 06:35:02
你好,我在調(diào)試ADUCM362的過(guò)程中出現(xiàn)以下的這些問(wèn)題
1、ADC1_DMA沒(méi)有觸發(fā)中斷
2、UART_DMA沒(méi)有觸發(fā)中斷,數(shù)據(jù)也沒(méi)有任何接收
3、UART沒(méi)有觸發(fā)中斷
這些代碼
2024-01-11 07:16:14
LPC2200_flash內(nèi)部Flash和外部Flash分散加載示例。
2016-05-20 16:08:58
16 外部中斷0電平觸發(fā) C51單片機(jī)源碼,KEIL源文件,C語(yǔ)言編寫
2016-06-20 16:36:35
9 外部中斷1電平觸發(fā) C51單片機(jī)源碼,KEIL源文件,C語(yǔ)言編寫
2016-06-20 16:36:35
5 外部中斷0下降沿觸發(fā) C51單片機(jī)源碼,KEIL源文件,C語(yǔ)言編寫
2016-06-20 16:36:35
11 外部中斷1下降沿觸發(fā) C51單片機(jī)源碼,KEIL源文件,C語(yǔ)言編寫
2016-06-20 16:36:35
52 觸發(fā)器與存儲(chǔ)過(guò)程非常相似,觸發(fā)器也是SQL語(yǔ)句集,兩者唯一的區(qū)別是觸發(fā)器不能用EXECUTE語(yǔ)句調(diào)用,而是在用戶執(zhí)行Transact-SQL語(yǔ)句時(shí)自動(dòng)觸發(fā)(激活)執(zhí)行。觸發(fā)器是在一個(gè)修改了指定表中的數(shù)據(jù)時(shí)執(zhí)行的存儲(chǔ)過(guò)程。
2018-01-18 09:20:07
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51單片機(jī)的外部中斷有兩種觸發(fā)方式可選:電平觸發(fā)和邊沿觸發(fā)。選擇電平觸發(fā)時(shí),單片機(jī)在每個(gè)機(jī)器周期檢查中斷源口線,檢測(cè)到低電平,即置位中斷請(qǐng)求標(biāo)志,向CPU請(qǐng)求中斷。
2019-09-04 17:27:00
5 51單片機(jī)有兩個(gè)外部中斷申請(qǐng)輸入端:INT0 和 INT1。
51單片機(jī)的外部中斷,分為低電平觸發(fā)和下降沿觸發(fā)。在單片機(jī)內(nèi)部,分別由控制位 IT0 和 IT1 來(lái)控制。復(fù)位時(shí),IT0/1 都為 0,即默認(rèn)為低電平觸發(fā)。
2019-08-13 17:32:00
3 51單片機(jī)的外部中斷有兩種觸發(fā)方式可選:電平觸發(fā)和邊沿觸發(fā)。選擇電平觸發(fā)時(shí),單片機(jī)在每個(gè)機(jī)器周期檢查中斷源口線,檢測(cè)到低電平,即置位中斷請(qǐng)求標(biāo)志,向CPU請(qǐng)求中斷。選擇邊沿觸發(fā)方式時(shí),單片機(jī)在上一個(gè)機(jī)器周期檢測(cè)到中斷源口線為高電平,下一個(gè)機(jī)器周期檢測(cè)到低電平,即置位中斷標(biāo)志,請(qǐng)求中斷。
2019-07-26 17:36:00
1 STM32定時(shí)器觸發(fā)SPI逐字收發(fā)之應(yīng)用示例
2020-01-14 16:35:54
5006 DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲(chǔ)器,DRAM通常被稱為內(nèi)存,也有些朋友會(huì)把手機(jī)中的Flash閃存誤會(huì)成內(nèi)存。SRAM的存在感相對(duì)較弱,但他卻是CPU性能發(fā)揮的關(guān)鍵。
2020-07-29 11:14:16
11869 最開(kāi)始在串口通信那里第一次看到關(guān)于中斷的描述,但是一直以來(lái)都沒(méi)搞清楚中斷是怎么觸發(fā)的,中斷標(biāo)志位也不太理解。今天學(xué)外部中斷的時(shí)候好像弄明白了一點(diǎn)點(diǎn),記錄一下。 ? 上圖是正點(diǎn)原子家的按鍵部分的電路圖
2020-10-07 15:24:00
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一套程序可以分為主程序區(qū),還有子程序區(qū),中斷程序區(qū)等等,主程序區(qū)的程序是無(wú)時(shí)無(wú)刻都會(huì)掃描執(zhí)行的,而子程序還有中斷程序就必須觸發(fā)某些條件,然后程序會(huì)停止運(yùn)行主程序,跳到指定運(yùn)行的中斷程序里面運(yùn)行。
2020-11-20 18:01:15
7028 01前言 STM32片上自帶FLASH和SRAM,簡(jiǎn)單講FLASH用來(lái)存儲(chǔ)程序的,SRAM是用來(lái)存儲(chǔ)運(yùn)行程序中的中間變量。本文詳細(xì)分析下如何查看程序中FLASH和SRAM的使用情況。 本文開(kāi)發(fā)工具
2021-04-09 17:53:02
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前言:MCU中的SRAM和Flash相當(dāng)于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對(duì)比區(qū)別分類SRAMFlash容量容量小容量大讀寫速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價(jià)格高昂低廉
2021-10-25 13:36:09
14 中斷TMOD:定時(shí)器/計(jì)數(shù)器工作方式寄存器TCON:定時(shí)器/計(jì)數(shù)器控制寄存器IE:中斷允許控制寄存器IP:中斷優(yōu)先級(jí)控制寄存器外部中斷0外部0中斷觸發(fā):(P3.2口觸發(fā);P3.2觸發(fā);P3.2觸發(fā)
2021-11-22 12:51:06
12 事件的觸發(fā)或程序的預(yù)先安排引起CPU暫時(shí)中斷當(dāng)前正在運(yùn)行的程序,而轉(zhuǎn)去執(zhí)行中斷服務(wù)子程序,待中斷服務(wù)子程序執(zhí)行完畢后,CPU繼續(xù)執(zhí)行原來(lái)的程序,這一過(guò)程稱為中斷;中斷處理過(guò)程第一步:保護(hù)現(xiàn)場(chǎng),將當(dāng)前位置的PC地址壓棧;第二步:
2021-11-22 14:21:10
9 外部中斷可以分為電平觸發(fā)和邊緣觸發(fā)兩種,那么這兩種中斷有什么區(qū)別,我們今天講解下1什么是中斷CPU在處理某一事件A時(shí),發(fā)生了另一事件B請(qǐng)求CPU迅速去處理(中斷發(fā)生);CPU暫時(shí)中斷當(dāng)前的工作,轉(zhuǎn)去
2021-11-22 15:51:06
11 中斷系統(tǒng)(2)–外部中斷示例1.想實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)2.分析3.代碼#include<reg52.h>#include<intrins.h>sbit
2021-11-24 16:21:06
3 零、芯片io腳一、按鍵中斷觸發(fā)只有部分io口支持中斷,選io時(shí)注意這個(gè)。nodeMCU的flash按鈕正好可以使用中斷。 int pinInterrupt = 2; //接中斷信號(hào)
2021-12-02 09:51:05
9 2) Arduino attachInterrupt()中斷示例3) 通過(guò)設(shè)置ATMEG328單片機(jī)的寄存器設(shè)置中斷示例4) 通過(guò)中斷標(biāo)記控制中斷示例Arduino中斷interruput 執(zhí)行中斷過(guò)程需要做兩件事1) 保存可能需要儲(chǔ)存和處理的所有信息位,2) 中斷將恢復(fù)該信息,然后執(zhí)行原先的操作中斷有
2021-12-16 16:47:06
3 MPC82G516 MCU的串行UART中斷示例代碼
2022-06-30 17:32:12
0 51單片機(jī)中斷程序示例
2023-05-17 18:03:35
0 根據(jù)硬件中斷模塊觸發(fā)的示例來(lái)說(shuō)明 S7-1500 CPU 中面向事件的程序執(zhí)行的功能原理。
2023-08-29 09:45:27
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在以下示例中,將讀取延時(shí)中斷 OB (OB20) 的狀態(tài),設(shè)置新的延時(shí)并啟動(dòng)或禁用 OB20。
2023-09-01 09:47:25
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單片機(jī)中斷電平觸發(fā)和脈沖輸入
2023-10-17 17:11:06
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今天在寫外部中斷的程序的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)中斷特別容易受到干擾,我把手放在對(duì)應(yīng)的中斷引腳上,中斷就一直觸發(fā),沒(méi)有停過(guò)。經(jīng)過(guò)一天的學(xué)習(xí),找到了幾個(gè)解決方法,所以寫了這篇筆記。如果你的中斷也時(shí)不時(shí)會(huì)誤觸發(fā),可以
2023-11-23 08:00:56
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CPU在處理某一事件A時(shí),發(fā)生了另一事件B的請(qǐng)求(中斷請(qǐng)求);CPU暫時(shí)中斷當(dāng)前的工作,轉(zhuǎn)去處理事件B(中斷響應(yīng)和中斷服務(wù));待CPU將事件B處理完畢后,再回到原來(lái)事件A被中斷的地方繼續(xù)處理事件A(中斷返),這一過(guò)程稱為中斷。
2023-11-25 12:30:24
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外部中斷有兩種觸發(fā)方式:電平觸發(fā)和邊沿觸發(fā)** 。
2024-01-28 17:31:24
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單片機(jī)中的外部中斷低電平觸發(fā)和下降沿觸發(fā)有什么區(qū)別? 外部中斷是單片機(jī)中的一種功能,在特定條件下,外部信號(hào)的變化可以引發(fā)中斷,從而改變程序的執(zhí)行流程。外部中斷可以通過(guò)不同的觸發(fā)方式來(lái)激活,包括低電平
2024-01-31 10:32:49
491 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《瑞薩Flash示例程序01型SC版本(代碼Flash)應(yīng)用說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-19 13:48:14
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《瑞薩Flash示例程序01版V1.20(SC版)發(fā)布說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-19 10:40:42
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評(píng)論