如果說芯片是國(guó)內(nèi)科技界的痛，那么內(nèi)存則更是痛中之痛。你可能都不相信，U 盤是中國(guó)發(fā)明的，但一直以來(lái)，U 盤都不是中國(guó)完全自主生產(chǎn)的，因?yàn)樾酒w粒是進(jìn)口的，中國(guó)只是造個(gè)殼子封裝一下。

所以長(zhǎng)期以來(lái)，內(nèi)存完全靠進(jìn)口，尤其在 2017-2018 年這一波漲價(jià)潮中，中國(guó)可是付出了大量的外匯。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2017 年中國(guó)進(jìn)口內(nèi)存 886.17 億美元，同比增長(zhǎng) 38.8%，占所有芯片進(jìn)口額約 40%。

隨著中國(guó)智能手機(jī)的發(fā)展，PC、物聯(lián)多設(shè)備出貨量的進(jìn)一步增加，對(duì)于內(nèi)存的需求也是越來(lái)越大，進(jìn)口額也在逐年增加。也正因?yàn)槿绱耍谠谠鐜啄曛埃瑖?guó)內(nèi)就一直有呼聲，一定要加緊制造自己的內(nèi)存出來(lái)，不能純粹靠進(jìn)口。而因?yàn)橹信d、華為被美國(guó)打壓的問題，讓我們意識(shí)到了在半導(dǎo)體領(lǐng)域受制于人所存在的巨大風(fēng)險(xiǎn)，而日本突然對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)動(dòng)致命一擊，也讓我們看到了在生意場(chǎng)上沒有所謂的盟友。

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 3D NAND 方面接二連三的獲得突破，我們的國(guó)產(chǎn)硬盤終于要批量生產(chǎn)了，更為可喜的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在閃存上的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的突破，擁有了屬于自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，這也意味著屬于國(guó)產(chǎn)硬盤的時(shí)代到來(lái)了。

除了閃存 NAND，在存儲(chǔ)方面還有大家熟知的內(nèi)存 DRAM 了，而現(xiàn)在我們?cè)趪?guó)產(chǎn) DRAM 方面，基本上還處于空白階段，前途漫漫，仍需努力拼搏，而這需要企業(yè)帶頭攻關(guān)，現(xiàn)在擔(dān)起這個(gè)重?fù)?dān)的正是紫光集團(tuán)。

早前有消息傳言稱，紫光集團(tuán)已經(jīng)決定自己組建團(tuán)隊(duì)進(jìn)行自主研發(fā) DRAM，而現(xiàn)在已經(jīng)開始了團(tuán)隊(duì)組建，為了能夠在未來(lái)五到十年獲得突破，紫光將在資金投入上達(dá)到 8000 億。

但現(xiàn)在全球 DRAM 市場(chǎng)基本上被三星、SK 海力士和美光三大廠商把控，而關(guān)于 DRAM 上的相關(guān)技術(shù)專利也是這三大廠商阻礙國(guó)產(chǎn) DRAM 崛起的利器，如果我們想在 DRAM 上獲得成功，那就必須繞開這三大廠商的專利，而要想繞開這三座大山談何容易，而這也是短時(shí)間內(nèi)在國(guó)產(chǎn) DRAM 難以獲得突破的重要原因。

不過，雖然投入上的加大，以及在人才隊(duì)伍上的建設(shè)，相信在未來(lái) 5 到 10 年的時(shí)間內(nèi)，有著相關(guān)政策以及國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的支持，還是有著較大的希望的。