本文主要使用了Cadence公司的時(shí)域分析工具對(duì)DDR3設(shè)計(jì)進(jìn)行量化分析，介紹了影響信號(hào)完整性的主要因素對(duì)DDR3進(jìn)行時(shí)序分析，通過(guò)分析結(jié)果進(jìn)行改進(jìn)及優(yōu)化設(shè)計(jì)，提升信號(hào)質(zhì)量使其可靠性和安全性大大提高。##時(shí)序分析。##PCB設(shè)計(jì)。
2014-07-24 11:11:21
4410 
為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性，并提供一種簡(jiǎn)便的、帶寬效率高的自動(dòng)化方式來(lái)初始化和使用內(nèi)存，我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:0010212 
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441485 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個(gè)時(shí)代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對(duì)比分析。
2011-12-29 14:21:563149 DDR3內(nèi)存控制器是DMA的一個(gè)從設(shè)備，英寸不會(huì)產(chǎn)生EDMA事件，數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)請(qǐng)求可以在EDMA控制器主設(shè)備中直接進(jìn)行操作。2.14. 仿真在仿真期間，DDR3內(nèi)存控制器將保持完全的功能，以允許模擬訪問(wèn)
2018-01-18 22:04:33
自己設(shè)計(jì)的板子，使用的DDR3型號(hào)為4片MT41J128M16HA125。芯片頻率是1600M，現(xiàn)配置PHY的參數(shù)如下：
現(xiàn)在對(duì)這個(gè)DQS和CK的值有些疑問(wèn)，不知道這個(gè)值是否指的就啊PCB上
2018-06-21 17:25:42
嗨，我是FPGA領(lǐng)域的新手。現(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
就可以簡(jiǎn)單的用眼圖的形式來(lái)判斷性能，而不需要像DDR3以前有建立保持時(shí)間的方法去判別，這樣的話對(duì)于我們仿真來(lái)說(shuō)會(huì)更有效率。4，根據(jù)一些功能的變化和調(diào)整減小了地址控制信號(hào)的引腳數(shù)，這個(gè)不用高速先生多說(shuō)
2021-08-12 15:42:06
我們知道DDR3內(nèi)存條，通常有個(gè)速率DDR3-800，DDR3-1066，DDR3-1333等，這個(gè)說(shuō)明他們的最高工作頻率不能超過(guò)400MHz，533MHz。。。但還有一個(gè)最低工作頻率要求，請(qǐng)問(wèn)在DDR3內(nèi)存條顆粒是那個(gè)指標(biāo)？為什么有這個(gè)要求？
2012-10-23 22:52:34
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
概述: JS-9300A內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
。Freescale公司P5020為處理器進(jìn)行分析，模塊配置內(nèi)存總線數(shù)據(jù)傳輸率為1333MT/s，仿真頻率為666MHz. 3.1仿真前準(zhǔn)備 在分析前需根據(jù)DDR3的阻抗與印制板廠商溝通確認(rèn)其PCB的疊層結(jié)構(gòu)
2014-12-15 14:17:46
ARM SOC的上電復(fù)位，DDR3內(nèi)存的復(fù)位都是由ARM CPU控制的嗎？求大神解答
2022-08-03 14:15:16
轉(zhuǎn)載DDR3內(nèi)存詳解，存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)+時(shí)序+初始化過(guò)程2017-06-17 16:10:33a_chinese_man閱讀數(shù) 23423更多分類專欄：硬件開(kāi)發(fā)基礎(chǔ)轉(zhuǎn)自：首先，我們先了解一下內(nèi)存的大體結(jié)構(gòu)工作流程，這樣會(huì)比較容量理解這些參數(shù)在其...
2021-07-27 07:10:34
通過(guò)DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過(guò)命名怎樣算出內(nèi)存的大小？
2017-06-15 21:19:11
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
共享交流一下，DDR3布線技巧
2016-01-08 08:17:53
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3，也沒(méi)有復(fù)用總線將DDR3的CS直接拉到地的話，DDR3初始化不成功所以說(shuō)DDR3的CS信號(hào)是通過(guò)沿采樣的嗎，電平采樣不行？無(wú)法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好！關(guān)于DDR3，之前有小結(jié)過(guò)如果進(jìn)行DDR3的SW leveling和進(jìn)行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時(shí)，如果進(jìn)行DDR3的問(wèn)題定位，現(xiàn)小結(jié)一下，附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問(wèn)題，可在樓下跟帖討論。謝謝！
2018-06-21 04:01:01
的時(shí)候損壞焊盤(pán)或電路板。 淺談畫(huà)PCB時(shí)的布線技巧和要領(lǐng) 布線是PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中技巧最細(xì)、限定最高的，下面是一些好的布線技巧和要領(lǐng)。 DDR3內(nèi)存的PCB仿真與設(shè)計(jì) 本文主要使用時(shí)域分析工具
2018-09-18 09:52:27
ddr3內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則
2021-07-22 06:02:39
因?yàn)楣ぷ鞯男枰罱隽讼?b class="flag-6" style="color: red">DDR3 IP核的讀寫(xiě)仿真，仿真過(guò)程中DDR寫(xiě)數(shù)據(jù)正常，但在對(duì)DDR讀取數(shù)據(jù)時(shí)出現(xiàn)以下的情況：1.MEM_DQ、MEM_DQS、MEM_DQSN始終為高阻態(tài)
2019-12-26 23:11:56
` 本帖最后由 eda-layout 于 2015-4-5 21:33 編輯
Cadence 6層板DDR3 PCB layout設(shè)計(jì)視頻教程下載鏈接: http
2014-12-17 21:16:37
Cadence 平板電腦6層板DDR3 PCB layout設(shè)計(jì)視頻教程下載鏈接鏈接：http://pan.baidu.com/s/1FJNhO密碼：jfa3播放密碼：QQ521122524完整版
2015-07-30 21:34:09
DM814x_DDR_Controller_Register_Configuration_spreadsheet_v1.0.xsl參考DDR3的內(nèi)存手冊(cè)計(jì)算配置了，SW leveling 也用DDR3_SlaveRatio_ByteWiseSearch_TI814x工具用仿真器測(cè)試
2018-05-28 04:53:46
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計(jì)。Gowin DDR3 參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載，參考設(shè)計(jì)可用于仿真，實(shí)例化加插用戶設(shè)計(jì)后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
我們參照TMDXEVM6678L開(kāi)發(fā)板設(shè)計(jì)了一塊FPGA加DSP架構(gòu)的處理板，由FPGA完成6678的boot啟動(dòng)任務(wù)。在進(jìn)行程序燒錄調(diào)試的過(guò)程中，出現(xiàn)了以下問(wèn)題。未使用到DDR3內(nèi)存部分的簡(jiǎn)單
2019-10-29 17:56:48
Achieving High Performance DDR3 Data Rates in Virtex-7 and Kintex-7 FPGAs。Xilinx官方DDR3資料。
2016-05-27 16:39:58
modelsim仿真DDR3時(shí)，出現(xiàn)下面錯(cuò)誤。Instantiation of 'B_MCB' failed. The design unit was not found.并沒(méi)有用ISE聯(lián)合仿真
2016-01-21 10:12:40
hyperlynx Sigrity信號(hào)完整性仿真之高速理論視頻教程Allegro 平板電腦DDR3 PCB設(shè)計(jì)視頻教程鏈接：https://pan.baidu.com/s/1P1elXupWFQ8KNh-u7QhCDg 密碼：fc5q
2018-08-25 15:54:28
看完保證你會(huì)做DDR3的仿真
2015-09-18 14:33:11
xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之仿真篇
2020-03-12 08:54:20
DDR3的頻率就是外頻的8倍 133=1066DDR2和DDR3的區(qū)別內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒(méi)有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同。DDR2皆為240pin。但是
2014-12-30 14:35:58
DDR3的頻率就是外頻的8倍 133=1066DDR2和DDR3的區(qū)別內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒(méi)有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同。DDR2皆為240pin。但是
2014-12-30 14:36:44
＆amp; 14用于DDR3內(nèi)存接口，但由于我使用的是3.3V的fash存儲(chǔ)器IC，我必須使用bank 14進(jìn)行閃存存儲(chǔ)器接口。原因是需要的資源僅在Bank 14中可用.DDR3存儲(chǔ)器連接的bank應(yīng)該工作在
2020-04-17 07:54:29
。外觀改變DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，觸點(diǎn)達(dá)到了284個(gè)，金手指變成彎曲狀，易于拔插并減少PCB壓力，二者模組上卡槽的位置也不同。這意味著，DDR4內(nèi)存不再兼容DDR3，老平臺(tái)電腦無(wú)法升級(jí)DDR4內(nèi)存
2019-07-25 14:08:13
我們就為你講解DDR2與DDR3的區(qū)別DDR3內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒(méi)有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3
2011-12-13 11:29:47
問(wèn)下。像我們這種僅僅是使用內(nèi)存顆粒而非研發(fā)顆粒芯片的企業(yè)，真的有必要去配這么貴的示波器嗎？如果真的出現(xiàn)了這種問(wèn)題，而我們手頭上又沒(méi)有相關(guān)設(shè)備，或者即便有設(shè)備也搞不定，向哪兒尋求技術(shù)支持呢？像DDR3這種
2017-10-26 09:54:13
嗨， 我想知道哪個(gè)DDR3內(nèi)存部件可以與Spartan-6配合使用。 SP601上的DDR2部件是aEDE1116AEBG，但在Digikey，Avnet或Farnell上不可用。無(wú)論如何我會(huì)
2019-05-21 06:16:43
本手冊(cè)以 DDR3 器件為例講解硬件設(shè)計(jì)方法，包括 FPGA I/O 分配、原理圖設(shè)計(jì)、電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、PCB 走線、參考平面設(shè)計(jì)、仿真等，旨在協(xié)助用戶快速完成信號(hào)完整性好、低功耗、低噪聲的高速存儲(chǔ)
2022-09-29 06:15:25
大量收購(gòu)現(xiàn)代DDR3長(zhǎng)期回收現(xiàn)代ddr3，高價(jià)收購(gòu)現(xiàn)代DDR3.大量求購(gòu)現(xiàn)代DDR3.深圳帝歐專業(yè)電子回收，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com
2021-10-13 19:12:25
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2021-10-13 19:18:05
現(xiàn)在因?yàn)轫?xiàng)目需要，要用DDR3來(lái)實(shí)現(xiàn)一個(gè)4入4出的vedio frame buffer。因?yàn)槠邮褂玫氖莑attice的，參考設(shè)計(jì)什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)vedio
2015-08-27 14:47:57
自建Spartan6 DDR3仿真平臺(tái)
2019-08-01 06:08:47
我正在使用vivado 2014.3，MIG 7 ddr3 verilog IP，內(nèi)存時(shí)鐘400MHz，用戶時(shí)鐘200 MHz，ddr數(shù)據(jù)寬度64位，AXI數(shù)據(jù)寬度128位。在我的系統(tǒng)中，我們有微型
2020-08-05 13:45:44
程序中需要用malloc動(dòng)態(tài)分配兩塊內(nèi)存，分別在LL2和DDR3上，請(qǐng)問(wèn)用cmd動(dòng)態(tài)分配的空間都是在.sysmem里面嗎？怎么在兩塊內(nèi)存中都動(dòng)態(tài)分布內(nèi)存呢？
如果在cfg中開(kāi)辟兩個(gè)heap的方式分別
2018-06-21 09:29:19
樹(shù)莓派3的內(nèi)存是不是DDR3的？
2016-03-26 16:00:58
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
2021-06-18 08:58:23
針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)
2012-12-29 19:12:39
飛思卡爾DDR3硬件+PCB設(shè)計(jì)參考
2016-08-30 16:32:59
飛思卡爾DDR3硬件+PCB設(shè)計(jì)參考
2014-10-24 13:52:06
威剛科技(A-DATA)推出最高速DDR3內(nèi)存模塊
威剛科技(A-DATA Technology)宣布推出最高速的XPG Plus系列DDR3-2200+ v2.0雙信道內(nèi)存模塊，針對(duì)最新的雙信道主機(jī)版
2009-08-03 07:58:021155 臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602 IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
IDT公司推出首款針對(duì)DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤(pán)和電腦主板市場(chǎng)的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、
2010-01-26 16:53:32646 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:114257 
從那時(shí)起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計(jì)讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計(jì)人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:145033 
本文章主要涉及到對(duì) DDR2 和DDR3 在設(shè)計(jì)印制線路板(PCB)時(shí)，考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB 層數(shù)，特別是4 層板
2011-07-12 17:31:10
0 目前推出單條8GB DDR3內(nèi)存的廠商也逐漸增多，但低電壓版DDR3L規(guī)格的內(nèi)存還是首次現(xiàn)身：這款產(chǎn)品出自臺(tái)灣廠商Avexir(宇帷)之手，默認(rèn)頻率DDR3-1333。Avexir這款低電壓版8GB內(nèi)存屬于旗下Gre
2011-11-01 09:04:241077 內(nèi)存顆粒廠家提供的，DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39471 針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)
2016-02-23 11:37:230 針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)，要認(rèn)證看
2016-12-16 21:23:410 華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 這段時(shí)間，DDR4內(nèi)存條價(jià)格持續(xù)處于高位，于是不少?gòu)S商和需求不高的用戶開(kāi)始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無(wú)論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價(jià)，組個(gè)入門(mén)機(jī)還挺合適。
2017-11-07 13:21:264014 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 國(guó)產(chǎn)紫光內(nèi)存DDR3顆粒的性能如何呢？值得入手嗎？為了解決大家的疑問(wèn)，我們?yōu)榇蠹規(guī)?lái)了紫光DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存的評(píng)測(cè)，幫助大家了解紫光內(nèi)存的真實(shí)性能。
2018-03-12 13:56:009783 
DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(hào)（時(shí)鐘）不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲(chǔ)帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-09-18 14:27:031304 
DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000 從成本的角度來(lái)看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個(gè)角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會(huì)被淘汰，而且兆易創(chuàng)新主要是用于利基市場(chǎng)，也就是消費(fèi)電子產(chǎn)品，對(duì)內(nèi)存的性能、容量等要求不高。
2020-11-03 10:10:212341 DDR3內(nèi)存。 兆易創(chuàng)新在電話會(huì)議中透露，自研DRAM現(xiàn)在還在按照原計(jì)劃進(jìn)行，目前研發(fā)進(jìn)度跟預(yù)期基本一樣，預(yù)期明年上半年會(huì)有產(chǎn)品出來(lái)。 兆易創(chuàng)新表示，自研第一個(gè)產(chǎn)品會(huì)是DDR3， 4Gb，面向利基市場(chǎng)。 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東
2020-11-03 11:13:592021 了，未來(lái)幾年被取代是水到渠成的，不過(guò)DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺(tái)灣的
2021-02-02 11:27:393279 本文章主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。 文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù)，特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù)，其中
2021-03-25 14:26:013864 
日前，世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示，多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入，至今已長(zhǎng)達(dá)15年，因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_(tái)，即便退出市場(chǎng)也不會(huì)
2022-04-06 12:22:564679 復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夾）下。
2023-08-12 11:08:27735 摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003905 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450
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