目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點。在這種環(huán)境下,業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:21
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存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類,前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持數(shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02
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這幾種存儲器的共同特點其實是掉電后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失,所以可以歸類為非易失性存儲器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特點是掉電后數(shù)據(jù)會丟失,所以也可稱為易失性
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲器理解存儲器是計算機結(jié)構(gòu)的重要組成部分,存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類,易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存儲器的分類存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù),從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲器(又稱易失性存儲器):體積小,功耗低,存取時間短,電源消失的時候,所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器(...
2021-07-26 08:30:22
內(nèi)部程序,其特點是價格便宜。 2、可編程的只讀存儲器(PROM): 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入,一旦寫入,只能讀出,而不能再進行更改,這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP(Only Time
2017-10-24 14:31:49
更改內(nèi)部程序,其特點是價格便宜。 2、可編程的只讀存儲器(PROM): 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入,一旦寫入,只能讀出,而不能再進行更改,這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP(Only
2017-12-21 17:10:53
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器;所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電,存儲的信息自動清除,而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
本篇文章介紹的是非易失性存儲器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計算。
2020-12-31 06:11:04
的RAM或常規(guī)的非易失性存儲。該存儲器真正是非易失性的,而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設(shè)備替代了多個零件?串行非易失性存儲器?帶鬧鐘的實時時鐘(RTC)?低VDD檢測驅(qū)動復(fù)位?看門狗窗口定時器
2023-04-07 16:23:11
存儲設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
非易失性存儲器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存儲器的特點及應(yīng)用介紹
2012-08-20 12:54:28
每個RDAC寄存器對應(yīng)于特定的EEMEM存儲器位置,該位置提供非易失性雨刮器存儲功能。地址如表7所示。單次和連續(xù)寫操作也適用于EEMEM寫操作。有12個非易失性存儲器位置,EEMEM4到EEMEM15
2020-10-10 17:29:14
DMA配置流程三、DMA應(yīng)用簡單實例1. 存儲器到存儲器(M2M)2. 存儲器到USART串口(M2P)一、DMA簡介可參考STM32中文參考手冊第10章DMA控制器。直接存儲器存取(Direct Memory Access,DMA) 用來提供在外設(shè)和存儲器之間或者存儲器和存儲器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。無須C
2022-01-26 07:54:39
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
(最初宣布推出的器件為 512KB 或 1MB)。此外,該存儲器也可配置為全高速緩存、全存儲器映射 SRAM(默認),或是 32、64、128、256 或 512KB 四路集關(guān)聯(lián)高速緩存選項的組合。 至
2011-08-13 15:45:42
該板上檢測到NLP。我嘗試在重置線上電后重置PHY,但這沒有用。顯然,我的PHY配置有問題,但由于Ido沒有PHY的數(shù)據(jù)表,我不知道如何重新配置??它甚至測試其當前配置。 PHY是否將配置數(shù)據(jù)存儲在非易失性存儲器中?寄存器中有一點需要改變嗎?部件是否完全壞了?
2019-08-27 07:45:17
SST26VF064B存儲器IoT設(shè)備設(shè)計需要考慮哪些問題?非易失性存儲器怎么選擇?
2021-06-15 07:57:36
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設(shè)->存儲器存儲器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
你好,作為NVSRAM的一部分,非易失性存儲器的耐力E/P周期是多少?最好的問候,井上 以上來自于百度翻譯 以下為原文Hi, How much are endurance E/P cycles
2018-10-19 15:57:30
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器,而
2019-06-26 07:11:05
EVAL-AD5232SDZ,用于AD5232雙通道,256位,非易失性存儲器數(shù)字電位器的評估板。 AD5232具有多種可編程性,允許多種工作模式,包括RDAC和EEMEM寄存器中的讀/寫訪問,電阻的遞增/遞減
2020-04-01 09:01:26
的載體。因此各種IC卡的應(yīng)用特 點主要體現(xiàn)在IC卡存儲器的類型,存儲器容量的大小和卡片電路的附加控制功能等幾個方面。 在IC卡中使用的存儲器類型主要分為兩大類:易失性存儲器和非易失性存儲器。 易失
2020-12-25 14:50:34
你好,我在應(yīng)用中使用了PIC24FJ128GC06。我想用一頁的閃存(512字,1536字節(jié))作為非易失性存儲區(qū)來存儲設(shè)置、配置和校準數(shù)據(jù)。我知道如何使用TBLPTRS讀取和寫入訪問內(nèi)存,以及
2018-10-19 16:08:12
Efuse是什么?Efuse的作用有哪些?如何去使用Efuse一次性可編程存儲器呢?
2021-11-02 06:55:41
,并且它還表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706/07能夠讀取來自非易失性存儲器。問題:你能幫助我理解如何將XTAL頻率信息存儲到
2018-11-15 15:55:17
我需要把一個數(shù)組保存到非易失性存儲器中,這樣我就可以通過電源周期來維護數(shù)據(jù)。我已經(jīng)看到EEPROM模塊,并考慮使用這一點,但我不確定這個模塊的操作。我試圖做到以下幾點:我想保存到非易失性存儲器陣列
2019-07-24 13:39:00
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長,其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。
2019-11-01 07:01:17
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器: 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器:掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
您好,我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM(非易失性存儲器)。我已經(jīng)設(shè)法寫和讀,但是現(xiàn)在我面臨的問題是,我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲器的最后一頁是NVM的一頁。謝謝,問候,
2019-09-18 10:31:51
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別?特點?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
汽車系統(tǒng)的設(shè)計變得越來越復(fù)雜,因為要不斷的加入新的功能,如高級駕駛輔助,圖形儀表,車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作,每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器,以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
設(shè)計需求相變存儲器技術(shù)直接解決了當今電子系統(tǒng)的需求:密度隨著消費者,電腦和通訊電子系統(tǒng)的融合,所有電子系統(tǒng)中代碼均出現(xiàn)指數(shù)性增長,數(shù)據(jù)的增長速度甚至更快.為了滿足這種增長的需要,存儲器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。易失性存儲器斷電后,里面存儲
2022-02-11 07:51:30
電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
系統(tǒng),在系統(tǒng)掉電的同時能存儲系統(tǒng)設(shè)置信息也是非常重要。GIS和信息娛樂系統(tǒng)都有高清圖形顯示不僅需要存儲與讀取啟動程序還需要存儲與讀取非常大的配置從外部的非易失性存儲器。 除了滿足應(yīng)用的需求
2018-05-21 15:53:37
S25FS128SDSNFI100,MirrorBit?閃存非易失性存儲器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口 
2023-02-07 14:23:17
不同的應(yīng)用對存儲器結(jié)構(gòu)有不同的需求:在運行控制任務(wù)時,需要Cache 匹配速度差異;在處理數(shù)據(jù)流時,需要片內(nèi)存儲器提高訪問帶寬。本文設(shè)計了一種基于SRAM 的可配置Cache/SRAM
2010-01-25 11:53:55
24 摘 要: 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:18
2412 
鐵電存儲器工作原理和器件結(jié)構(gòu)
?
1 鐵電存儲器簡介
隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展,對于非易失性存儲器的需求越來越大,讀寫速度
2009-10-25 09:59:50
9100 
面向納電子時代的非易失性存儲器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28
636 本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:59
1942 
Synopsys, Inc.宣布:即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲器(NVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:28
983 介紹μPSD的存儲器系統(tǒng)內(nèi)部結(jié)構(gòu)和配置方法,討論了相關(guān)PSDSOFT軟件的使用方法。
2011-09-14 18:01:24
987 
“非易失性存儲器”作為新一代國際公認存儲技術(shù),越來越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲器國際研討會上獲悉,上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國際先進
2011-11-08 09:16:59
746 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16,是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器,為對功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計開創(chuàng)了全新的機遇.
2012-02-07 09:00:55
1190 汽車系統(tǒng)的設(shè)計變得越來越復(fù)雜,因為要不斷的加入新的功能,如高級駕駛輔助,圖形儀表,車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作,每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器,以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲信息。
2018-04-29 11:02:00
7701 
非易失性存儲器是指當電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:00
10224 非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:41
17003 非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:00
8357 SLG46620-A為常用的混合信號功能提供小巧且低功耗的元件。用戶通過配置一次非易失性存儲器(NVM)來創(chuàng)建其電路設(shè)計,以配置SLG46620-A的互連邏輯、I/O引腳和宏單元。
2019-12-13 15:13:40
2935 新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機存取存儲器(FeRAM),磁性隨機存取存儲器(MRAM),相變存儲器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:31
1840 良好的設(shè)計是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測試和驗證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:16
847 
經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲器(NVRAM)未來的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項非易失性存儲器技術(shù),MRAM存儲芯片是可以在掉電時保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:43
1266 SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源(如電池)供電時,他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技術(shù)的優(yōu)缺點。 表1非易失性存儲器比較
2020-10-23 14:36:12
1516 
MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下來的十年中,兩種新興的非易失性存儲器類型(相變存儲器和磁RAM)將在獨立存儲器中處于領(lǐng)先地位。
2020-11-24 15:29:16
2516 溫度條件下運行,并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車,工業(yè),軍事和太空應(yīng)用,這些對于MRAM開發(fā)人員來說是重要的部分。 那么MRAM的優(yōu)勢究竟有哪些呢?下面我們分幾點一起來看看: 首先,MRAM是非易失性存儲器,也就是斷電后MRAM依舊可以保存數(shù)據(jù)。這一
2021-03-03 16:40:05
955 AN-729: AD5254四通道256位I2C兼容型非易失性存儲器數(shù)字電位計評估套件
2021-03-21 08:03:23
4 串行接口存儲器廣泛應(yīng)用于消費類、汽車、電信、醫(yī)療、工業(yè)和 PC 相關(guān)市場。串行存儲器主要用于存儲個人偏好數(shù)據(jù)和配置/設(shè)置數(shù)據(jù),是當今使用的最為靈活的非易失性存儲器(Nonvolatile
2021-03-31 11:14:47
7 非易失性存儲器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:20:48
6 非易失性存儲器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:30:09
15 AD5235:非易失性存儲器,雙1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-14 10:42:53
17 ADN2860:帶非易失性存儲器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器
2021-04-19 13:28:38
4 AN-579:使用帶非易失性存儲器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器
2021-04-25 20:34:37
12 AD5233:非易失性存儲器,四位64位電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-25 20:46:31
6 AD5232:非易失性存儲器,雙256位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-26 20:14:47
1 ADN2850:非易失性存儲器,雙1024位數(shù)字電阻器數(shù)據(jù)表
2021-04-30 21:13:24
2 AD5232非易失性存儲器數(shù)字電位器評估板用戶手冊
2021-05-17 13:58:37
6 FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲器,實時時鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時器,非易失性事件計數(shù)器,可鎖定的64位序列號區(qū)域以及可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53
912 
AD5231:非易失性存儲器,1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-05-18 17:02:05
5 AD5255:帶非易失性存儲器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器
2021-05-18 19:29:46
8 FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:52
1134 非易失性存儲器S25FL512S手冊免費下載。
2021-06-10 09:46:24
2 FM25V02A是使用高級鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的;與RAM相同,它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時間,并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性的問題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:08
2426 所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器;所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電,存儲的信息自動清除,而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指RAM,而RAM分為動態(tài)RAM(
2021-11-26 19:36:04
37 什么是FRAM? FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是一種非易失性存儲器,它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取存儲器)的特性,具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36
766 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費下載
2022-09-22 10:00:54
0 DRAM屬于易失性存儲器,也就是大家常說的內(nèi)存。今天,我們再來看看半導(dǎo)體存儲的另一個重要領(lǐng)域,也就是非易失性存儲器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等)。
2022-10-13 09:24:13
1347 的哈佛機器。MAXQ器件包含實現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)的硬件,允許方便地訪問代碼空間作為數(shù)據(jù)存儲器。這種額外的多功能性,結(jié)合MAXQ提供存儲器寫和擦除服務(wù)的實用功能,為完整的讀寫、非易失性存儲器子系統(tǒng)提供了背景。
2023-03-03 14:48:48
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存儲器按存儲介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲器,一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看,易失性存儲器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:43
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FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56
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易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28
877 Flash存儲器是一種非易失性存儲器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:28
2619 如何充分利用單片機(MCU)的非易失性存儲器 單片機(MCU)的非易失性存儲器(NVM)是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù),即使在斷電或復(fù)位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM,我們
2023-12-15 10:10:49
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