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電子發燒友網>存儲技術>緩沖/存儲技術>三星成功開發新型硅通孔(TSV)8 層技術的DDR5芯片

三星成功開發新型硅通孔(TSV)8 層技術的DDR5芯片

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2021-09-23 19:20:15

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2021-02-23 17:54:12

三星3nmGAA技術介紹 #芯片設計

IC設計存儲技術芯片設計三星
EE_Voky發布于 2022-06-28 17:19:09

技術內存接口DDR5有望2019年量產

下一代服務器DIMM緩沖器芯片瞄準DDR5內存應用。 替代型內存崛起。 DDR5接口芯片的內存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096

三星電子成功開發出了DDR5芯片

隨著現代計算機能力的不斷發展,推動著存儲器件朝著更高性能的方向發展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開發DDR5芯片,可提供更強大、更可靠的性能,支持現代服務器不斷增長的需求。
2020-02-22 09:40:47760

十銓已開啟DDR5內存模組的開發測試

繼早前展望了消費級 DDR5 內存產品線的規劃之后,十銓(TeamGroup)現已開啟 DDR5 內存模組的工程樣品開發工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作,對 DDR5 工程
2020-12-16 15:40:331924

十銓稱已成功開發DDR5 SO-SIMM內存,希望率先與Intel、AMD的新平臺進行驗證合作

去年底,TEAMGROUP(十銓)宣布正開發DDR5內存條(U-DIMM,用于臺式機)。現在,SO-DIMM形態的DDR5內存也官宣了,筆記本、迷你機、NAS等將因此受益。 十銓稱已成功開發
2021-01-26 16:43:212616

三星大力生產DDR5,加速DDR4向DDR5過渡

通過對硅層進行研磨,三星已經能夠使組成裸片的厚度減少40%,并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實際上更薄,分別為1.0毫米和 1.2 毫米。
2022-06-28 15:10:251026

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

(nm)級工藝技術打造的16Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。? “ ?三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung?Lee表示: 三星12nm
2022-12-21 11:08:29521

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

出其首款采用12納米(nm)級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人
2022-12-21 21:19:54756

ddr5的主板可以用ddr4內存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內存。DDR5(第五代雙倍數據率)和DDR4(第四代雙倍數據率)是兩種不同規格的內存技術,它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823

ddr5為什么能跑得那么穩呢

隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產工藝難度的加大,DRAM內存出現單位錯誤的風險也隨之增加,為進一步改善內存信道,糾正DRAM芯片中可能出現的位錯誤,DDR5引入了片上ECC技術,將ECC集成到DDR5芯片內部,提高可靠性并降低風險,同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106

瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅動器芯片DDR5 RCD04)

近日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅動器芯片DDR5 RCD04),該芯片支持高達7200 MT/s的數據速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,
2024-01-04 09:26:58289

瀾起科技宣布推出DDR5第四子代RCD芯片

瀾起科技,一直致力于引領內存接口芯片領域的創新,近日再次實現了重大突破。經過不斷的技術積累和產品升級,他們成功研發出DDR5第四子代RCD芯片DDR5 RCD04),進一步鞏固了其在這一領域的領先地位。
2024-01-07 16:30:11457

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