CPU 是怎么被制造出來的

　　（ 1 ） 硅提純

　　生產 CPU 等芯片的材料是半導體，現階段主要的材料是硅 Si ，這是一種非金屬元素，從化學的角度來看，由于它處于元素周期表中金屬元素區與非金屬元素區的交界處，所以具有半導體的性質，適合于制造各種微小的晶體管，是目前最適宜于制造現代大規模集成電路的材料之一。

　　在硅提純的過程中，原材料硅將被熔化，并放進一個巨大的石英熔爐。這時向熔爐里放入一顆晶種，以便硅晶體圍著這顆晶種生長，直到形成一個幾近完美的單晶硅。以往的硅錠的直徑大都是 200 毫米，而 CPU 廠商正在增加 300 毫米晶圓的生產。

　　（ 2 ）切割晶圓

　　硅錠造出來了，并被整型成一個完美的圓柱體，接下來將被切割成片狀，稱為晶圓。晶圓才被真正用于 CPU 的制造。所謂的“切割晶圓”也就是用機器從單晶硅棒上切割下一片事先確定規格的硅晶片，并將其劃分成多個細小的區域，每個區域都將成為一個 CPU 的內核 （Die） 。一般來說，晶圓切得越薄，相同量的硅材料能夠制造的 CPU 成品就越多。

　　（ 3 ）影印（ Photolithography ）

　　在經過熱處理得到的硅氧化物層上面涂敷一種光阻 （Photoresist） 物質，紫外線通過印制著 CPU 復雜電路結構圖樣的模板照射硅基片，被紫外線照射的地方光阻物質溶解。而為了避免讓不需要被曝光的區域也受到光的干擾，必須制作遮罩來遮蔽這些區域。這是個相當復雜的過程，每一個遮罩的復雜程度得用 10GB 數據來描述。

　　（ 4 ）蝕刻 （Etching）

　　這是 CPU 生產過程中重要操作，也是 CPU 工業中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來停止光照并移除遮罩，使用特定的化學溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。

　　然后，曝光的硅將被原子轟擊，使得暴露的硅基片局部摻雜，從而改變這些區域的導電狀態，以制造出 N 井或 P 井，結合上面制造的基片， CPU 的門電路就完成了。

　　（ 5 ）重復、分層

　　為加工新的一層電路，再次生長硅氧化物，然后沉積一層多晶硅，涂敷光阻物質，重復影印、蝕刻過程，得到含多晶硅和硅氧化物的溝槽結構。重復多遍，形成一個 3D 的結構，這才是最終的 CPU 的核心。每幾層中間都要填上金屬作為導體。 Intel 的 Pentium 4 處理器有 7 層，而 AMD 的 Athlon 64 則達到了 9 層。層數決定于設計時 CPU 的布局，以及通過的電流大小。

　　（ 6 ）封裝

　　這時的 CPU 是一塊塊晶圓，它還不能直接被用戶使用，必須將它封入一個陶瓷的或塑料的封殼中，這樣它就可以很容易地裝在一塊電路板上了。封裝結構各有不同，但越高級的 CPU 封裝也越復雜，新的封裝往往能帶來芯片電氣性能和穩定性的提升，并能間接地為主頻的提升提供堅實可靠的基礎。

　　（ 7 ）多次測試

　　測試是一個 CPU 制造的重要環節，也是一塊 CPU 出廠前必要的考驗。這一步將測試晶圓的電氣性能，以檢查是否出了什么差錯，以及這些差錯出現在哪個步驟（如果可能的話）。接下來，晶圓上的每個 CPU 核心都將被分開測試。

　　由于 SRAM （靜態隨機存儲器， CPU 中緩存的基本組成）結構復雜、密度高，所以緩存是 CPU 中容易出問題的部分，對緩存的測試也是 CPU 測試中的重要部分。

　　每塊 CPU 將被進行完全測試，以檢驗其全部功能。某些 CPU 能夠在較高的頻率下運行，所以被標上了較高的頻率;而有些 CPU 因為種種原因運行頻率較低，所以被標上了較低的頻率。最后，個別 CPU 可能存在某些功能上的缺陷，如果問題出在緩存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分緩存，這意味著這塊 CPU 依然能夠出售，只是它可能是 Celeron 等低端產品。

　　當 CPU 被放進包裝盒之前，一般還要進行最后一次測試，以確保之前的工作準確無誤。根據前面確定的最高運行頻率和緩存的不同，它們被放進不同的包裝，銷往世界各地。