在非存儲器（晶圓代工／IDM） 12吋晶圓產(chǎn)能部分，主要有4家中國廠釋出新增產(chǎn)能的訊息。

（1）中芯于上海規(guī)劃新增月產(chǎn)能7萬片的14～7nm產(chǎn)能，深圳新增4萬片的65～55nm產(chǎn)能。

（2）華力微于上海規(guī)劃新增4萬片的28～14nm產(chǎn)能。

（3）德科瑪在淮安規(guī)劃2萬片CIS產(chǎn)能。

（4）紫光規(guī)劃于成都興建12寸廠。

由于自28nm制程開始，晶圓廠須采用難度較高的多重曝光技術(shù)（Multiple Patterning），是先進(jìn)制程的基礎(chǔ)，連帶牽動先進(jìn)制程（28nm以下）的發(fā)展進(jìn)度，2016年底中芯28nm營收占比僅有3．5％，顯示其制程良率的控制能力穩(wěn)定性仍不足，將影響28nm以下制程進(jìn)度，2018年底中芯14nm很可能處于試產(chǎn)狀態(tài)。

而華力微新廠于2016年底動土，因此即使發(fā)展順利，也要2018下半年才有機會進(jìn)入試產(chǎn)。而紫光雖釋出興建12寸廠訊息，但未有詳細(xì)動工時間，估計2018年尚不會有產(chǎn)能釋出。

因此2018年中國企業(yè)規(guī)劃的新增產(chǎn)能將可能難以達(dá)成，預(yù)期下修至7．2萬片，其中中國廠商的先進(jìn)制程（28nm含以下）產(chǎn)能約1．2萬片，占新增產(chǎn)能近17％，估計2018年中國自主非存儲器產(chǎn)能將占全球非存儲器產(chǎn)能比重約6．7％。

存儲器部分，共計4座新廠進(jìn)行投產(chǎn)。

（1）晉華以25nm制程為目標(biāo)規(guī)劃12萬片DRAM產(chǎn)能。

（2）長鑫科技于合肥規(guī)劃月產(chǎn)能達(dá)12．5萬片存儲器芯片產(chǎn)能。

（3）長江存儲于武漢規(guī)劃新建3D NAND晶圓廠，預(yù)計于2020年達(dá)到月產(chǎn)能30萬片。

（4）紫光則釋出將于南京建立月產(chǎn)能10萬片的晶圓廠，主要生產(chǎn)存儲器芯片。

從晶圓廠動土到進(jìn)行試產(chǎn)一般約18個月，實際量產(chǎn)時間則是各企業(yè)的技術(shù)能力及量產(chǎn)經(jīng)驗而定，除了紫光尚未釋出實際建廠進(jìn)度外，晉華于2016年底開始動土，2018下半年才有機會進(jìn)行試產(chǎn)，此外25nm需用雙重曝光技術(shù)（Double Patterning）及浸潤式曝光機（ArF－immersion），制程難度大幅提升，將影響實際產(chǎn)能開出的進(jìn)度。

而長鑫的新廠動土?xí)r間規(guī)劃于2017下半年開始，估計2018年底尚不會有產(chǎn)能開出。

長江存儲則正規(guī)劃發(fā)展32層垂直堆疊的3D－NAND，預(yù)計2018年底將可問世，預(yù)計總產(chǎn)能將達(dá)到約5萬片。

因此2018年中國廠商規(guī)劃的新增產(chǎn)能或?qū)㈦y以達(dá)成，預(yù)期下修至9萬片，估計2018年中國自主存儲器產(chǎn)能將占全球存儲器產(chǎn)能比重約4．4％。

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