全球有線和無線通信半導(dǎo)體創(chuàng)新解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者博通（Broadcom）公司（Nasdaq：BRCM）宣布，推出一系列2x2 5G WiFi產(chǎn)品以擴充其5G WiFi產(chǎn)品陣容。新品為PC、平板電腦、機頂盒、電視和家用路由器等數(shù)字家庭設(shè)備提供了所需的連接速度、覆蓋范圍和功率。
2013-06-05 11:33:22
1178 【ROHM半導(dǎo)體（上海）有限公司 9月22日上海訊】全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴充。
2014-09-22 14:50:101531 
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:505045 在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
在不久前的一場羅姆SiC產(chǎn)品分享會上，筆者詳細了解了SiC產(chǎn)品在功率器件中的比較優(yōu)勢，以及該公司在SiC產(chǎn)品線、車規(guī)產(chǎn)品以及生產(chǎn)制造方面的情況。
2019-07-12 17:35:598422 ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用，與以往的OBC相比，新OBC所在單元的效率提高了1%（效率高達95.7%，功率損耗比以往降低約20%）。
2020-03-18 07:58:001590 ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案，不僅專注于行業(yè)先進的SiC功率元器件，還積極推動Si功率元器件和驅(qū)動IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。
2021-07-08 16:31:581605 
”和“BSM600D12P3G001”。ROHM于2012年3月份于全球首家開始量產(chǎn)內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴大，并擁有達1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著
2018-12-04 10:20:43
元器件則是可顯著減少功率轉(zhuǎn)換時損耗的關(guān)鍵器件。一直以來都在SiC功率器件領(lǐng)域處于業(yè)界領(lǐng)先地位的ROHM，展示的"全SiC"功率模塊是一款具有高速開關(guān)、低開關(guān)損耗、高速 恢復(fù)、消除寄生
2019-04-12 05:03:38
元器件則是可顯著減少功率轉(zhuǎn)換時損耗的關(guān)鍵器件。一直以來都在SiC功率器件領(lǐng)域處于業(yè)界領(lǐng)先地位的ROHM，展示的"全SiC"功率模塊是一款具有高速開關(guān)、低開關(guān)損耗、高速 恢復(fù)、消除寄生
2019-07-11 04:17:44
元器件則是可顯著減少功率轉(zhuǎn)換時損耗的關(guān)鍵器件。一直以來都在SiC功率器件領(lǐng)域處于業(yè)界領(lǐng)先地位的ROHM，展示的"全SiC"功率模塊是一款具有高速開關(guān)、低開關(guān)損耗、高速 恢復(fù)、消除寄生
2019-07-15 04:20:14
ROHM集團是全球最知名的半導(dǎo)體廠商之一，其推出的串行EEPROM最適用于數(shù)據(jù)保存，產(chǎn)品陣容豐富，在全球市場上擁有較高的占有率，可提供不同容量、總線接口及封裝類型的產(chǎn)品，包含通用型和車載應(yīng)用型，適合
2019-07-11 04:20:11
提出的新需求。”而作為ROHM公司在上海的一級代理商上海皇華信息科技有限公司的重要加入。根據(jù)規(guī)劃，ROHM今后將重點從以下三方面對電阻器展開研發(fā)：一是電流檢測用電阻器，主要是為了擴大小型大功率產(chǎn)品的陣容
2016-08-15 15:25:01
業(yè)界超小級別的“PSR330”和“PSR100”，還計劃推出0.2mΩ 的產(chǎn)品，以進一步增強“PSR系列”的產(chǎn)品陣容。在工業(yè)設(shè)備的功率模塊中，早已出現(xiàn)了內(nèi)置分流電阻器的產(chǎn)品。近年來，在xEV的主驅(qū)
2023-03-14 16:13:38
）。 upfile 未來，ROHM計劃繼續(xù)擴充小型和大功率模塊的產(chǎn)品陣容，以進一步擴大可應(yīng)用的范圍。 upfile 新產(chǎn)品特點 天線和電路板一體型模塊，可大大縮短開發(fā)周期，并輕松實現(xiàn)無線供電功能 新產(chǎn)品是天線
2022-05-17 12:00:35
前言全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴充。在支撐"節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能"技術(shù)的半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，ROHM
2019-07-08 08:06:01
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
Solutions提供支持，我由衷地感到高興。ROHM是SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)，在業(yè)內(nèi)率先提供先進的元器件技術(shù)和驅(qū)動IC等產(chǎn)品相結(jié)合的電源解決方案，并取得了驕人的業(yè)績。今后，ROHM將繼續(xù)與Murata
2023-03-02 14:24:46
的優(yōu)化等，要花費巨大努力。ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器家族是以“找到最佳”為首要目標的家族。下圖表示現(xiàn)在的產(chǎn)品家族粗略構(gòu)成情況。以方式和控制方法分類，根據(jù)特性選擇符合要求的方式，進而從中找到與輸入輸出條件
2018-12-04 10:30:30
。BD4xxMx系列/BDxxC0A系列 －其1－來自工程師的聲音43種機型的豐富變化是有原因的ROHM擁有豐富的LDO線性穩(wěn)壓器IC產(chǎn)品陣容，最近推出的“BD4xxMx系列和BDxxC0A系列
2018-12-04 10:34:22
電解電容器，使用陶瓷 電容即可滿足要求，這非常有助于縮減貼裝面積并降低成本。3．支持所有用途的通用封裝群 通過改善電路結(jié)構(gòu)，減少模塊數(shù)量，同時重新安排芯片布局，使產(chǎn)品陣容具備從適合嚴苛用途的功率封裝
2019-04-08 08:27:05
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
。本篇到此結(jié)束。關(guān)于SiC-MOSFET，將會借其他機會再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關(guān)鍵要點:?ROHM針對SiC-SBD的可靠性，面向標準的半導(dǎo)體元器件，根據(jù)標準進行試驗與評估。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當(dāng)前的SiC-SBD?反向恢復(fù)
2019-03-27 06:20:11
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
，提前了解各產(chǎn)品的具體不同之處，有助于縮短設(shè)計時間。SiC-SBD的發(fā)展ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流產(chǎn)品，已經(jīng)實現(xiàn)近50種機型的量產(chǎn)銷售。下圖是第1代到第3代的正向電壓與電流特性（VF
2018-11-30 11:51:17
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
工作等SiC的特征所帶來的優(yōu)勢。通過與Si的比較來進行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應(yīng)對大功率時，有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標準化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
。我們就SCS3系列的特點、應(yīng)用范圍展望等，采訪了負責(zé)開發(fā)的ROHM株式會社 功率元器件制造部 千賀 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產(chǎn)品。后面我會問到第三代SiC-SBD的特點
2018-12-03 15:12:02
。目前，ROHM正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類型。以下整理了現(xiàn)有機型產(chǎn)品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A～600A
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。ROHM在上個賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
元件。?雖然是新半導(dǎo)體，但在要求高品質(zhì)和高可靠性的車載設(shè)備市場已擁有豐碩的實際應(yīng)用業(yè)績。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC功率元器件SiC-SBDSiC-MOSFET「全SiC」功率模塊
2018-11-29 14:39:47
(7V～36V)，可生成5.0V等低電壓。振蕩頻率1MHz的高速產(chǎn)品，適用于小型電感。是電流模式控制DC/DC轉(zhuǎn)換器，具有高速瞬態(tài)響應(yīng)性能，可輕松設(shè)定相位補償。二、功率元器件05 全SiC功率模塊內(nèi)置
2018-10-17 16:16:17
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設(shè)計——功率子模塊驅(qū)動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開發(fā)經(jīng)驗，曾設(shè)計過基于半橋級聯(lián)型拓撲的儲能系統(tǒng)，通過電力電子裝置實現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
。另一方面，全SiC功率模塊由SiC的MOSFET和SiC的SBD (Schottky Barrier Diode)組成，具有低損耗、高工作溫度等特點，如果將其用于APS中，有助于提高產(chǎn)品的效率，實現(xiàn)
2017-05-10 11:32:57
范圍的高性能硅方案，也處于實現(xiàn)寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，為設(shè)計人員提供針對不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2020-10-30 08:37:36
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。當(dāng)前正在
2018-12-04 10:15:20
望嘗試運行SiC元器件的各位、希望提高開發(fā)效率的各位使用我公司的評估板。請參考ROHM官網(wǎng)的“SiC支持頁面”。SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點必看＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-MOSFETAC/DC轉(zhuǎn)換器全SiC功率模塊
2018-12-04 10:11:25
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
設(shè)計方面，SiC功率模塊被認為是關(guān)鍵使能技術(shù)。 為了提高功率密度，通常的做法是設(shè)計更高開關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器。 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡介 在許多應(yīng)用中，較高的開關(guān)頻率會導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
納斯達克上市代號：ONNN)擴充高性能電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器產(chǎn)品陣容，推出針對工業(yè)成像應(yīng)用的最新器件。安森美半導(dǎo)體先進的CCD圖像傳感器系列新增860萬像素先進攝影系統(tǒng)H型(APS-H)光學(xué)制式KAI-08670圖像傳感器，提供最嚴格應(yīng)用所要求的關(guān)鍵成像性能。
2020-04-26 09:46:34
元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴大，并擁有達1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著新封裝的開發(fā)， ROHM繼續(xù)擴充產(chǎn)品陣容，如今已經(jīng)擁有覆蓋IGBT
2018-12-04 10:19:59
范圍的高性能硅方案，也處于實現(xiàn)寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，為設(shè)計人員提供針對不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2019-07-31 08:33:30
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動器對開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動模式與基本結(jié)構(gòu)這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”功率模塊 重點必看采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴充產(chǎn)品陣容＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞全SiC功率模塊SiC-MOSFETSiC-SBDIGBTFRD
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
AEC-Q101標準對汽車級離散器件的影響之后，它介紹了ROHM半導(dǎo)體公司的兩款符合AEC標準的SiC功率器件，并強調(diào)了成功設(shè)計必須考慮的關(guān)鍵特性。為電動汽車和混合動力汽車提供動力
2019-08-11 15:46:45
-MOSFET。關(guān)鍵要點:?ROHM已實現(xiàn)采用獨有雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET的量產(chǎn)。?溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET與DMOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品相比，導(dǎo)通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
設(shè)計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-05-07 06:21:51
%。這非常有望進一步實現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴充N溝道功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 ST推出家電控制產(chǎn)品陣容的智能功率模塊
意法半導(dǎo)體ST推出其家用電器和低功率電機驅(qū)動設(shè)備半
2010-04-14 16:49:251010 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充恒流穩(wěn)流器(CCR)陣容，推出NSI50350A。這簡單而極強固的器件特為用于發(fā)光
2011-09-26 08:45:391372 Bridgelux 公司長期致力于創(chuàng)新照明以及提供各種高功率、省電型、及經(jīng)濟型LED解決方案，宣布擴充旗下極為成功的Decor系列超高演色指數(shù)（CRI）LED陣列的產(chǎn)品陣容。為因應(yīng)商店與零售
2012-05-04 11:32:23728 三菱電機株式會社定于7月31日開始，依次提供5個品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導(dǎo)體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 ROHM為滿足汽車市場對低阻值產(chǎn)品的多樣化需求，打造了豐富的低阻值系列產(chǎn)品陣容。##貼片低阻值產(chǎn)品，根據(jù)其材料與結(jié)構(gòu)大致分為兩類。一類是基于稱為厚膜低阻值的通用厚膜貼片電阻器技術(shù)的產(chǎn)品，另一類是采用金屬材料的金屬低阻值產(chǎn)品。##采用金屬電阻體材料的低阻值產(chǎn)品。
2014-04-17 16:26:372107 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM進一步擴充了非常適合可穿戴設(shè)備等小型移動設(shè)備的小型薄型芯片LED PICOLED TM“SML-P1系列”產(chǎn)品陣容，同一尺寸具備多達15種顏色的產(chǎn)品。
2015-04-28 14:48:31911 株式會社村田制作所擴充了支持高溫用途的汽車用引線型多層陶瓷電容器RHS系列的產(chǎn)品陣容。
2018-01-13 09:36:204982 種背景下，客戶對擁有多年豐碩業(yè)績的ROHM的要求也日益提高，因此，此次在具有大功率、超低阻值特色的PSR系列中又新增了小型產(chǎn)品陣容。
2018-02-19 01:42:004290 目前世界正掀起前所未有的節(jié)能浪潮，業(yè)界對于可有效提升能源效率的SiC功率器件充滿期待。為了滿足日益增加的市場需求，ROHM決定在Apollo筑后工廠增建新廠房，以提高生產(chǎn)能力。
2018-04-22 10:56:00680 羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 本視頻介紹了SiC SBD、SiC-MOSFETs、“全SiC”功率模塊。ROHM的"全SiC"功率模塊具有高速開關(guān)、低開關(guān)損耗、高速恢復(fù)、消除寄生二極管通電導(dǎo)致的原件劣化問題等特點，可用于電機驅(qū)動、太陽能發(fā)電、轉(zhuǎn)換器等多元化領(lǐng)域。
2018-06-26 17:53:007927 東京--東芝存儲器株式會社宣布新增2.5英寸新產(chǎn)品，擴充其適用于超大型云應(yīng)用的XD5系列數(shù)據(jù)中心NVMe? SSD的產(chǎn)品陣容。樣品發(fā)貨將于2019年第二季度啟動。
2019-03-20 17:16:423536 在這種背景下，ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開始加強符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的產(chǎn)品陣容，并在車載充電器（On Board
2020-06-19 14:21:074199 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，ROHM實現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無法
2020-09-24 10:45:00
0 ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22673 
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101”，而且共有13款型號，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:24564 
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。
2023-02-10 09:41:02320 
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05434 
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 日本電產(chǎn)（尼得科/Nidec）擴充了面向數(shù)據(jù)中心的水冷模塊產(chǎn)品陣容。
2022-09-13 14:40:00517 
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
本文將通過圖文及視頻的形式為各位介紹太陽誘電功率電感器產(chǎn)品陣容、特點&優(yōu)勢、基礎(chǔ)信息等。
2024-01-05 12:20:28142 
太陽誘電使用具有高直流飽和特性的金屬磁性材料，擴充了具有小型化、薄型化優(yōu)勢的多層型金屬功率電感器 MCOIL?LSCN 系列的產(chǎn)品陣容。
2024-01-06 15:13:52544 
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