功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:52
2075 等大功率領(lǐng)域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，對功率器件的可靠性要求很高，為此，針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評估技術(shù)對其進行了高溫
2024-01-04 09:41:54599 
V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
ROHM，除了ROHM產(chǎn)品的可靠性高以外，還在于ROHM的服務(wù)支持非常迅速，從試制階段開始就能提供樣品。此外，我們正在開發(fā)的三相逆變器中也使用了ROHM的SiC MOSFET，相關(guān)產(chǎn)品可以滿足我們的性能
2023-03-02 14:24:46
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-SBD－關(guān)于可靠性試驗所謂SiC-MOSFET所謂SiC-MOSFET－特征所謂SiC-MOSFET－功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區(qū)別與IGBT
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
設(shè)計，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。※該數(shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
半導(dǎo)體的測試方法，其可靠性試驗結(jié)果如下。從結(jié)果可以看出，ROHM的SiC-MOSFET具有足夠的可靠性。關(guān)鍵要點:?ROHM的SiC-MOSFET與已經(jīng)普及的Si-MOSFET具有相同的可靠性。
2018-11-30 11:30:41
SiC-SBD－SiC-SBD的發(fā)展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優(yōu)勢所謂SiC-SBD－關(guān)于可靠性試驗所謂SiC-MOSFET所謂SiC-MOSFET－特征所謂SiC-MOSFET－功率
2018-11-27 16:38:39
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設(shè)計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
，其重要性在以后的部分中得到了保存。在這里，我們證實了今天的SiC MOSFET質(zhì)量，包括長期可靠性，參數(shù)穩(wěn)定性和器件耐用性。 使用加速的時間相關(guān)介質(zhì)擊穿（TDDB）技術(shù)，NIST的研究人員預(yù)測
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
。本篇到此結(jié)束。關(guān)于SiC-MOSFET，將會借其他機會再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關(guān)鍵要點:?ROHM針對SiC-SBD的可靠性，面向標準的半導(dǎo)體元器件，根據(jù)標準進行試驗與評估。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
設(shè)計，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。※該數(shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，該信息也非常有用。“柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
可靠性試驗分類方法及試驗標準 1.如可靠性測試以環(huán)境條件來劃分,可分為包括各種應(yīng)力條件下的模擬試驗和現(xiàn)場試驗;2.可靠性試驗以試驗項目劃分，可分為環(huán)境試驗、壽命試驗、加速試驗和各種特殊試驗;3.
2017-01-20 09:59:00
和電子輔料等可靠性應(yīng)用場景方面具有專業(yè)的檢測、分析和試驗能力，可為各研究院所、高校、企業(yè)提供產(chǎn)品的可靠性檢測、失效分析、老化測試等一體化服務(wù)。本中心目前擁有各類可靠性檢測分析儀器，其中包括
2018-06-04 16:13:50
設(shè)計(使用冗余技術(shù))，使用故障診斷技術(shù)等。可靠性主要包括電路可靠性及元器件的選型有必要時用一定儀器檢測。可靠性試驗是對產(chǎn)品進行可靠性調(diào)查、分析和評價的一種手段。試驗結(jié)果為故障分析、研究采取的糾正措施
2015-08-04 11:04:27
電路器件與系統(tǒng)的可靠性預(yù)計和分配評估 第二章 電子產(chǎn)品可靠性試驗技術(shù)1、概述：環(huán)境試驗的發(fā)展、環(huán)境試驗的目的和應(yīng)用范圍、環(huán)境試驗和可靠性試驗2、環(huán)境試驗的基礎(chǔ)知識和術(shù)語3、環(huán)境試驗標準
2010-08-27 08:25:03
不是敘述技術(shù)工作本身。可靠性技術(shù)管理工作包括可靠性工作計劃管理、可靠性標準化管理、可靠性設(shè)計管理、生產(chǎn)過程的可靠性管理、可靠性試驗管理、失效分析管理、可靠性信息管理、可靠性教育管理等。 
2009-05-24 16:49:57
可靠性是我們在開展電子產(chǎn)品設(shè)計過程中常常繞不開的問題。例如，客戶需要我們提供相關(guān)的可靠性預(yù)計報告，客戶需要我們的產(chǎn)品提供相應(yīng)的可靠性試驗報告，或者企業(yè)內(nèi)部需要控制產(chǎn)品質(zhì)量，制定了一系列的可靠性工作
2017-12-08 10:47:19
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
、15min關(guān)的循環(huán)測試到壽命終了，對LED產(chǎn)品的測量顯然不現(xiàn)實。因此有必要對LED產(chǎn)品采用加速老化壽命試驗[1]，同時，也應(yīng)當測試LED的熱學(xué)特性、環(huán)境耐候性、電磁兼容抗擾度等與壽命和可靠性密切相關(guān)
2015-08-04 17:42:14
。另外，這里提供的數(shù)據(jù)是在ROHM試驗環(huán)境下的結(jié)果。驅(qū)動電路等條件不同，結(jié)果也可能不同。關(guān)鍵要點:?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導(dǎo)通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流范圍優(yōu)于IGBT。?SiC-MOSFET的開關(guān)損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
費舍爾科技有限公司，專注與環(huán)境與可靠性試驗設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品有：鹽霧試驗箱、高低溫（交變）濕熱試驗箱、冷熱沖擊試驗箱、紫外光耐氣候試驗箱、氙燈耐氣候試驗箱、臭氧老化試驗箱、熱老化試驗
2008-09-22 16:46:32
、軍事、電子等軍工工業(yè)，隨后逐漸擴展到民用工業(yè)。60年代，隨著航空航天工業(yè)的迅速發(fā)展，可靠性設(shè)計和試驗方法被接受和應(yīng)用于航空電子系統(tǒng)中，可靠性工程得到迅速發(fā)展！1965年，美國頒發(fā)了《系統(tǒng)與設(shè)備
2020-07-03 11:09:11
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計成果分享項目的開展，實施，結(jié)果過程，展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數(shù)，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認識到，SiC MOSFET 的輸出開關(guān)電流變化率 (di/dt) 遠高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時振蕩、電磁干擾以及輸出級損耗。高開關(guān)速度還可能導(dǎo)致電壓過沖。滿足高電壓應(yīng)用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
1952年3月便提出了具有深遠影響的建議；研究成果首先應(yīng)用于航天、軍事、電子等軍工工業(yè)，隨后逐漸擴展到民用工業(yè)。60年代，隨著航空航天工業(yè)的迅速發(fā)展，可靠性設(shè)計和試驗方法被接受和應(yīng)用于航空電子系統(tǒng)中
2020-07-03 11:18:02
功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進一步降低ROHM在行業(yè)中率先實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
`可靠性試驗是為了解、分析、提高、評價產(chǎn)品的可靠性而進行的工作的總稱。依據(jù)GJB450A《裝備可靠性工作通用要求》分類，可靠性試驗可以分為環(huán)境應(yīng)力篩選、可靠性研制試驗、可靠性增長試驗、可靠性鑒定試驗
2019-07-23 18:29:15
可靠性設(shè)計是單片機應(yīng)甩系統(tǒng)設(shè)計必不可少的設(shè)計內(nèi)容。本文從現(xiàn)代電子系統(tǒng)的可靠性出發(fā)，詳細論述了單片機應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性特點。提出了芯片選擇、電源設(shè)計、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復(fù)等集合硬件系統(tǒng)
2021-02-05 07:57:48
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
為了FPGA保證設(shè)計可靠性, 需要重點關(guān)注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
。因此，硬件可靠性設(shè)計在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計，更要考慮整個控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計。
2021-01-25 07:13:16
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
淺談HALT試驗在可靠性設(shè)計中的應(yīng)用 錢惠龍***江蘇安科瑞電器制造有限公司 江蘇 江陰 214405摘要：本文主要介紹HALT（高加速壽命篩選試驗）在可靠性設(shè)計中的應(yīng)用，以安科瑞電氣股份有限公司
2016-01-18 10:42:33
淺談手機環(huán)境可靠性試驗 本文關(guān)鍵字: 手機 環(huán)境可靠性 本文簡要介紹了手機環(huán)境可靠性試驗的目的、內(nèi)容，在試驗中容易出現(xiàn)的故障，指出了目前在手機環(huán)境可靠性測試中存在的問題。1 引言 隨著社會
2009-11-13 22:31:55
深圳市華耀檢測技術(shù)服務(wù)有限公司環(huán)境試驗與可靠性試驗雖然關(guān)系緊密，但它們在試驗目的，所用環(huán)境應(yīng)力數(shù)量，環(huán)境力量值選用準則，試驗類型，試驗時間，試驗終止判據(jù)方面存在截然的不同之處。試驗目的：環(huán)境試驗考察
2022-01-13 14:03:37
為了評價分析電子產(chǎn)品可靠性而進行的試驗稱為可靠性試驗。試驗目的通常有如下幾方面：1. 在研制階段用以暴露試制產(chǎn)品各方面的缺陷，評價產(chǎn)品可靠性達到預(yù)定指標的情況；2. 生產(chǎn)階段為監(jiān)控生產(chǎn)過程提供信息
2015-08-04 17:34:26
電子產(chǎn)品的可靠性試驗，不看肯定后悔
2021-05-12 06:11:07
使用過程中可靠性有保障， 筆者通過對硅壓阻式壓力傳感器進行可靠性強化實驗， 對其進行定性的分析，提出相關(guān)改進措施。 1 可靠性強化試驗裝置 強化試驗必須滿足假設(shè)： 受試品在短時間、高應(yīng)力作用下表現(xiàn)得
2018-11-05 15:37:57
我想問一下高速電路設(shè)計，是不是只要做好電源完整性分析和信號完整性分析，就可以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定了。要想達到高的可靠性，要做好哪些工作啊？在網(wǎng)上找了好久，也沒有找到關(guān)于硬件可靠性的書籍。有經(jīng)驗的望給點提示。
2015-10-23 14:47:17
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
SiC-MOSFET用作開關(guān)的準諧振轉(zhuǎn)換器IC。在使用電源IC的設(shè)計中，要使用SiC-MOSFET需要專用的電源IC設(shè)計中使用的電源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”這款I(lǐng)C
2018-11-27 16:54:24
剛剛接觸PCBA可靠性，感覺和IC可靠性差異蠻大，也沒有找到相應(yīng)的測試標準。請問大佬們在做PCBA可靠性時是怎么做的，測試條件是根據(jù)什么設(shè)定？
2023-02-15 10:21:14
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，導(dǎo)通電阻大大降低，有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一，因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436486 
ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產(chǎn)車型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認可。基于大量的設(shè)計優(yōu)化和可靠性驗證工作
2022-02-18 16:44:103786 
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132876 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18364 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
截至上一篇文章，結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容，本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397 
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設(shè)計案例中有兩個關(guān)鍵要點。一個是功率開關(guān)中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:34663 
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:46211 
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