半導(dǎo)體材料研究和器件測(cè)試通常要測(cè)量樣本的電阻率和霍爾電壓。半導(dǎo)體材料的電阻率主要取決于體摻雜，在器件中，電阻率會(huì)影響電容、串聯(lián)電阻和閾值電壓。霍爾電壓測(cè)量用來推導(dǎo)半導(dǎo)體類型（n還是p）、自由載流子密度和遷移率。
2020-01-15 11:18:39
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半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，因?yàn)殡s質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
無嚴(yán)格要求的特點(diǎn)。因此，目前檢測(cè)半導(dǎo)體材料電阻率，尤其對(duì)于薄膜樣品來說，四探針是較常用的方法。 四探針技術(shù)要求使用四根探針等間距的接觸到材料表面。在外邊兩根探針之間輸出電流的同時(shí)，測(cè)試中間兩根探針的電壓差。最后，電阻率通過樣品的幾何參數(shù)，輸出電流源和測(cè)到的電壓值來計(jì)算得出。
2021-01-13 07:20:44
有這些材料中，電流的流動(dòng)可以與材料的導(dǎo)電性直接相關(guān)，導(dǎo)電性是電阻率的倒數(shù)。電阻率是材料的一種特性，它與溫度有關(guān)。半導(dǎo)體電阻率的溫度依賴性對(duì)其在電子學(xué)中的應(yīng)用起著重要的作用。在本文中，我們將探究其中的原因
2022-02-25 09:55:01
流測(cè)壓的過程,需要設(shè)備能輸出電流并且測(cè)試電壓2電阻率及電子移率通常范圍較,需要電流電壓范圍都很大的設(shè)備3電流源和電壓表精度要高,保證測(cè)試的準(zhǔn)確性測(cè)試設(shè)備： Series 2600B SMU光電
2020-05-09 15:22:12
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
和氣體敏感膜。金電極連接氣敏材料的兩端，使其等效為一個(gè)阻值隨外部待測(cè)氣體濃度變化的電阻。由于金屬氧化物有很高的熱穩(wěn)定性，而且這種傳感器僅在半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生可逆氧化還原反應(yīng)，半導(dǎo)體內(nèi)部化學(xué)結(jié)構(gòu)不變
2012-08-29 15:40:48
在這里我們通過半導(dǎo)體與其他材料的主要區(qū)別來了解半導(dǎo)體的本性： 在室溫下，半導(dǎo)體的電導(dǎo)率處在103~10-9西[門子]/厘米之間，其中西[門子]/厘米為電導(dǎo)率的單位，電導(dǎo)率與電阻率互為倒數(shù)。一般金屬
2018-03-29 09:04:21
導(dǎo)電聚合物材料的電學(xué)特性是通過摻雜來控制其電阻率來改變的。因此精確測(cè)量導(dǎo)電聚合物的電阻率具有重要意義。半導(dǎo)體工業(yè)中普遍使用四探針測(cè)量儀測(cè)量無機(jī)半導(dǎo)體材料的電阻率。而導(dǎo)電聚合物屬于有機(jī)半導(dǎo)體材料，導(dǎo)電
2019-07-05 08:28:34
表明，金屬材料電阻的相對(duì)變化與其線應(yīng)變成正比。這就是金屬材料的應(yīng)變電阻效應(yīng)。（2）半導(dǎo)體材料的應(yīng)變電阻效應(yīng)。對(duì)半導(dǎo)體材料施加應(yīng)力時(shí)，除了產(chǎn)生形變外，材料的電阻率也要發(fā)生變化，這種現(xiàn)象稱為壓阻效應(yīng)。很早
2008-06-04 11:02:18
到周圍土壤中的一種方法。如果您正在進(jìn)行電阻測(cè)量，那么您正在測(cè)試特定的安裝地面。電阻率是土壤的獨(dú)立電性質(zhì)。如果您正在進(jìn)行電阻率測(cè)量，那么您正在測(cè)試土壤本身。電阻率為我們提供了一種量化材料差異和導(dǎo)電
2018-10-25 09:56:57
近似地測(cè)量表面電阻,測(cè)得的表面電阻值主要反映被測(cè)試樣表面污染的程度.所以,表面電阻率不是表面材料本身特性的參數(shù),而是一個(gè)有關(guān)材料表面污染特性的參數(shù).當(dāng)表面電阻較高時(shí),它常隨時(shí)間以不規(guī)則的方式變化.測(cè)量表面電阻
2020-09-14 15:29:02
電阻率與霍爾電壓的測(cè)量PV電池材料的電阻率可以采用四針探測(cè)的方式3，通過加載電流源并測(cè)量電壓進(jìn)行測(cè)量，其中可以采用四點(diǎn)共線探測(cè)技術(shù)或者范德堡方法。 在使用四點(diǎn)共線探測(cè)技術(shù)進(jìn)行測(cè)量時(shí)，其中兩個(gè)探針用于
2011-07-05 17:41:37
電阻率測(cè)量/控制型儀表，采用MCU微控制器完成信號(hào)采集處理、自動(dòng)溫度補(bǔ)償，電阻率低限報(bào)警；衛(wèi)生級(jí)316L不銹鋼電極，外型輕巧，價(jià)位適中，儀表長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定、準(zhǔn)確、可靠。
2019-09-20 09:11:19
表面電阻/表面電阻率, 體積電阻/體積電阻率, 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)電阻, 接地電阻的測(cè)量靜電耗散材料電阻和電阻率的測(cè)量表面電阻/表面電阻率, 體積電阻/體積電阻率, 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)電阻, 接地電阻的測(cè)量l 表面電阻
2008-09-03 17:12:52
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
進(jìn)行高電阻測(cè)量測(cè)量高阻和絕緣材料電阻率高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器
2021-11-16 15:59:56
0.000001 至 0.1% 的摻雜劑即可使半導(dǎo)體材料達(dá)到有用的電阻率范圍。半導(dǎo)體的這種特性允許在材料中創(chuàng)建具有非常精確電阻率值的區(qū)域。文章全部詳情，請(qǐng)加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:38:40
和復(fù)合同時(shí)存在并到達(dá)動(dòng)態(tài)均衡，此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純潔半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)踐應(yīng)用不多。
2020-03-26 15:40:25
源表不像源-測(cè)量單元那樣具有極高輸入電阻測(cè)量能力。數(shù)字源表由于其內(nèi)置了源功能，所以可以用來生成一組電流－電壓（I-V）特性曲線，這對(duì)于半導(dǎo)體器件和材料的測(cè)試是非常有用的。當(dāng)電源時(shí)可作為可編程電壓源或可
2022-04-08 16:33:47
合物的電阻率，硬度，化學(xué)性能，機(jī)械強(qiáng)度和電阻率。（2）接觸形式：點(diǎn)接觸，線接觸，面接觸。（3）接觸表面條件：當(dāng)接觸表面形成氧化膜（除了銀）時(shí)，該氧化膜具有比金屬本身大得多的電阻。（4）接觸壓力。（5
2021-01-19 13:58:59
的輸入阻抗大約為1014Ω。而且，電流源的輸出電阻必須比未知電阻大得多，才能使測(cè)量為線性。樣品兩端的電壓決定于樣品的電阻，因此在使用恒流法時(shí)，難于考慮電壓系數(shù)的問題。如果關(guān)心電壓系數(shù)，最好使用恒壓法。靜電計(jì)電壓表和分離的電流源可以在采用四點(diǎn)探頭法或van der Pauw法測(cè)量半導(dǎo)體材料的高電阻率時(shí)使用。
2011-08-09 14:22:29
測(cè)量高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)
2021-11-11 10:35:10
測(cè)量高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)
2021-12-08 15:35:04
低電流測(cè)量 體電阻率和表面電阻率 對(duì)惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量 測(cè)量高阻和絕緣材料電阻率 高阻低電流測(cè)量 體電阻率和表面電阻率 惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量 用6線電阻
2020-08-12 15:08:14
研究方向的熱點(diǎn)。在半導(dǎo)體材料的研究中，電阻率、載流子密度和遷移率是測(cè)試的關(guān)鍵參數(shù)。二·測(cè)試難點(diǎn)1、寬禁帶材料的帶隙較大，擊穿電場(chǎng)較高。超禁帶材料擊穿電場(chǎng)更高。因此需要上千伏高壓源表進(jìn)行測(cè)試。2、功率
2022-01-23 14:15:50
收購吉時(shí)利KEITHLEY6517B高阻表應(yīng)用領(lǐng)域：薄膜材料高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率對(duì)惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量測(cè)量高阻和絕緣材料電阻率高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率
2018-11-09 11:28:25
過程(充電－測(cè)量－放電)，控制一系列的電阻測(cè)量。Agilent4338B低電阻測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：●測(cè)量參數(shù)：R(直流電阻)、I(直流電流)、ps(表面電阻率)，pv(體電阻率)。●測(cè)量范圍：電阻1*103
2021-03-05 10:40:06
功能，最大輸出電壓達(dá)300V，最小測(cè)試電流100pA，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中:半導(dǎo)體IC或元器件，功率器件，傳感器，有機(jī)材料與納米材料等特性測(cè)試和分析。S系列源表應(yīng)用l
2019-12-26 16:27:42
華天電力專業(yè)生產(chǎn)接地電阻測(cè)試儀，專注電力行業(yè)十五年。接地電極的電阻與其放置和驅(qū)動(dòng)的土壤的電阻率有關(guān)，因此土壤電阻率計(jì)算和測(cè)量是設(shè)計(jì)接地裝置時(shí)的一個(gè)關(guān)鍵方面。
2018-10-24 10:26:55
ES3010E接地電阻土壤電阻率測(cè)試儀（簡(jiǎn)易型）可以使用2、3、4線法測(cè)量接地電阻、土壤電阻率、接地電壓測(cè)量等功能。接地電阻量程可達(dá)：0.00Ω～30.00KΩ，土壤電阻率量程可達(dá)：0.00ΩM
2015-12-12 11:27:52
基于付利葉變換形成的復(fù)電阻率程序，可針對(duì)野外和實(shí)驗(yàn)室多頻激電測(cè)量，也可用于諧波可控源音頻大地電磁、頻域電磁、磁電阻率(MMR)以及其它利用磁場(chǎng)探頭的方法。這是一個(gè)改進(jìn)增強(qiáng)型程序，除付利葉變換
2011-03-04 22:00:42
一系列的電阻測(cè)量。Agilent4338B低電阻測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)： 測(cè)量參數(shù)：R(直流電阻)、I(直流電流)、ps(表面電阻率)，pv(體電阻率)。測(cè)量范圍：電阻1*103Ω至 1.6x1016
2021-11-03 14:48:44
測(cè)量范德堡法電阻率
2020-12-08 06:23:42
本文詳細(xì)介紹了如何使用這些測(cè)試夾具來進(jìn)行表面電阻率和體電阻率的測(cè)量，以及測(cè)量電阻率時(shí)使用的變換極性和變換電壓的技術(shù)。
2021-04-14 06:16:27
請(qǐng)問導(dǎo)電材料電阻率有哪幾種經(jīng)典的測(cè)量方式？
2021-04-12 07:01:37
加入，而電壓降則在兩個(gè)內(nèi)部的探針之間測(cè)量。表面電阻率的計(jì)算公式為：其中：σ=以歐姆/□ 為單位的表面電阻率，V=電壓表測(cè)得的電壓，I=電流源電流。注意，表面電阻率的單位表達(dá)為歐姆，以區(qū)別于測(cè)量出的電阻
2017-08-10 09:12:54
值。 R=1/G， 其中G為物體電導(dǎo)，導(dǎo)體的電游艇阻越小，電導(dǎo)就越大，數(shù)值上等于電阻的倒數(shù)。單位是西門子，簡(jiǎn)稱西，符號(hào)s。 常見導(dǎo)體的電阻率 材料 20℃時(shí)的電阻率 （&micro
2010-03-16 15:54:40
在工程中，測(cè)量大地電阻率常用的方法是四極法測(cè)量電阻率，也稱溫納法。這種方法的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)較為復(fù)雜，抗干擾也不強(qiáng)。還有一種方法就是采用電橋法測(cè)量，聽說業(yè)內(nèi)有人搞成功過，不知道這種設(shè)計(jì)是怎么實(shí)現(xiàn)的，特想大家請(qǐng)教一下，探討一下。
2018-03-16 10:03:17
在許多的預(yù)防性試驗(yàn)中都需要測(cè)量材料的電阻參數(shù)，然而常常有電阻及電阻率測(cè)量不準(zhǔn)的情況出現(xiàn)，今天中試控股幫您分析什么影響了電阻（率）測(cè)量的準(zhǔn)確性。一、測(cè)試電壓介質(zhì)材料的電阻(率)值一般不能在很寬的電壓
2021-08-12 15:28:26
電阻率的計(jì)算公式
2021-03-17 07:51:25
三極法測(cè)量土壤電阻率四極法測(cè)量土壤電阻率及注意事項(xiàng)
2021-02-24 08:49:59
, CdTe 等；3、低阻抗材料：金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等。 四、系統(tǒng)原理：霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)主要是對(duì)霍爾器件的 I-V 測(cè)量，再根據(jù)其他相關(guān)參數(shù)來計(jì)算出對(duì)應(yīng)的值。電阻率：范德
2020-06-08 17:04:49
密度和遷移率。為確定半導(dǎo)體范德堡法電阻率和霍爾電壓，進(jìn)行電氣測(cè)量時(shí)需要一個(gè)電流源和一個(gè)電壓表。為自動(dòng)進(jìn)行測(cè)量，一般會(huì)使用一個(gè)可編程開關(guān)，把電流源和電壓表切換到樣本的所有側(cè)。4200A-SCS參數(shù)
2020-02-11 11:01:19
，有如下反應(yīng)：42 （2） 上式表明，被氧俘獲的電子釋放出來，這樣
半導(dǎo)體表面載流子濃度上升，從而
半導(dǎo)體表面電阻率減小。三、氧化物
半導(dǎo)體甲烷傳感器的研究進(jìn)展 盡管甲烷是分子結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的一種碳?xì)?/div>
2018-10-24 14:21:10
）沉積厚度約為數(shù)個(gè)趨膚深度的良導(dǎo)體層（比如鍍金、鍍銀）。這一原理也同樣應(yīng)用在改善微波無源器件的無源互調(diào)性能方面：低互調(diào)器件通常采用鍍銀表面。
2019-06-24 06:58:24
電導(dǎo)率與電阻率有何關(guān)系？怎樣去計(jì)算電導(dǎo)率？
2021-10-11 06:46:08
`東莞市雅杰電子材料有限公司生產(chǎn)的電磁屏蔽密封襯墊，抗電磁干擾屏蔽密封條在使用頻率20MHZ-10GHZ時(shí)，屏蔽效能﹥80dB (MIL-G-83528)、表面電阻率低，﹤0.05歐姆/平方，使得
2018-09-04 11:48:55
，是眾多高校實(shí)驗(yàn)室的大多選擇。南京大學(xué)薄膜晶體管和半導(dǎo)體材料測(cè)試采用的是2612B和2636B雙源表的結(jié)合，多路的SMU測(cè)試和fA量級(jí)的電流分辨率，通過2612B源表來，來回讀低至fA量級(jí)的電流分辨率
2020-02-07 15:40:19
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
介紹了一種12 GHz附近的高溫超導(dǎo)薄膜微波表面電阻Rs測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用低損耗高介電常數(shù)的藍(lán)寶石，構(gòu)成工作在TE011+δ諧振模式的介質(zhì)諧振器，在77 K時(shí)，利用測(cè)量介質(zhì)諧振器的Q
2009-05-26 20:49:40
6 熔鋁電阻率的測(cè)量基于電渦流原理,設(shè)計(jì)了傳感器的結(jié)構(gòu)和標(biāo)定方法。為了簡(jiǎn)化測(cè)量熔鋁電阻率的硬件電路,在信號(hào)處理電容中采用了LVDT 專用芯片AD598 硬軟件結(jié)合消除了溫度影響,在熔
2009-06-27 09:10:4119 熔鋁電阻率的測(cè)量基于電渦流原理,設(shè)計(jì)了傳感器的結(jié)構(gòu)和標(biāo)定方法。為了簡(jiǎn)化測(cè)量熔鋁電阻率的硬件電路,在信號(hào)處理電容中采用了LVDT 專用芯片AD598 硬軟件結(jié)合消除了溫度影響,在熔
2009-06-29 10:02:5610 簡(jiǎn)介RST-800表面電阻測(cè)量儀是一款可靠且易于使用的電阻測(cè)試儀，根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（如ANSI/ESD 測(cè)試方法S4.1、S7.1和 STM11.11）測(cè)試靜電消散表面的電阻率和電阻，無論是
2023-01-13 11:55:52
（直流電流）、ps（表面電阻率），pv（體電阻率）。· 測(cè)量范圍：電阻1*103Ω 至 1x1015Ω；電流1pA至100uA。· 測(cè)量速度：
2023-03-01 14:48:32
一、概述HM5007A全自動(dòng)絕緣油介質(zhì)損耗及電阻率測(cè)試儀依據(jù)GB/T5654-2007《液體絕緣材料相對(duì)電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測(cè)量》設(shè)計(jì)制造。用于絕緣油等液體絕緣介質(zhì)的介質(zhì)
2023-07-26 09:26:02
摘要：為了適應(yīng)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝發(fā)展的要求，我們開發(fā)了一種利用改進(jìn)的Rymaszewski法進(jìn)行四探針硅片電阻率測(cè)量的單片機(jī)電路。它主要包括恒流源和電壓測(cè)量電路兩部分。它不僅可以
2010-04-30 09:05:1334 QJ36B-2A型數(shù)字直流電橋也稱為導(dǎo)體電阻材料電阻率智能測(cè)試儀,該儀器是高精密、智能化綜合電阻測(cè)量實(shí)驗(yàn)組合裝置，它主是為產(chǎn)品質(zhì)量
2024-03-03 15:34:09
靜電耗散材料電阻和電阻率的測(cè)量
表面電阻/表面電阻率, 體積電阻/體積電阻率, 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)電阻, 接地電阻的測(cè)量
l 表面電阻, 體積電阻, 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)電阻, 接地電
2010-08-29 16:18:5824 靜電耗散材料電阻和電阻率的測(cè)量表面電阻/表面電阻率, 體積電阻/體積電阻率, 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)電阻, 接地電阻的測(cè)量l 表面電阻, 體積電阻, 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)
2008-09-03 17:13:262985 
半導(dǎo)體材料的工藝流程
導(dǎo)體材料特性參數(shù)的大小與存在于材料中的雜質(zhì)原子和晶體缺陷有很大關(guān)系。例如電阻率因雜質(zhì)原子的類型和
2010-03-04 10:45:252352 半導(dǎo)體材料的特性
半導(dǎo)體材料是室溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時(shí)電阻率一般在10-5～107歐·米之
2010-03-04 10:50:381151 幾種金屬導(dǎo)體在20℃時(shí)的電阻率對(duì)照表。
2011-04-22 17:16:5815060 什么是表面電阻率呢，表面電阻率是平行于通過材料表面上電流方向的電位梯度與表面單位寬度上的電流之比，用歐姆表示。
2011-04-24 09:09:283955 半導(dǎo)體材料 是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電阻率在10（U-3）~10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對(duì)光、熱、電、磁等外界因素的
2011-11-01 17:35:1691 導(dǎo)電聚合物材料的電學(xué)特性是通過摻雜來控制其電阻率來改變的。因此精確測(cè)量導(dǎo)電聚合物的電阻率具有重要意義。半導(dǎo)體工業(yè)中普遍使用四探針測(cè)量儀測(cè)量無機(jī)半導(dǎo)體材料的電阻率。而導(dǎo)電聚合物屬于有機(jī)半導(dǎo)體材料，導(dǎo)電機(jī)理不同，且電阻率區(qū)間跨度較大(為10-3～1010Ω·cm)。
2017-11-25 09:51:051634 
半絕緣半導(dǎo)體包含了第二代和第三代半導(dǎo)體，它們?cè)谖⒉ā⒐怆娮印⑿履茉醇拔㈦娮宇I(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，電阻率一般在10jn．cnl_1012n．crri之間。要研究此類新材料的電阻率分布狀況已無法用現(xiàn)有
2018-02-10 11:06:170 半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。以下對(duì)半導(dǎo)體材料發(fā)展前景分析。
2019-03-29 15:26:4213592 半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
2020-08-03 16:47:302789 電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測(cè)試材料的電阻率。 四探針法是目前測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率的常用方法，因?yàn)榇朔ㄔO(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高且對(duì)樣品形狀
2020-10-19 09:53:333651 
、粉體或液體）的體積電阻率和表面電阻率或電導(dǎo)率，完全符合國家標(biāo)準(zhǔn)GB1410－2006固體電工絕緣材料絕緣電阻、體積電阻系數(shù)和表面電阻試驗(yàn)方法，ASTM D257 絕緣材料的直流電阻或電導(dǎo)試驗(yàn)方法等標(biāo)準(zhǔn)要求。 電導(dǎo)率和電阻率之間和關(guān)系？
2021-01-14 10:44:532281 
8009電阻率測(cè)試盒是用于測(cè)量體電阻率和表面電阻率（方塊電阻）、且?guī)ПＷo(hù)的測(cè)試夾具。它具有優(yōu)良的靜電屏蔽性能和耐受1100V高壓的絕緣電阻。8009電阻率測(cè)試夾具用于6517A靜電計(jì)、6487皮安表和6517B靜電計(jì)/高阻表：只要打開8009的蓋子，就會(huì)自動(dòng)關(guān)閉配套儀器的輸出電壓。
2021-02-17 09:03:002488 德國高美測(cè)儀ESD靜電防護(hù)表面電阻測(cè)試儀METRISO?3000或者M(jìn)ETRISO B530，可選配符合IEC61340-2-3標(biāo)準(zhǔn)迷你測(cè)試表筆；用于小型包裝帶和卷軸的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)表面電阻測(cè)量。(適用于測(cè)試具有不規(guī)則形狀表面的物品)。兩針頭的表筆可用于硬質(zhì)材料測(cè)量；多針頭的表筆可用于軟質(zhì)材料測(cè)量。
2022-01-17 14:14:43601 
小型包裝帶和卷軸的ESD靜電防護(hù)表面電阻測(cè)量方法 小型包裝帶和卷軸的ESD靜電防護(hù)表面電阻測(cè)量方法:ESD靜電防護(hù)表面電阻測(cè)試儀METRISO?3000 根據(jù)IEC 61340-2-3-2016
2022-01-26 17:36:17539 
橡膠、塑料、電木等，作為絕緣材料，在我們的電子和電力產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)必不可少。但不知您想過沒有，您選擇的材料的電阻性能到底怎么樣，在各種工作場(chǎng)景或溫度情況下，其電阻或電阻率有多大，是否能滿足產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要求
2022-02-18 17:13:042305 
四探針法通常用來測(cè)量半導(dǎo)體的電阻率。四探針法測(cè)量電阻率有個(gè)非常大的優(yōu)點(diǎn)，它不需要較準(zhǔn)；有時(shí)用其它方法測(cè)量電阻率時(shí)還用四探針法較準(zhǔn)。 與四探針法相比，傳統(tǒng)的二探針法更方便些，因?yàn)樗恍枰僮鲀蓚€(gè)探針
2022-05-27 15:01:055441 
KickStart高電阻率應(yīng)用控制著執(zhí)行所需測(cè)量的靜電計(jì)和測(cè)試夾具，進(jìn)行ASTM-D-257標(biāo)準(zhǔn)電阻率測(cè)量。它可以以高達(dá)1000V電壓測(cè)試材料，確定高達(dá)1018 Ω-cm的電阻率，分析電流隨時(shí)間變化
2022-08-09 16:42:32935 
ITECH艾德克斯于今日正式推出旗下圖形化系列的高精密源測(cè)量單元---IT2800系列，簡(jiǎn)稱源表或SMU。
2022-08-17 14:24:41528 半導(dǎo)體材料wafer、光伏硅片的電阻率非接觸式測(cè)量、霍爾遷移率測(cè)試儀
2023-06-15 14:12:101041 
硅鋼片表面電阻測(cè)試儀TS1700是一套專用于測(cè)量電工鋼片涂層絕緣電阻性能的設(shè)備，主要由測(cè)試裝置(10根觸頭及金屬桿 / 導(dǎo)電橡膠觸頭、鉆頭、電動(dòng)缸、樣品托盤等)、測(cè)控臺(tái)、系統(tǒng)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)器，計(jì)算機(jī)及測(cè)試
2023-02-13 14:56:39844 
重錘式表面電阻測(cè)試儀是一種用于測(cè)量材料表面電阻的儀器。它采用了重錘敲擊和測(cè)量電流的方式進(jìn)行測(cè)試。 工作原理： 重錘式表面電阻測(cè)試儀通過將一個(gè)金屬錘頭敲擊在待測(cè)物體表面，產(chǎn)生一個(gè)封閉電路。測(cè)量儀器通過
2023-08-07 09:45:15605 
什么是半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)？ 半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代電子技術(shù)的關(guān)鍵材料之一。它們具有獨(dú)特的電學(xué)性能，包括可調(diào)的電阻率和壓阻效應(yīng)。壓阻效應(yīng)是指半導(dǎo)體材料在受到外力或應(yīng)力作用時(shí)導(dǎo)電性能的變化。在本文中，我們
2023-09-19 15:56:551585 ，也就是說，這些元素增加了本征半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率。該摻雜材料表現(xiàn)出的兩個(gè)獨(dú)特之處是固態(tài)電子學(xué)的基礎(chǔ)。這兩個(gè)屬性是:1。通過摻雜的多少、摻雜元素的種類等方面，可以精確控制材料的電阻率；2. 電子和空穴導(dǎo)電的能力。
2023-11-13 09:36:22973 
，對(duì)其均勻性的控制和準(zhǔn)確的測(cè)量直接關(guān)系將來能否制造出性能更優(yōu)功率器件。 不同于使用萬用表測(cè)量常規(guī)導(dǎo)體電阻，半導(dǎo)體硅單晶電阻率以及微電子領(lǐng)域的其他金屬薄膜電阻率的測(cè)量屬于微區(qū)薄層電阻測(cè)試，需要利用微小信號(hào)供電以及
2024-01-08 17:30:41155 
半導(dǎo)體材料是指在溫度較低且電流較小的條件下，電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用，如集成電路、太陽能電池、發(fā)光二極管等。其中，硅和二氧化硅是半導(dǎo)體材料中最常見的兩種
2024-01-17 15:25:12509 已全部加載完成
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