?●空調壓縮機、工業電機驅動 ?●高效高密度工業、通信、服務器電源 ?●半橋、全橋、LLC電源拓撲 ? 如下圖NSD1624功能框圖所示,納芯微創新地將隔離技術方案應用于高壓半橋驅動中,使得高壓輸出側可以承受高達1200V的直流電壓,同時SW pin可以滿足高dv/dt和耐負壓尖峰的需求。可適
2022-06-27 09:57:07
2093 
穩壓器調整端增加簡單電路控制輸出電壓的 dV/dt ,限制啟動電流 ,有時,設計約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:24
3169 
傳感器時要面臨一些挑戰,這些挑戰與絕緣的嚴格要求以及與 10 kV SiC MOSFET 相關的更高 dv/dt (50-100 V/ns) 相關。有不同的方法可以測量中壓電源的電壓,其中一些是霍爾效應傳感器、電容分壓器、電阻分壓器和電阻-電容梯。在理想條件下,我們可以在電阻分壓器中找到無限帶寬。
2022-07-26 08:03:01
741 
`采用AOZ1051PI作 DC-DC buck電路時大電流突變時,輸入、輸出電壓極其不穩。怎么解決?片外補償R C對調節輸出電壓有什么作用?高手指點!`
2014-07-09 17:15:26
電容兩端的電壓不能突變 (當電容足夠大時,可認為其電壓不變);電感中的電流不能突變 (當電感足夠大時,可認為其電流恒定不變);流經電容的電流平均值在一個開關周期內為零;電感兩端的伏秒積在一個開關周期內必須平衡。...
2021-10-29 06:31:02
1傳導電磁干擾簡介在開關電源中,開關管周期性的通斷會產生周期性的電流突變(di/dt)和電壓突變(dv/dt),周期性的電流變化和電壓變化則會導致電磁干擾的產生。圖1所示為Buck電路的電流變化,在
2021-11-12 07:04:56
在開關電源中,電壓和電流的突變,即高dv/dt和di/dt,是其EMI產生的主要原因。實現開關電源的EMC設計技術措施主要基于以下兩點: (1)盡量減小電源本身所產生的干擾源,利用抑制干擾的方法或
2013-02-28 19:49:18
開關電源EMI抑制的9大措施在開關電源中,電壓和電流的突變,即高dv/dt和di/dt,是其EMI產生的主要原因。實現開關電源的EMC設計技術措施主要基于以下兩點:(1)盡量減小電源本身所產生的干擾
2011-07-11 11:39:36
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 13:37 編輯
輸入端接傳感器后電壓值突變為負一點幾伏
2012-03-10 14:00:06
問下大家,一般開關的開關速度(dv/dt),與電磁干擾(EMI)有沒有計算關系?還是說一般取經驗值,為什么一般上升速度會做的下降速度慢?
2018-12-17 11:29:58
關于限制穩壓器啟動時dV/dt和電容的電路的詳細介紹
2021-04-12 06:21:56
電壓突變的影響 dV/dT
2008-08-03 10:49:40
本文分析了小波變化檢測突變信號的原理,利用小波變換模的極大值和信號突變點的關系,結合Haar 函數和dbN 函數,在MATLAB 平臺上進行仿真測試,給出實例分析。結果表明,小波
2009-09-16 11:28:59
14 Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:32
10 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對高頻的DC-DC轉換器,功率MOSFET是一個關鍵的器件.快速的開關可以降低開關LOSS, 但是在MOS漏級上dv/dt也變得越來越高.然而,高的dv/dt可能導致在
2009-11-28 11:26:15
43 摘要:分析電路中電容電壓和電感電流發生突變的條件以及決定突變程度的因素,并舉例加以說明,關鍵詞:電容 電感 突變 沖激電壓 沖激電流
2010-05-12 08:58:23
35
DT810型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:42:08
646 
DT830A,CM3900,DT840型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:45:54
564 
DT830A,CM3900,DT840型小數點及低電壓指示符驅動電路圖
2009-07-18 16:46:29
468 
DT830A,CM3900,DT840型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:47:17
441 
DT830B、CM2300型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:50:19
1064
DT830B、CM2300型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:50:56
703 
DT830C、CM2400型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:54:49
448
DT830C、CM2400型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:55:38
474 
DT830型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:58:16
2257 
DT830型小數點驅動及低電壓指示電路圖
2009-07-18 16:59:23
1009
DT830型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:02:22
687 
DT840D、CM3900A型AD轉換及低電壓指示電路圖
2009-07-18 17:04:12
543 
DT840D、CM3900A型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:06:41
499 
DT840D、CM3900A型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:07:59
395 
DT890、DT890A型AD轉換電路圖
2009-07-18 17:09:24
768 
DT890、DT890A型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:13:03
1000 
DT890B型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:27:39
804 
DT890B型小數點及低電壓指示符驅動電路圖
2009-07-18 17:28:58
702 
DT890B型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:29:58
1226 
DT-1型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:32:58
517 
DT-1型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:34:43
456 
DT809C+、CM3920型交流電壓測量電路圖
2009-07-20 17:24:35
794 
DT809C+、CM3920型直流電壓測量電路圖
2009-07-20 17:26:23
539 
DT809C型交流電壓測量電路圖
2009-07-20 17:28:07
567 
DT809C型小數點與低電壓指示符的驅動電路圖
2009-07-20 17:28:33
462 
DT809C型直流電壓測量電路圖
2009-07-20 17:29:22
457 
DT940C型小數點及低電壓指示電路圖
2009-07-20 17:35:23
636 
DT940C型直流電壓測量電路圖
2009-07-20 17:36:38
662 
DT940C型交流電壓測量電路圖
2009-07-20 17:39:08
684 
DT860型基準電壓發生電路圖
2009-07-21 17:38:22
740 
DT930F型交流電壓測量電路圖
2009-07-22 17:17:36
1007 
DT930F型直流電壓測量電路圖
2009-07-22 17:19:31
932 
DT940改進型直流電壓擋的簡化電路圖
2009-07-22 17:21:29
559 
DT1000、CM4200型交流電壓測量電路圖
2009-07-22 17:29:49
818 
DT1000、CM4200型直流電壓測量電路圖
2009-07-22 17:30:47
712 
什么是Mini DV磁帶
以Mini DV為紀錄介質的數碼想像機在數碼攝像機市場上占有主要
2009-12-21 11:14:05
735 電流的突然變化可能影響附近其他電路上的信號。這一串擾通過互感機制而產生。兩個鄰近放置的電路元件總是會相互感應。為了計算電感耦合的大小,首先必須估
2010-06-01 18:15:22
2562 
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平
2013-01-10 15:30:12
46 2016年10月31日,ZLG致遠電子正式發布DT800無線電壓監測儀。DT800采用高精度采樣芯片,多級運算技術,不僅運算能力凸顯,測量精度達到0.2%,高于我國《電壓監測儀使用技術條件(DL/T500-2009)》中電壓監測儀產品的測量精度0.5%的標準。
2016-10-31 10:55:55
1262 Si827x數據表:具有高瞬態(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:11
0 基于突變理論的風電場靜態電壓穩定分析方法_葛江北
2017-01-05 15:33:03
0 發生區內外故障時,兩端保護裝置檢測的電壓和電流突變量的極性差異,提出基于Hilbert-Huang變換的突變量方向縱聯保護方法。在分析不同故障時電壓和電流突變量相位差別的基礎上,采用Hilbert-Huang變換求取突變量相位差,識別兩者的極性差
2018-03-16 10:43:58
0 器件均采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝,進一步擴展光電產品組合。Vishay Semiconductors VOT8026A和VOT8123A斷態電壓高達800 V,靜態dV/dt為1000
2019-01-16 18:18:01
442 和VOT8123A斷態電壓高達800V,靜態dV/dt為1000V/μs,具有高穩定性和噪聲隔離能力,適用于家用電器和工業設備。 日前發布的光耦隔離120 VAC、240 VAC和380 VAC線路低電壓邏輯,控制電
2019-03-12 22:30:01
322 dV/dT濾波器在遠離電機300米處仍然能保證滿足電機的最大峰值電壓規格(母線電壓的150%)。它的額定值為最大達每毫秒200V的dV/dT值。但在一些特別的應用中,電纜長度達到900米時,這種
2019-05-13 16:12:10
6045 dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力,越大越好。對系統來說,過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰,較差的EMI特性,不過該變化速率通過系統電路可以進行修正。
2020-06-05 09:18:47
17626 英飛凌電流源型驅動芯片,一種非常適合電機驅動方案的產品,將同時實現高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無核變壓器技術平臺的隔離式驅動芯片,能精準地實時控制開通時的dv/dt。下面我們來仔細看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:07
2945 電感電流為什么不能突變呢?來看這個公式,U等于負的L乘以di比dt。Di比dt是指電流的變化率,電流突變,意味著di比dt無限大,會導致產生無限大的電壓。
2020-10-02 17:26:00
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高共模噪聲是汽車系統設計人員在設計實用而可靠的動力總成驅動系統時必須克服的一個重大問題。當高壓逆變電源和其他電源進行高頻切換時,共模噪聲(又稱 dV/dt 噪聲)便在系統內自然生成。本文將討論混合動力系統驅動器內各種 dV/dt 噪聲的來源,并提出一些方法來盡量減少噪聲對驅動電子設備的影響。
2021-03-15 15:16:27
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電子發燒友網為你提供為什么不同輸入電壓,功率MOSFET關斷dV/dT也會不同呢?資料下載的電子資料下載,更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:25
12 Hi3520DV400 SVB電壓和寄存器對應關系說明。
2021-05-21 11:17:03
0 1傳導電磁干擾簡介在開關電源中,開關管周期性的通斷會產生周期性的電流突變(di/dt)和電壓突變(dv/dt),周期性的電流變化和電壓變化則會導致電磁干擾的產生。圖1所示為Buck電路的電流
2021-11-07 12:51:00
9 Du/Dt濾波器又名“Du/Dt濾波器”、“Dv/Dt濾波器”、“Dv/Dt電抗器”等,一般是安裝在變頻器的逆變側,用來抑制變頻器逆變側的Du/Dt,保護電動機,同時,還能夠延長變頻器的有效傳輸距離至≤500米,但其無法改變變頻器逆變側的電壓波形。
2021-12-20 10:19:54
5283 dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2022-03-29 17:53:22
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我們都知道功率半導體器件屬于電力電子開關,開關速度非常快,1秒可以開關上千次(kHz),高速功率器件可達到幾十kHz,甚至上百kHz。開關速度越快意味著器件的電壓變化率dv/dt和電流變化率di
2022-04-22 11:29:48
2477 首先,讓我們先來看一下SiC MOSFET開關暫態的幾個關鍵參數,圖片來源于Cree官網SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態的幾個關鍵參數包括:開通時間ton、開通延遲時間td(on)、開通電流上升率di/dton、開通電壓下降率dv/dton,電流上升時間tr
2022-04-27 15:10:21
6744 假設電感的電流能突變,即需要無窮大的電壓,在實際中也是不存在的,即電感電流不能突變。
2022-08-12 18:00:52
12774 
在電動機控制等部分應用中,放緩開關期間的dV/dt非常重要。速度過快會導致電動機上出現電壓峰值,從而損壞繞組絕緣層,進而縮短電動機壽命。
2022-12-19 09:38:49
1180 電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間,同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:37
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IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件,只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關,在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。
2023-02-07 16:17:44
703 
MOSFET的失效機理本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2023-02-13 09:30:08
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電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間,同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:01
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di/dt水平過高是晶閘管故障的主要原因之一。發生這種情況時,施加到半導體器件上的應力會大大超過額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中,我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性,以及為什么在為您的應用選擇固態繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:57
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在計算DC-DC所需電感之前,首先介紹一個電感相關的公式。毫不夸張地講,這是電感最最重要的公式,沒有之一。
V=L*dV/dt
這個公式之所以重要,因為它體現了電感的諸多特性,比如
2023-03-07 10:28:35
6 的器件,只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關,在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG
2022-05-19 16:36:44
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9.3.4dv/dt觸發9.3晶閘管第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產
2022-03-29 10:35:54
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該產品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率(dv/dt)高、開通陽極電流上升率(di/dt)高、抗輻射能力強等特點。
2023-07-05 10:43:30
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該產品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率(dv/dt)高、開通陽極電流上升率(di/dt)高、抗輻射能力強等特點。
2023-07-05 10:45:53
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該產品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率(dv/dt)高、開通陽極電流上升率(di/dt)高、抗輻射能力強等特點。
2023-07-05 15:13:22
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高壓雙向可控硅(SCR)具有阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率(dv/dt)高、開通陽極電流上升率(di/dt)高、抗輻射能力強等特點。
2023-07-12 10:40:00
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①靜態dV/dt:會引起MOSFET柵極電壓變化,導致錯誤開通。在柵源間并聯電阻,可防止誤開通。
2023-07-14 14:39:26
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電子發燒友網站提供《電感量突變的原因.docx》資料免費下載
2023-09-25 11:48:58
4 引言:在開關電源中,開關管周期性的通斷會產生周期性的電流突變(di/dt)和電壓突變(dv/dt),周期性的電流變化和電壓變化則會導致電磁干擾的產生。
2023-10-18 16:24:17
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電容電壓、電感電流為什么不能突變呢? 電容電壓和電感電流是電路中常見的兩個物理量,它們都有一個共同的特點,即它們在電路中不能瞬間發生變化。所謂“不能突變”,指的是在電路中電容電壓和電感電流的變化都是
2023-10-23 10:19:20
2878 泰藝電壓控制石英振蕩器DT-515150.8x50.8mm5,10MHzCMOS
2022-08-18 09:36:05
0 泰藝電壓控制石英振蕩器DT-656565x65mm5,10MHzCMOS
2022-08-18 09:36:05
0 當電晶體開關時電壓和電流出現重疊時,就會出現硬切換。這種重疊會造成能量損失,可透過提高di/dt和dv/dt將能量損失降至最低。然而,快速變化的di/dt或dv/dt會產生EMI。因此,應最佳化di
2023-11-18 08:26:58
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電力電容器在電網運行中起到了重要的作用,它能夠幫助調整電壓以保障電網的穩定性和安全性。然而,電壓突變是一個常見但又困擾著電力系統的問題,如何應對電壓突變成為了一個迫切需要解決的問題。
2023-11-22 14:36:43
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電容電壓、電感電流為什么不能突變? 電容電壓與電感電流的突變問題,主要涉及到電路中的能量轉換和能量守恒原理。電容電壓和電感電流是電路中儲存和釋放能量的兩種方式,它們不能突變的原因可以從以下幾個方面
2024-02-19 15:10:30
341 選擇合適的隔離電壓,有效防止電流、電壓突變對其他電路的影響 BOSHIDA 源模塊隔離電壓指的是電源模塊的輸入和輸出之間的電壓隔離。在電源模塊中,輸入端和輸出端是通過隔離元件,如變壓器或光耦等,實現
2024-03-07 09:08:09
122 IP DV的主要工作是根據IP的spec,提取testplan,搭建驗證環境,收斂覆蓋率。但是上述的過程多見于新的IP,對于已經成熟的IP,IP DV的主要工作是針對 改動的feature 提取testplan,增加驗證用例。
2024-03-21 10:02:51
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