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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書(shū),作者是(瑞士)林德?!豆β拾雽?dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件,包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。
內(nèi)容簡(jiǎn)介
功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容,書(shū)中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí),作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專(zhuān)家,作者還給出了上述各類(lèi)器件在不同工作條件下的比較分析,力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。
《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書(shū),作者是(瑞士)林德?!豆β拾雽?dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件,包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。
內(nèi)容簡(jiǎn)介
功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容,書(shū)中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí),作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專(zhuān)家,作者還給出了上述各類(lèi)器件在不同工作條件下的比較分析,力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》既可以作為電氣工程專(zhuān)業(yè)、自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書(shū),也可作為電力電子領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考用書(shū)。
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈、供應(yīng)鏈安全備受關(guān)注的背景下,功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口的局面正在被打破。航裕電源憑借自主研發(fā)的HY-SMU 300...
2025-04-29 標(biāo)簽:二極管直流電源功率半導(dǎo)體 218 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(十)——柵極電荷和應(yīng)用
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-04-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體柵極電荷驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 390 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(九)——柵極鉗位
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-04-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路功率半導(dǎo)體 310 0
碳化硅VS硅基IGBT:誰(shuí)才是功率半導(dǎo)體之王?
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙...
2025-04-02 標(biāo)簽:IGBT芯片封裝功率半導(dǎo)體 1031 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(八)——米勒鉗位雜談
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-03-31 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)鉗位驅(qū)動(dòng)電路 664 0
合科泰MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展和環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng),高效、節(jié)能的電源系統(tǒng)成為市場(chǎng)的主流需求。開(kāi)關(guān)電源以其高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。而MOS管作為...
2025-03-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管功率半導(dǎo)體 369 0
TPS7H5020 SEP 能夠驅(qū)動(dòng) MOSFET 或 GaN FET 的耐輻射 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H502x 是一款抗輻射性保證、電流模式、單端 PWM 控制器,具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器,可用于基于硅和氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。T...
2025-03-19 標(biāo)簽:PWM控制器GaN功率半導(dǎo)體 273 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(二)——驅(qū)動(dòng)器的輸入側(cè)探究
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-02-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 438 0
功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)(一)綜述
工業(yè)應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電源功率不大,設(shè)計(jì)看似簡(jiǎn)單,但要設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)單低成本的電路并不容易,主要難點(diǎn)有幾點(diǎn):1電路要求簡(jiǎn)潔,占用線路板面積要小一個(gè)Eas...
2025-02-14 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)功率半導(dǎo)體移動(dòng)電源 343 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(一)—— 驅(qū)動(dòng)器的功能綜述
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-02-10 標(biāo)簽:英飛凌驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路 660 0
CMT8603X單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景及其認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)立即下載
類(lèi)別:電子資料 2025-02-21 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)
GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載
類(lèi)別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體
使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)立即下載
類(lèi)別:電子資料 2024-08-29 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體
第三代SiC功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)介紹立即下載
類(lèi)別:電源技術(shù) 2024-04-23 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告立即下載
類(lèi)別:報(bào)告 2023-12-11 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體報(bào)告產(chǎn)業(yè)鏈
三相并網(wǎng)逆變器模型預(yù)測(cè)容錯(cuò)控制-三相四開(kāi)關(guān)TPFS立即下載
類(lèi)別:電子資料 2023-03-01 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體三相并網(wǎng)
碳化硅材料制成的碳化硅肖特基器件能帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)立即下載
類(lèi)別:電子資料 2023-02-21 標(biāo)簽:肖特基功率半導(dǎo)體碳化硅
功率器件行業(yè)的現(xiàn)狀與趨勢(shì)立即下載
類(lèi)別:電子資料 2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體
中國(guó)大陸半導(dǎo)體功率器件企業(yè)前50名立即下載
類(lèi)別:電子資料 2023-02-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體
近日,全球功率電子行業(yè)盛會(huì)PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡開(kāi)幕。作為中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),比亞迪半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳...
2025-05-14 標(biāo)簽:傳感器比亞迪功率半導(dǎo)體 200 0
功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)該如何測(cè)試?
功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)該如何測(cè)試?那我們首先要知道功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)有哪些?然后才能了解怎樣去測(cè)試—— 功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)主要包括以...
2025-05-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 35 0
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)??s減 比亞迪半導(dǎo)體首進(jìn)前十
2025財(cái)年第二季度,英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日發(fā)布了最新財(cái)報(bào),顯示全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模已縮減至323億美元...
2025-05-13 標(biāo)簽:比亞迪功率半導(dǎo)體 84 0
打價(jià)格戰(zhàn),毛利率還能漲?這些功率半導(dǎo)體廠商一季度賺麻了
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近期,各上市公司基本已經(jīng)公布2024年全年以及2025年一季度的財(cái)報(bào)。功率半導(dǎo)體從去年開(kāi)始,進(jìn)入去庫(kù)存的階段,市場(chǎng)上價(jià)格戰(zhàn)...
2025-05-11 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 968 0
航裕電源連續(xù)多年榮獲上海市“專(zhuān)精特新”中小企業(yè)稱(chēng)號(hào)
在電源深耕多年,航裕電源憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力,和專(zhuān)業(yè)化的市場(chǎng)定位,連續(xù)多年榮獲上海市"專(zhuān)精特新"中小企業(yè)稱(chēng)號(hào),成為行業(yè)內(nèi)的標(biāo)桿企業(yè)。
2025-05-10 標(biāo)簽:電源功率半導(dǎo)體 490 0
揚(yáng)杰科技SiC車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目盛大開(kāi)工
2025 年5月9日上午,中共揚(yáng)州市委副書(shū)記、秘書(shū)長(zhǎng)焦慶標(biāo),邗江區(qū)委書(shū)記張新鋼,揚(yáng)州市財(cái)政局局長(zhǎng)楊蓉、副局長(zhǎng)徐軍,揚(yáng)州市邗江區(qū)副區(qū)長(zhǎng)陳德康等領(lǐng)導(dǎo)齊聚揚(yáng)杰...
2025-05-10 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 834 0
航裕電源榮獲2024年度優(yōu)秀企業(yè)獎(jiǎng)
上海新閔經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)"優(yōu)秀企業(yè)獎(jiǎng)"的評(píng)選,旨在表彰在科技創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)升級(jí)、經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)責(zé)任等方面表現(xiàn)突出的標(biāo)桿企業(yè)。航裕電源從眾多參評(píng)...
2025-05-09 標(biāo)簽:電源功率半導(dǎo)體 319 0
日前,海爾集團(tuán)董事局副主席、總裁梁海山,董事局董事劉斥,海爾智家副總裁、全球采購(gòu)總經(jīng)理李洋等高層領(lǐng)導(dǎo)蒞臨訪問(wèn)比亞迪。比亞迪集團(tuán)董事長(zhǎng)兼總裁王傳福帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)...
2025-05-09 標(biāo)簽:比亞迪海爾功率半導(dǎo)體 120 0
揚(yáng)杰科技亮相PCIM Europe 2025 以硬核技術(shù)驅(qū)動(dòng)能源變革
揚(yáng)杰科技亮相PCIM? 以硬核技術(shù)驅(qū)動(dòng)能源變革 ? ? ? ? ? ? ? ? ? 5月6-8日,揚(yáng)杰科技攜多款高性能功率器件及解決方案亮相德國(guó)PCIM...
2025-05-09 標(biāo)簽:分立器件功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 403 0
新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級(jí)結(jié)”單元,通過(guò)電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件,其核...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 226 0
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