SG3525的結構特性
SG3525脈寬調制控制器，不僅具有可調整的死區時間控制功能，而且還具有可編式軟起動，脈沖控制封鎖保護等功能。通過調節SG3525第6腳（RT）上的電流大小可以改變輸出控制信號PWM的頻率，調節第9腳（EAOUT）的電壓可以改變輸出脈寬，這些功能可以改善變頻電源的動態性能和簡化控制電路的設計。
SG3525內部結構
SG3525的內部結構見圖1，由基準電壓調整器、振蕩器、誤差放大器、比較器、鎖存器、欠壓鎖定電路、閉鎖控制電路、軟起動電路、輸出電路構成。
欠壓鎖定功能
基準電壓調整器受15腳的外加直流電壓VC的影響，當VC低于7V時，基準電壓調整器的精度值就得不到保證，由于設置了欠壓鎖定電路，當出現欠電壓時，欠壓鎖定功能使A端線由低電壓上升為邏輯高電平經過或非門輸出轉化為P1=P2=ˉA+ˉB+ˉC+ˉD=0，SG3525的13腳輸出為高電平，功率驅動電路輸出至功率場效應管的控制脈沖消失，逆變器無電壓輸出。
系統的故障關閉功能
集成控制器SG3525內部的T3晶體管基極經一電阻連接10引腳。過流保護環節檢測到的故障信號使10腳為高電平，由于T3基極與A端線相連，故障信號產生的關閉過程與欠電壓鎖定過程類似。在電路中，過流保護環節還輸出一個信號到與門的輸入端，當出現過流信號時，檢測環節輸出一低電平信號到與門的輸入端，使脈沖消失，與SG3525的故障關閉功能一起構成雙重保護。
軟起動功能
軟起動功能的實現主要由SG3525內部的晶體管T3和外接電容C3及鎖存器來實現的。當出現欠壓或者有過流故障時，A端線高電平傳到T3晶體管基極，T3導通為8引腳外接電容C3提供放電的途徑，C3經T3放電到零電壓后，限制了比較器的PWM脈沖電壓輸出，電壓上升為恒定的邏輯高電平，PWM高電平經PWM鎖存器輸出至D端線仍為恒定的邏輯高電平，C3電容重新充電之前，D端線的高電平不會發生變化，封鎖輸出。當故障消除后，A端線恢復為低電平正常值，T3截止，C3電容由50ΛA電流源緩慢充電，C3充電對PWM和D端線脈沖寬度產生影響，同時對P1和P2輸出脈沖產生影響，其結果是使P1和P2脈沖由窄緩慢變寬，只有C3充電結束后，P1和P2的脈沖寬度才不受C3充電的影響。這種軟起動方式，可使系統主回路電機及功率場效應管承受過大的沖擊浪涌電流。
波形的產生及控制方式分析
SG3525內部的鋸齒波作為載波信號Ut，外加的給定信號Ug作為調制信號由9腳輸入，載波信號Ut和給定信號Ug疊加用于確定脈寬調制波的初始占空比，可控制逆變器輸出電壓的大小和極性。Ug可正可負，由模擬或數字調節器的輸出來控制，可構成閉環自動控制系統。集成控制器SG3525的輸出側采用推拉式電路可使關斷速度加快。當11腳、14腳與12腳連接時，PWM脈沖由13腳輸出，這樣能夠保證13腳的輸出與鎖存器的輸出一致。SG3525內部的電壓波形如圖2所示，鋸齒波與調制波的交點比較功能由比較器完成，當Ut》Ur時，比較器輸出的PWM波形由邏輯低電平變為高電平，當Ut《Ur時，比較器輸出的PWM波形由邏輯高電平變為低電平，為保證PWM波寬不至于太窄，用PWM鎖存器鎖存高電平值，并在CP脈沖下跳時對鎖存器清零，以進行下一個比較點的鎖存。
延時回路
在可逆變換器中，跨接在電源US兩端的上、下兩個功率場效應管交替工作，由于功率場效應管的關斷要有一定的時間。如果在此期間另一個功率場效應管已經導通，則將造成上下兩管直通，從而使電源正負極短路。為了避免發生這種情況，設置了由R、C電路構成的邏輯延時環節。保證在對一個管子發出關閉脈沖后，延時2Λs左右的時間后再發出對另一個管子的開通脈沖。如圖3所示。
Ua為SG3525的13腳輸出占空比可調的脈沖波形（占空比調節范圍不小于0.1～0.9），經過RC移相后，輸出兩組互為倒相、死區時間為4Λs左右的脈沖，經過驅動4只MOSFET管，其中VT1，VT4驅動信號相同，VT2，VT3驅動信號相同。
變頻電源主電路中的單相整流橋與BooST斬波電路VT0和VD0結合，采用APFC控制技術對輸入交流電進行有源功率因數校正的變換，形成高入端功率因數的整流器。逆變器電路采用MOSFET和輔助電路構成的H型橋式結構，通過PWM控制技術進行雙極性變頻變壓變換形成串聯諧振式逆變電源。變頻電源控制器由單片機系統、SG3525和APFC校正電路以及隔離驅動等部分組成。
由霍爾電壓傳感器LEM1和霍爾電流傳感器LEM2將負載電壓和電流信號進行隔離轉換，并由單片機通過A/D進行檢測，作為閉環系統的反饋信號，單片機控制SG3525發出的PWM脈沖，來控制逆變器VT1，VT4和VT2，VT3輪流導通，從而控制逆變電壓和逆變頻率。其中VT1～VT4功率場效應管的型號為IRF840，開關頻率為30MHz，VD1～VD4采用反相恢復時間較快的功率二極管50WF40F，主電路整流器二極管采用ZP6，反向的峰值電壓為800V。