這篇文章直接在氧化硅襯底上合成了高質量的雙層二硫化鉬薄膜，制備了透明和不透明頂柵雙層二硫化鉬晶體管，將它們構筑成8?8圖像傳感器陣列。
實驗表明制備的雙層二硫化鉬光電晶體管具有很高的光響應靈敏度，并闡述了內在機理（禁帶陷阱捕獲空穴引起的光門控效應photo-gating effect by the holes trapped at subgap states）。
圖1 雙層二硫化鉬圖像傳感器陣列（一個開關晶體管-不透明柵+一個光晶體管-透明柵=1個pixel）
圖2 材料和器件的制備工藝（透明和不透明頂柵）
圖3 合成材料特性表征（面積大，雙層，2H相，功函數4.4 eV，禁帶寬度1.65 eV）
圖4 陣列中晶體管電學性能和電學參數統計值（確定工作電壓，判斷均勻性）
圖5 陣列中光晶體管的光響應特性（對紅、綠、藍三種不同波長光的響應，顏色匹配）
圖6 二維器件特性模擬（探究高響應靈敏度和缺陷態的內在聯系）
圖7 二硫化鉬圖像傳感器陣列性能（響應均勻度很好，光模板投影，光電轉換，模數轉換，顯示）
審核編輯：劉清