磁阻元件類似霍爾元件，但它的工作原理是利用半導體材料的磁阻效應(或稱高斯效應)。與霍爾效應的區(qū)別如下；即霍爾電勢是指垂直于電流方向的橫向電壓，而磁阻效應則是沿電流方向的電阻變化。
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磁阻效應傳感器 | |
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表示一種測量位移的磁阻效應傳感器。將磁阻元件置于磁場中，當它相對于磁場發(fā)生位移時，元件內阻R1、R2發(fā)生變化，如果將它們接于電橋，則其輸出電壓比例于電阻的變化。 | |
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產生磁阻效應的原理 | |
????磁阻效應與材料性質及幾何形狀有關，一般遷移率大的材料，磁阻效應愈顯著；元件的長、寬比愈小，磁阻效應愈大。
磁阻元件可用于位移、力、加速度等參數(shù)的測量。