本文主要是關于三極管中2TY和J3Y的相關介紹，并以此探討了三極管的命名方式。
三極管
什么是三極管 ［1］ （也稱晶體管）在中文含義里面只是對三個引腳的放大器件的統稱，我們常說的三極管，可能是 如圖所示的幾種器件。
可以看到，雖然都叫三極管，其實在英文里面的說法是千差萬別的，三極管這個詞匯其實也是中文特有的一個象形意義上的的詞匯。
電子三極管 Triode 這個是英漢字典里面“三極管”這個詞匯的唯一英文翻譯，這是和電子三極管最早出現有關系的，所以先入為主，也是真正意義上的三極管這個詞最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三極管的東西，實際翻譯的時候是絕對不可以翻譯成Triode的，否則就麻煩大咯，嚴謹地說，在英文里面根本就沒有三個腳的管子這樣一個詞匯！
電子三極管 Triode （俗稱電子管的一種）
雙極型晶體管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型場效應管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金屬氧化物半導體場效應晶體管 MOS FET （ Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor）英文全稱
V型槽場效應管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：這三者看上去都是場效應管，其實金屬氧化物半導體場效應晶體管 、V型槽溝道場效應管 是 單極（Unipolar）結構的，是和 雙極（Bipolar）是對應的，所以也可以統稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型場效應管是非絕緣型場效應管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場效應管
VMOS是在 MOS的基礎上改進的一種大電流，高放大倍數（跨道）新型功率晶體管，區別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進型產品，但是結構上已經與傳統的MOS發生了巨大的差異。VMOS只有增強型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管
三極管中2TY和J3Y是什么意思
2TY 是8550 PNP SOT23
J3Y是8050 NPN SOT23
這不是高頻管，一般用在小功率的電源電路，如小電流電源開關管，充電電路開關管等，分別測BE極和BC極的二極管導通電壓為0.6V左右是好的，
高頻放大用9018 NPN SOT23
三極管命名方式
不同的國家對三極管的命名是不同的。所有命名方式要查詢全世界的工廠和國家，很難辦到。
以中美日等國為例：
中國三極管型號命名方法
中國半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管
3-三極管
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：
A-N型鍺材料
B-P型鍺材料
C-N型硅材料
D-P型硅材料
表示三極管時：
A-PNP型鍺材料、
B-NPN型鍺材料、
C-PNP型硅材料、
D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、
V-微波管
W-穩壓管
C-參量管
Z-整流管
L-整流堆
S-隧道管
N-阻尼管
U-光電器件
K-開關管
X-低頻小功率管（F《3MHz，Pc《1W）
G-高頻小功率管（f》3MHz，Pc《1W）
D -低頻大功率管（f《3MHz，Pc》1W）
A-高頻大功率管（f》3MHz，Pc》1W）
T-半導體晶閘管（可控整流器）
Y-體效應器件
B-雪崩管
J-階躍恢復管
CS-場效應管
BT-半導體特殊器件
FH-復合管
PIN-PIN型管
JG-激光器件。
第四部分：用數字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
國際三極管型號命名方法
德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
1.第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅
C -器件使用材料的Eg》1.3eV如砷化鎵
D-器件使用材料的Eg《0.6eV如銻化銦
E-器件使用復合材料及光電池使用的材料
2.第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關混頻二極管
B-變容二極管
C-低頻小功率三極管
D-低頻大功率三極管
E-隧道二極管
F-高頻小功率三極管
G-復合器件及其他器件
H-磁敏二極管
K-開放磁路中的霍爾元件
L-高頻大功率三極管
M-封閉磁路中的霍爾元件
P-光敏器件
Q-發光器件
R-小功率晶閘管
S-小功率開關管
T-大功率晶閘管
U-大功率開關管
X-倍增二極管
Y-整流二極管
Z-穩壓二極管
3.第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。
4.第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。
除四個基本部分外，有時還加后綴，以區別特性或進一步分類。常見后綴如下：
1、穩壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值；后綴的第三部分是字母V，代表小數點，字母V之后的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。
2、整流二極管后綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的后綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。
如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
三極管管腳的區分方法
從本質上分辨，可以通過分辨發射區，基區，集電區，分辨發射極e，基極b，和集電極c。因為這三個電極都是三極管中各區導線牽出去的。
發射區和集電區均為N型半導體，不同的是，發射區比集電區摻入的雜質多，在幾何尺寸上，集電區的面積要遠比發射區的大。而基區在發射區和集電區之間。
結語
關于三極管中2TY和J3Y的區分介紹就到這了，希望本文能對你有所幫助。