以B-E作為輸入端口，以C-E作為輸出端口，則網(wǎng)絡(luò)外部的端電壓和電流之間的關(guān)系就是晶體管的輸入特性和輸出特性，如圖6和圖7所示。

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根據(jù)特性曲線，可以將輸入特性、輸出特性寫成關(guān)系式

h參數(shù)的下標(biāo)e表示共發(fā)射極接法，i表示輸入；r表示反向傳輸；f表示正向傳輸；o表示輸出，其中

由h參數(shù)方程可知，電壓vBE由兩部分組成，第一項(xiàng)表示由iB產(chǎn)生一個(gè)電壓，所以hie為一電阻；第二項(xiàng)vCE由產(chǎn)生一個(gè)電壓，因而hre無量綱；所以B-E間可以等效成一個(gè)電阻與一個(gè)受控電壓源串聯(lián)。

電流iC也由兩部分組成，第一項(xiàng)表示由iB控制產(chǎn)生一個(gè)電流，因而hfe無量綱；第二項(xiàng)表示由vCE產(chǎn)生一個(gè)電流，因而hoe為電導(dǎo)；所以C-E間可以等效為一個(gè)受控電流源與一個(gè)電阻并聯(lián)。這樣得到的晶體管的等效模型如圖8所示。由于h參數(shù)方程中的4個(gè)h參數(shù)的量綱都不同，故稱為h參數(shù)等效模型。

2.2、等效電路法的簡化模型

輸入回路：從前面對(duì)晶體管的特性分析可知，當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，C-E間的電壓對(duì)輸入特性曲線的影響很小，即管子的內(nèi)反饋可以忽略不計(jì)，可以vCE》；VBE用的任意一條特性曲線取代vCE》；VBE的所有特性曲線。因此，認(rèn)為hre=0，則晶體管的輸入回路只等效為一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻rBE（hie）。

輸出回路：當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，C-E間電壓的變化對(duì)iC的影響很小，即在放大區(qū)輸出特性曲線幾乎是橫軸的平行線，可以認(rèn)為C-E間的動(dòng)態(tài)電阻1/hoe無窮大。因此，hoe近似為0，晶體管的輸出回路只等效為一個(gè)電流iB控制的電流源βiB（hfeiB）。簡化后的h參數(shù)等效模型如圖9所示。

3、結(jié)束語

以上分析了晶體管等效模型，其分析結(jié)論可直接用于分析由晶體管所構(gòu)成放大電路的各種動(dòng)態(tài)參數(shù)，該結(jié)論完全可以適用于場效應(yīng)管及其組成的放大電路中，而其他類型放大電路如差分放大電路、功率放大電路，還有由許多基本電路構(gòu)成的集成運(yùn)算放大電路，由于其基本構(gòu)成與晶體管、場效應(yīng)管放大電路相同，所以同樣可以采用等效電路法來分析。