我們講到增強(qiáng)型MOSFET的特點(diǎn)是，N溝道的建立是Ugs的貢獻(xiàn)，沒(méi)有Ugs>Ut，導(dǎo)電溝道就無(wú)法建立，D、S就不會(huì)有導(dǎo)通電流。這邊我們要說(shuō)的是另一種MOSFET，稱為耗盡型MOSFET。

N溝道耗盡型MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖

以N溝道耗盡型MOSFET來(lái)說(shuō)明，它在制造過(guò)程中，在二氧化硅的絕緣層中摻入了大量的正離子，形成了一個(gè)正電中心，產(chǎn)生了指向P型硅表面的垂直電場(chǎng)，這樣一來(lái)，在Ugs=0時(shí)，D、S之間已經(jīng)有N溝道形成，若Ugs大于零，導(dǎo)電溝道加寬，當(dāng)Ugs為負(fù)值，負(fù)到一定值，正電中心形成的垂直電場(chǎng)被抵消，導(dǎo)電溝道消失。那么，此時(shí)的Ugs被稱為夾斷電壓Up。耗盡型MOSFET的特性曲線類(lèi)似于增強(qiáng)型MOSFET， 只是出現(xiàn)了負(fù)偏置 ，如下圖所示。

當(dāng)Uds固定，Id=0的位置，Ugs為負(fù)值，即夾斷電壓。

對(duì)于P溝道的MOSFET，偏置電壓的極性要求正好與N溝道MOSFET相反，不再贅述。下面來(lái)說(shuō)下MOSFET的主要參數(shù)和等效數(shù)學(xué)模型。

MOSFET主要參數(shù)

MOSFET的等效數(shù)學(xué)模型

對(duì)于上圖的MOSFET完整等效電路示意圖，可以看出是兩個(gè)壓控電流源組成的簡(jiǎn)單線性電路網(wǎng)絡(luò)，在中、低頻回路中，各極間電容可以忽略不計(jì)，在高頻電路中極間電容需要全部考慮計(jì)算。

MOSFET在實(shí)際應(yīng)用中的注意事項(xiàng)

1 MOSFET在使用過(guò)程中除了選擇正確的參數(shù)和正確的計(jì)算外，最值得強(qiáng)調(diào)的是防靜電操作問(wèn)題。由于MOSFET的柵源之間距離很短，且絕緣，又少量的電荷就足以使絕緣柵極擊穿，導(dǎo)致MOSFET器件失效，因此MOS管會(huì)被戲稱為“摸死”管，就是為了強(qiáng)調(diào)它的靜電敏感性極高。在電路安裝、焊接、調(diào)試過(guò)程中尤其需要注意，避免板子出現(xiàn)不可預(yù)知的問(wèn)題，影響開(kāi)發(fā)進(jìn)度。
2 對(duì)于大功率MOS管，需要和大功率BJT一樣考慮散熱問(wèn)題
3 對(duì)于高頻使用場(chǎng)景，由于MOS管G、S之間阻抗很高，對(duì)電場(chǎng)的變化非常敏感，所以在使用高頻MOS管作為高頻前端放大器時(shí)，需要設(shè)計(jì)良好的電場(chǎng)屏蔽結(jié)構(gòu)。

審核編輯：劉清