當(dāng)VGS>VTH時(shí)，MOSFET表現(xiàn)為一個(gè)壓控電阻；但是，能讓MOSFET成為現(xiàn)在集成電路中的翹楚，肯定不是只是壓控電阻這么簡(jiǎn)單呢。

當(dāng)漏極電壓逐夠大的時(shí)候，MOS管會(huì)表現(xiàn)為一個(gè)壓控電流源。這使得MOSFET可以成為一個(gè)放大器。 ?

那到底是什么讓MOSFET可以成為一個(gè)壓控電流源呢？ 我覺得是MOSFET的通道夾斷效應(yīng)(channel Pinch-off)。 ?

那什么是通道夾斷效應(yīng)呢？

（1）當(dāng)柵極和P型襯底接觸面之間的電勢(shì)差大于VTH時(shí)，開始形成溝道。如果VD=VS=0時(shí)，雖然溝道形成，但是還是沒有電流，因此沿著溝道長(zhǎng)度處的電勢(shì)相等。

（2）加大VD的電壓，使得VD>0&VG-VD>Vth，溝道中開始有電流形成，而由于溝道電阻的存在，所以沿著溝道長(zhǎng)度處的電勢(shì)是不等的，靠近源極處為0，而靠近漏極處為VD。所以此時(shí)，柵極和P型襯底接觸面之間的電勢(shì)差也是不等的，靠近源極處為VG，而靠近漏極處為VG-VD。

（3）繼續(xù)加大VD的電壓，使得VG-VD=Vth，此時(shí)在x=L,即漏極處，溝道截止。即產(chǎn)生通道夾斷效應(yīng)。

（4）在繼續(xù)加大VD的電壓，使得VG-VD
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那在L1和L之間沒有通道了，那是不是就沒有電流了呢？

答案當(dāng)然不是啦，要不然MOSFET管就不會(huì)像今天這么流行了。

因?yàn)槁O是n型摻雜，襯底為P型摻雜，所以漏極和襯底之間有一個(gè)PN結(jié)，且VD>0, VSUB=0，即n區(qū)域的電勢(shì)高于P區(qū)域的電勢(shì)，即PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，所以其存在耗盡區(qū)。而耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)，則會(huì)把到達(dá)溝道截止處的電子吸引過來，保證電子可以繼續(xù)通過。

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但是，此時(shí)，VD不會(huì)對(duì)電流的大小具有顯著影響了，這時(shí)MOSFET就表現(xiàn)為一個(gè)恒流源。 ? ?

審核編輯：劉清