MOS管的開關特性

1、靜態特性

MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態。

工作特性如下：

uGS開啟電壓UT：MOS管工作在截止區，漏源電流iDS基本為0，輸出電壓uDS≈UDD，MOS管處于“斷開”狀態，其等效電路如下圖所示。

uGS》開啟電壓UT：MOS管工作在導通區，漏源電流iDS=UDD/（RD+rDS）。其中，rDS為MOS管導通時的漏源電阻。輸出電壓UDS=UDD·rDS/（RD+rDS），如果rDS《RD，則uDS≈0V，MOS管處于“接通”狀態，其等效電路如上圖（c）所示。

2、動態特性

MOS管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決于與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。下圖分別給出了一個NMOS管組成的電路及其動態特性示意圖。

當輸入電壓ui由高變低，MOS管由導通狀態轉換為截止狀態時，電源UDD通過RD向雜散電容CL充電，充電時間常數τ1=RDCL，所以，輸出電壓uo要通過一定延時才由低電平變為高電平。

當輸入電壓ui由低變高，MOS管由截止狀態轉換為導通狀態時，雜散電容CL上的電荷通過rDS進行放電，其放電時間常數τ2≈rDSCL。可見，輸出電壓Uo也要經過一定延時才能轉變成低電平。但因為rDS比RD小得多，所以，由截止到導通的轉換時間比由導通到截止的轉換時間要短。

由于MOS管導通時的漏源電阻rDS比晶體三極管的飽和電阻rCES要大得多，漏極外接電阻RD也比晶體管集電極電阻RC大，所以，MOS管的充、放電時間較長，使MOS管的開關速度比晶體三極管的開關速度低。不過，在CMOS電路中，由于充電電路和放電電路都是低阻電路，因此，其充、放電過程都比較快，從而使CMOS電路有較高的開關速度。